MForum.ru
23.09.2019,
Спин-офф Cypress Semiconductor. Известна разработкой промышленной технологии выпуска чипов на углеродных нанотрубках. Технология доведена до уровня выпуска опытных решений (на октябрь 2019 года). В перспективе обещает создать многослойные монолитные чипы 90нм на памяти PRAM и транзисторах на углеродных нанотрубках, которые будут в десятки раз производительнее, нежели чем 7нм "классические" SoC.
Также есть планы обновления производства на средства американских военных с целью выпуска устойчивых к ионизирующим излучениям Rad-Hard чипов по технологии 65нм или 45нм.
Новости
2022.07 В июле 2022 года компания SkyWater объявила о планах инвестировать $1,8 млрд в предприятие по исследованию и производству микросхем в Индиане в партнерстве со штатом и Университетом Пердью. Известна разработкой промышленной технологии выпуска чипов на углеродных нанотрубках. Технология доведена до уровня выпуска опытных решений (на октябрь 2019 года). В перспективе обещает создать многослойные монолитные чипы 90нм на памяти PRAM и транзисторах на углеродных нанотрубках, которые будут в десятки раз производительнее, нежели чем 7нм "классические" SoC. Также есть планы обновления производства на средства американских военных с целью выпуска устойчивых к ионизирующим излучениям Rad-Hard чипов по технологии 65нм или 45нм.
2019.10.21 Компания SkyWater получит $170 млн от министерства обороны США на создание технологии и развертывание производства чипов, устойчивых к ионизирующему излучению (Rad-Hard), более устойчивых, чем современные. Будут создаваться чипы, как для военного (космического), так и для гражданского применения. Первый транш, $80 млн, компания потратит на строительство новой чистой комнаты площадью 5574 кв.м. на собственном производстве. Также компания намеревается увеличить штат из имеющихся 500 специалистов еще на 30-50 высококлассных инженеров. На первой фазе компания наладит выпуск радиационно стойких чипов на базе процесса PDSOI (частично обедненный кремний на изоляторе) с нормами 90нм. В дальнейшем запланирована замена алюминиевых проводников медными (по технологии "двойной дамаск" - dual-damascene interconnect), что позволит снизить технологические нормы с 90нм до 65нм или до 45нм. В пресс-релизе нет упоминания нанотрубок. | 3dnews.ru ; reuters.com ; skywatertechnology.com
----
Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике
Подпишитесь на Facebook-страницу RUSmicro
----
© Алексей Бойко,
Публикации по теме:
09.06.2026. Китайская Prianano показала потенциал применения наноимпринтной технологии в фотонике
08.06.2026. Платформа Nvidia RTX Spark – ИИ идет на ПК и другие пользовательские устройства
06.06.2026. Positive Technologies создал комплекс LFI-26 для тестирования безопасности чипов
05.06.2026. ПМЭФ: Кремниевая фотоника - Сбер представил ФИС
04.06.2026. Анатолий Корсаков генеральный директор «Трамплин Электроникс» в интервью подкасту «Знай наших»
04.06.2026. В ЕС спохватились – без ИИ и микросхем не будет и суверенитета
03.06.2026. Первый вице-премьер Денис Мантуров о микроэлектронике и РЗЭ в интервью КоммерсантЪ
03.06.2026. Ученые из Японии и США разработали кремниевый спинтронный p-бит
02.06.2026. Минпромторг выделит еще 2 млрд на импортзамещение оборудования для эпитаксии
02.06.2026. SK Hynix намерена удвоить мощности производства на кремниевых пластинах в ближайшие 5 лет
02.06.2026. Форум "Микроэлектроника 2026", обсуждая программу, - пьезо- и сегнетоэлектрические материалы
01.06.2026. Samsung начала распространять новые модули HBM для отдельных клиентов
29.05.2026. Процессорный модуль E2C3-COM на Эльбрус-2С3 включен в реестр
28.05.2026. Сколтех собирается запустить контрактное производство фотонных чипов по технологии «кремний на изоляторе»
28.05.2026. Японский госфонд JIC может продать производителя фоторезистов JSR спустя два года после его покупки
26.05.2026. Еврокомиссия предложила на время смягчить санкции в отношении китайской компании, чтобы спасти свой автопром
26.05.2026. Еврокомиссия предложила на время смягчить санкции в отношении китайской компании, чтобы спасти свой автопром
25.05.2026. Китайская Huawei обещает повысить плотность размещения транзисторов на кристалле до «эквивалента 1.4 нм»