MForum.ru
29.11.2021,
Незадолго перед закрытием Ангстрем-Т, эта компания сообщала, что единственная в России освоила производство транзисторов Trench MOSFET, востребованных в силовой электронике. А теперь о запуске в серийное производство компонентов для управления питанием в электронике промышленного назначения, включая транзисторы Trench MOSFET, сообщает Микрон.
«Мощности «Микрона», размещенные в ОЭЗ Москвы с развитой инфраструктурой и логистикой, позволят выпускать более 50 миллионов транзисторов в год. Серийное производство по данной технологии компания освоила впервые. Стоит отметить, что транзисторы будут востребованы не только на зарубежных рынках – они позволят обеспечить импортозамещение в сфере силовой электроники в России», – рассказал генеральный директор ОЭЗ «Технополис “Москва”» Геннадий Дёгтев. Транзисторы, освоенные «Микроном» в серийном производстве по технологии Trench MOSFET с шагом ячейки 1 мкм на кремниевых пластинах диаметром 200мм – один из самых распространенных электронных компонентов на мировом рынке.
На сегодняшний день «Микроном» освоен в серийном производстве сдвоенный N-канальный транзистор с низким сопротивлением канала в открытом состоянии и пробивным напряжением в 20В. Идет освоение других типономиналов по этой технологии, а также оптимизация техпроцесса для скорейшего вывода на рынок новых востребованных продуктов по доступным ценам.
«Технология Trench MOSFET позволяет значительно уменьшить сопротивление открытого канала транзистора при более высоких динамических характеристиках, что открывает очень широкие возможности применения в любых приборах и устройствах силовой электроники. В частности, для управления двигателями, построения высокоэффективных силовых коммутаторов, понижающих стабилизаторов с синхронным выпрямлением и прочих силовых цепей. Первые заказы мы получили от партнеров из Юго-Восточной Азии. В настоящее время портфель заказов почти полностью сформирован из экспортных контрактов», – пояснила директор по развитию производства АО «Микрон» Ирина Коротова.
--
теги: производство полупроводников Микрон Trench MOSFET силовая электроника
--
Публикации по теме:
18.09.2026. BMW будет использовать SiC-компоненты производства Rohm
08.09.2026. Infineon занял второе место на рынке GaN-транзисторов, первое – за китайской Innoscience
17.08.2026. ГК «Элемент» запускает серийное производство модулей и блоков в Алабушево
05.07.2026. Компания Infineon Technologies запустила новый завод в Дрездене
29.06.2026. Элемент запустит кристальное производство силовых полупроводников в 2028 году
18.06.2026. Корея делает большую ставку на SiC и GaN – получится ли?
04.01.2026. Чипы на SiC и GaN на пластинах 200 и 300 мм - главные тренды 2025 года
08.12.2025. В России создадут кластер по переработке критических металлов
15.07.2025. Рынок силовых полупроводников – выживают не все
05.06.2025. GlobalFoundries увеличивает инвестиционные планы до $16 млрд
26.01.2025. Разработанные в Силовом ключе карбид кремниевые транзисторы задействовали в силовом модуле
05.01.2023. Onsemi представила новые решения на основе карбида кремния под брендом EliteSiC 1700В
05.12.2022. Onsemi
29.08.2022. Росстандарт сформировал технический комитет по стандартизации СВЧ и силовых компонентов - ТК 328
15.03.2022. Япония хотела бы стать мировым лидером рынка силовых полупроводников
10.02.2022. Спрос на SiC полупроводники будет расти
04.12.2021. Bosch приступила к массовому производству пластин SiC
10.12.2019. Семинар по силовой электронике
07.01.2019.
Оксид галлия - полупроводник со сверхширокой запрещенной зоной
26.10.2018. Infineon начинает строительство новой фабрики
22.10. Компания Texas Instruments прогнозирует выручку за 4q2026 выше ожиданий аналитиков
22.10. Samsung и SK Hynix модернизируют свои предприятия в Китае
22.10. «Аквариус» выходит на рынок Wi-Fi оборудования и ПО корпоративных беспроводных сетей
22.10. РКН поделилось данными о числе РЭС 5G в России
22.10. МТС отмечает рост спроса на видеонаблюдение на Ставрополье
22.10. МТС усилила сеть в Шимановске Амурской области
22.10. НИИМА «Прогресс» подал иск к Минпромторгу
21.10. Билайн и Binrobi предложат абонентам услуги связи, не требующие платежей
21.10. SpaceX показала улучшение финансовых показателей и готовится к запуску услуг D2D в начале 2028 года
21.10. T2 перевел в режим поддержки 5G 4093 объекта – данные РКН
21.10. Xona делает шаг к собственной навигационной сети: шесть спутников Pulsar выведены на LEO орбиту
21.10. МТС начала предоставлять услуги 5G 2100 МГц в отдельных районах Иркутска
21.10. Представители отрасли предлагают "откатить" ужесточение параллельного импорта
22.10. iPhone 18 получит новый дизайн камеры
22.10. Redmi Band 4 представлен в Китае – 21 день автономности и 5ATM за 169 юаней
22.10. Появились данные о Huawei Mate X8 – запуск в ноябре и новый чип Kirin
21.10. Coolpad Cool X Wide – первый широкоформатный смартфон бренда
21.10. Утечка об Oppo Reno X указывает на батарею 8000 мАч и двойную 200-МП камеру
21.10. Doogee Note60 W – широкоформатный смартфон в стиле Huawei Pura X View
20.10. HMD Vibe 2 Max раскрыт в утечке: 108 МП, 120 Гц и батарея 6000 мАч
20.10. Redmi K100 с батареей 10 000 мАч и Snapdragon 8 Elite выйдет 28 октября
20.10. Samsung Galaxy F70 5G с Exynos 1330 и 120 Гц оценен за 19 999 рупий
20.10. Apple работает над новым iPad mini – в базе регулятора появился чехол Smart Folio
19.10. Раскрыта емкость батареи Moto G47 Power
19.10. Tecno представила Spark 50s и Spark 50C – две новые модели с 120 Гц
19.10. OnePlus Ace 7 и Ace 7 Pro получат 200-МП камеры и перископ
19.10. Samsung может вернуть Exynos 2700 в Galaxy S27 Ultra из-за перегрева Snapdragon
16.10. Появились первые утечки о камерах Samsung Galaxy A58
16.10. HMD планирует уйти с некоторых рынков и сократить глобальное производство
16.10. Samsung начинает распространять обновление One UI 9 для Galaxy A27 и A37
16.10. Раскрыты подробности о 2K 185 Гц дисплее и игровых функциях iQOO Neo12
15.10. itel City 300 5G – 5G-смартфон с экраном 120 Гц за 14 999 рупий
15.10. Раскрыт список совместимых устройств и график обновления до Nothing OS 5.0