MForum.ru
29.11.2021,
Незадолго перед закрытием Ангстрем-Т, эта компания сообщала, что единственная в России освоила производство транзисторов Trench MOSFET, востребованных в силовой электронике. А теперь о запуске в серийное производство компонентов для управления питанием в электронике промышленного назначения, включая транзисторы Trench MOSFET, сообщает Микрон.
«Мощности «Микрона», размещенные в ОЭЗ Москвы с развитой инфраструктурой и логистикой, позволят выпускать более 50 миллионов транзисторов в год. Серийное производство по данной технологии компания освоила впервые. Стоит отметить, что транзисторы будут востребованы не только на зарубежных рынках – они позволят обеспечить импортозамещение в сфере силовой электроники в России», – рассказал генеральный директор ОЭЗ «Технополис “Москва”» Геннадий Дёгтев. Транзисторы, освоенные «Микроном» в серийном производстве по технологии Trench MOSFET с шагом ячейки 1 мкм на кремниевых пластинах диаметром 200мм – один из самых распространенных электронных компонентов на мировом рынке.
На сегодняшний день «Микроном» освоен в серийном производстве сдвоенный N-канальный транзистор с низким сопротивлением канала в открытом состоянии и пробивным напряжением в 20В. Идет освоение других типономиналов по этой технологии, а также оптимизация техпроцесса для скорейшего вывода на рынок новых востребованных продуктов по доступным ценам.
«Технология Trench MOSFET позволяет значительно уменьшить сопротивление открытого канала транзистора при более высоких динамических характеристиках, что открывает очень широкие возможности применения в любых приборах и устройствах силовой электроники. В частности, для управления двигателями, построения высокоэффективных силовых коммутаторов, понижающих стабилизаторов с синхронным выпрямлением и прочих силовых цепей. Первые заказы мы получили от партнеров из Юго-Восточной Азии. В настоящее время портфель заказов почти полностью сформирован из экспортных контрактов», – пояснила директор по развитию производства АО «Микрон» Ирина Коротова.
--
теги: производство полупроводников Микрон Trench MOSFET силовая электроника
--
Публикации по теме:
04.01.2026. Чипы на SiC и GaN на пластинах 200 и 300 мм - главные тренды 2025 года
08.12.2025. В России создадут кластер по переработке критических металлов
15.07.2025. Рынок силовых полупроводников – выживают не все
05.06.2025. GlobalFoundries увеличивает инвестиционные планы до $16 млрд
26.01.2025. Разработанные в Силовом ключе карбид кремниевые транзисторы задействовали в силовом модуле
05.01.2023. Onsemi представила новые решения на основе карбида кремния под брендом EliteSiC 1700В
05.12.2022. Onsemi
29.08.2022. Росстандарт сформировал технический комитет по стандартизации СВЧ и силовых компонентов - ТК 328
15.03.2022. Япония хотела бы стать мировым лидером рынка силовых полупроводников
10.02.2022. Спрос на SiC полупроводники будет расти
04.12.2021. Bosch приступила к массовому производству пластин SiC
10.12.2019. Семинар по силовой электронике
07.01.2019.
Оксид галлия - полупроводник со сверхширокой запрещенной зоной
26.10.2018. Infineon начинает строительство новой фабрики
11.09.2018. Силовая электроника
04.03.2018. Встречи, посвященные тематике микроэлектроники
21.02.2018.
Оценки и прогнозы рынка микроэлектроники. Тренды
07.01.2011.
Словарные статьи, начинающиеся на букву С (кир.)