21 ноября 2019 года на территории АО «Ангстрем» прошел семинар на тему "Сложнофункциональные и интеллектуальные решения для силовой электроники на элементной базе АО "Ангстрем". На мероприятии представителям компаний-разработчиков и производителей оборудования были представлены новые разработки, освоенные технологии и перспективные направления развития.

АО "Ангстрем" – единственное предприятие России, которое выпускает полностью отечественную компонентную базу по силовой электронике: транзисторы – MOSFET и IGBT, модули на их основе, IGBT-драйверы, DC/DC-преобразователи, схемы управления питанием, драйверы светодиодов, интеллектуальные силовые ключи. Сегодня АО "Ангстрем" стремится выйти на гражданские рынки и диверсифицировать производство, поэтому повышенное внимание уделяется развитию технологических процессов, снижению затрат и внедрению автоматизированных производств.

Главный конструктор П.Р. Машевич ознакомил участников семинара с технологиями, освоенными предприятием, и перспективными направлениями развития. Среди технологий, применяемых в АО "Ангстрем", ведущая роль принадлежит КМОП-технологии, на основе которой была внедрена и БиКМОП технология. Кроме кристального производства на предприятии запущены участки сборки, измерений, испытаний (в том числе радиационных). Номенклатура выпускаемой продукции очень широкая – более 2,5 тыс. наименований.

Начальник отдела разработки силовой электроники Т.Б. Крицкая отметила, что на предприятии реализован замкнутый цикл создания силовой электроники – от разработки кристалла до производства и испытаний продукции в корпусе. Широкая номенклатура выпускаемых изделий позволяет унифицировать конструкцию кристаллов и варьировать параметры технологического процесса, что позволяет существенно снижать стоимость производства отечественной микроэлектроники.

«Ангстрем» разрабатывает и выпускает различные типы силовых транзисторов, диодов и модулей на их основе. В ассортименте продукции trench-транзисторы, транзисторы с высокой стойкостью к накопленной дозе, транзисторы с малым зарядом затвора. В настоящее время выпускается более 100 наименований транзисторов, стойких к ТЗЧ. На семинаре были представлены новые разработки IGBT транзисторов и FRD диодов, которые должны выйти в следующем году и имеющих стойкость к радиационному воздействию. Диапазон разрабатываемых изделий от 400В до 6000В. Это уникальная разработка отечественного производителя, не имеющая аналогов.

Для производства IGBT на предприятии используется технология NPT+, которая обеспечивает малый заряд затвора, и хорошую защиту от внешних воздействий. Конструкция транзисторов способна в течение 40 мкс выдерживать ток короткого замыкания, что в 4 раза превышает показатель зарубежных аналогов. Это обеспечивает высокую надежность приборов, созданных на базе продукции «Ангстрема».

Инженер-конструктор силовых модулей Я.А. Вренев подробно описал серийно выпускаемую линейку силовых модулей на основе IGBT и MOSFET, а также новые разработки, серийное производство которых будет налажено в 2020 году. Линейка IGBT-модулей и быстровосстанавливающихся диодов (FRD)в металлопластмассовых корпусах МПК-30, МПК-34, МПК-62, МПК-62-2 и МПК-62-Э содержит широкую номенклатуру модулей с диапазоном рабочих напряжений от 600 до 1700 В, максимальных токов до 600 А и различных конфигураций: полумост, верхний и нижний чоппер, одиночный ключ.

Новая разработка АО "Ангстрем" – IGBT-модуль прижимной конструкции в корпусе МПК-150, рассчитанный на напряжение 2500 В, ток 2000 А. Для этого изделия была создана конструкция, которая обеспечивает равномерное давление на кристаллы IGBT, FRD и надежный контакт с активными областями кристаллов. В качестве подложки используется композиционный материал AlSiC. По своим характеристикам новый прижимной IGBT-модуль соответствует аналогу – модулю компании ABB – монополиста в производстве прижимных модулей, но использует новые современные решения.

Инженер-разработчик АО "Ангстрем" К.П. Шеремет представил участникам семинара еще одну новую разработку предприятия – IGBT-драйверы с супервизором питания, выполненные на компонентах АО «Ангстрем» и других отечественных предприятий. Драйверы выпускаются в вариантах для гражданского и специального применений.

Менеджер по развитию продукта АО "Ангстрем" О.М. Голик поделился опытом сотрудничества предприятия с отечественными и зарубежными партнерами, рассказал о схеме взаимодействия с заказчиками и пользователями продукции.

После завершения выступлений участники семинара познакомились с производством АО "Ангстрем". По итогам семинара состоялся круглый стол, на котором обсуждались актуальные вопросы, связанные с поставкой и особенностями применения новых изделий силовой электроники АО "Ангстрем".

Оригинал пресс-релиза на сайте Ангстрем

----

За новостями микроэлектроники и полупроводников удобно следить в телеграм-канале RUSmicro

теги: Ангстрем микроэлектроника силовая электроника IGBT