Микроэлектроника: Рынок силовых устройств на базе нитрида галлия вырастет до $1.5 млрд к 2024 году

02.10.2018, MForum.ru

---

© Алексей Бойко, MForum.ru

---

Публикации по теме:

24.05.2026. Миландр обеспечил импортзамещение ряда изделий, необходимых для отечественных БС 5G

15.05.2026. Рынок SiC и GaN в Китае демонстрирует интересные тренды

12.05.2026. Индийская Cyient выходит на рынок силовых GaN-полупроводников

14.04.2026. Intel выпустила тонкий чиплет с транзисторами из нитрида галлия (GaN)

10.03.2026. ROHM лицензирует GaN‑технологии у TSMC - новый этап в производстве силовых устройств

03.03.2026. В Сибири изучают возможности создания элементов памяти на квантовых точках

16.02.2026. Крупнейший в мире производитель полупроводников GaAs ожидает взрывной рост спроса на них

20.01.2026. Президенты Кореи и Италии договорились об укреплении сотрудничества в области ИИ и микроэлектроники

18.01.2026. Эволюция силовых полупроводников. Широкозонные материалы

18.01.2026. Изменения на рынке DAO - большие пластины, более широкий ассортимент

16.01.2026. Производство структур на пластинах – оценки и прогнозы PwC

11.01.2026. Переход на GaN-чипы на телекоммуникационном рынке

08.01.2026. Aegis Aerospace и United Semiconductors запускают коммерческое производство полупроводников в космосе

04.01.2026. Чипы на SiC и GaN на пластинах 200 и 300 мм - главные тренды 2025 года

01.01.2026. Орбитальное производство полупроводников – британская Space Forge получила плазму в условиях автономного коммерческого спутника

22.12.2025. Американская компания onsemi будет создавать GaN-технологии вместе с китайской

10.12.2025. Презентация НИИТМ "Отечественное технологическое оборудование для микроэлектроники. Кластеры ПХО, ПХТ"

30.11.2025. Китай обваливает мировые цены широкозонных полупроводников

25.06.2025. ERG планирует начать производство галлия в Казахстане с 2026 года

05.06.2025. GlobalFoundries увеличивает инвестиционные планы до $16 млрд