Микроэлектроника: Рынок силовых устройств на базе нитрида галлия вырастет до $1.5 млрд к 2024 году

02.10.2018, MForum.ru

---

© Алексей Бойко, MForum.ru

---

Публикации по теме:

10.03. ROHM лицензирует GaN‑технологии у TSMC - новый этап в производстве силовых устройств

03.03. В Сибири изучают возможности создания элементов памяти на квантовых точках

16.02. Крупнейший в мире производитель полупроводников GaAs ожидает взрывной рост спроса на них

20.01. Президенты Кореи и Италии договорились об укреплении сотрудничества в области ИИ и микроэлектроники

18.01. Эволюция силовых полупроводников. Широкозонные материалы

18.01. Изменения на рынке DAO - большие пластины, более широкий ассортимент

16.01. Производство структур на пластинах – оценки и прогнозы PwC

11.01. Переход на GaN-чипы на телекоммуникационном рынке

08.01. Aegis Aerospace и United Semiconductors запускают коммерческое производство полупроводников в космосе

04.01. Чипы на SiC и GaN на пластинах 200 и 300 мм - главные тренды 2025 года

01.01. Орбитальное производство полупроводников – британская Space Forge получила плазму в условиях автономного коммерческого спутника

22.12. Американская компания onsemi будет создавать GaN-технологии вместе с китайской

10.12. Презентация НИИТМ "Отечественное технологическое оборудование для микроэлектроники. Кластеры ПХО, ПХТ"

30.11. Китай обваливает мировые цены широкозонных полупроводников

25.06. ERG планирует начать производство галлия в Казахстане с 2026 года

05.06. GlobalFoundries увеличивает инвестиционные планы до $16 млрд

15.01. Axiom Space задумывается о производстве полупроводниковых материалов в космосе

11.03. Микроэлектроника в Японии

11.03. ROHM

22.02. В Китае выпустили мощный СВЧ-чип на базе алмаза для устройств РЭБ