Чиплет изготовлен на подложке GaN диаметром 300-мм с использованием запатентованного Intel процесса скрытого разделения и утонения.

Кроме того, компания впервые провела монолитную интеграцию силовых транзисторов GaN с цифровыми логическими схемами на кремниевой основе. За счет этого упрощена архитектура, не нужны дополнительные микросхемы, сокращаются требования к питанию.

Тесты производительности показывают, что транзисторы на основе GaN выдерживают напряжение до 78 В и обеспечивают радиочастотную отсечку, превышающую 300 ГГц, что соответствует требованиям высокочастотных коммуникационных приложений.

Интегрированная цифровая логика работает вплоть до скоростей переключения инвертора в 33 пс, причем стабильно по всей площади пластины - это обещает хороший потенциал массового производства.

За счет использования технологии GaN-on-Si 300 мм, решение Intel совместимо с существующей инфраструктурой производства полупроводников, что может значительно снизить производственные затраты и будет содействовать широкомасштабному внедрению.

--

теги: микроэлектроника технологии GaN чиплеты пластины 300 мм Intel

--