Радиочастотные (RF) используются в различной радиоаппаратуре в различных каскадах приемников и передатчиков. С появлением 5G в миллиметровом диапазоне требуются полупроводники, способные работать на частотах в десятки гигагерц, что превосходит возможности распространенной кремниевой технологии, но решается применением транзисторов на основе нитрида галлия (GaN) или арсенида галлия (GaAs).

В отличие от GaAs, GaN может одновременно работать с высокой мощностью и на высоких частотах, что делает этот материал идеально подходящим под специфические потребности разработчиков базовых станций. Мощные транзисторы на основе GaN востребованы также в оборонных применениях и в аэрокосмической отрасли.

По состоянию на 2025 год, хотя рост рынка телекоммуникационного оборудования 5G в развитых странах может замедлиться по мере зрелости этих технологий, глобальный потенциал роста останется значительным благодаря сохраняющемуся спросу на модернизацию существующих базовых станций.

Несмотря на то, что GaN RF-чипы дороже кремниевых аналогов, ожидается дальнейший рост рынка GaN. На долю этих изделий уже приходится более половины RF-чипов на рынке телекоммуникационного оборудования, а в ближайшем будущем она может достичь 90%.

Однако это не означает, что кремниевые RF-чипы можно заменить полностью. В приемопередатчиках усиление сигнала как правило осуществляется в несколько этапов, что делает более дешевые кремниевые чипы экономически эффективным выбором для приложений на более низких частотах.

по материалам отчета PwC “Semiconductor and Beyond”

--

За новостями наземного и спутникового телекома удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости телекома, новости искусственного интеллекта и ЦОД вы найдете в канале abloudRealTime, новости микроэлектроники можно найти в моем канале RUSmicro, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги: аналитика прогнозы сотовая связь GaN нитрид галлия микроэлектроника

--