Исследование было проведено в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Результаты опубликованы в The Journal of Physics and Chemistry of Solids.

"Новая технология в будущем позволит улучшить характеристики памяти: повысить время хранения информации в энергонезависимом режиме, увеличить количество циклов перезаписи, поднять скорость работы. Это в конечном итоге приблизит ученых к созданию универсальной памяти", - говорится в сообщении.

Квантовые точки в лаборатории института формируют с помощью процессов МЛЭ (молекулярно-лучевой эпитаксии). В вакуумированной камере, где размещается подложка и нагреватель, испаряются алюминий и галлий. Также на подложку должны попасть азот, фосфор и сурьма. При определенных условиях, образующиеся полупроводниковые соединения собираются в нанокристаллы.

"Внимание группы новосибирских ученых под руководством Демида Суада Абрамкина в данный момент сосредоточено на системе самоорганизованных GaN квантовых точек в матрице AlN. Расчеты, опубликованные в статье 2025 года, показали, что эти объекты характеризуются весьма высокой энергией локализации электронов (1,5 эВ и выше). Этого вполне достаточно для энергонезависимого хранения заряда в течение десяти лет".

Тематике квантовых точек в последнее время посвящается множество публикаций, буквально ежедневно выходят новые. ||

--

теги: микроэлектроника горизонты технологий научные исследования квантовые точки doi.org/10.1016/j.jpcs.2025.112945

--