MForum.ru
10.03.2026,
Японская компания ROHM объявила о получении лицензии на производство на основе нитрида галлия (GaN) от тайваньского гиганта TSMC. В рамках соглашения компания планирует интегрировать собственные разработки и производственный опыт в области силовых устройств на GaN с отработанными технологическими процессами TSMC - это должно повысить производительность и надежность компонентов. К 2027 году ROHM намерена создать собственную производственную линию на заводе в Хамамацу, префектура Сидзуока, Япония. Запуск производства запланирован на 2027 год — это соответствует стратегическим планам компании по наращиванию доли на рынке силовых полупроводников.
Японцам из ROHM тема интересна, поскольку в мире идет последовательный рост спроса на высокоэффективные силовые полупроводники, прежде всего от производителей ИИ‑серверов для ИИ-ЦОД, производителей электромобилей, систем возобновляемой энергетики, оборудования инфраструктуры сетей 5G/6G.
Почему наблюдается такой интерес GaN
Нитрид галлия (GaN) принято считать перспективным материалом для силовых полупроводников, в силу того, что GaN компоненты как правило компактнее кремниевых при той же мощности. Высокая подвижность носителей заряда в этом материале позволяет сделанным на его основе приборам работать на более высоких частотах. GaN выдерживает более высокие температуры, что важно и даже критично для автомобильных и промышленных применений.
Сделка соответствует одной из нескольких новых стратегий TSMC
Ранее компания TSMC объявила о постепенном выходе из контрактного производства GaN‑решений, которое официально прекратится 31 июля 2027 года. Вместо этого TSMC переходит на модель лицензирования технологий. Решение принято в силу ряда причин. В частности, TSMC концентрируется на передовых техпроцессах для логики и памяти (5 нм, 3 нм и меньше), где её позиции наиболее сильны. Лицензирование позволяет избежать прямого соперничества с партнёрами в нише силовых полупроводников. Модель лицензирования обещает компании стабильный доход от передачи технологий без капитальных вложений в специализированные линии.
ROHM — не первый партнёр TSMC в рамках новой стратегии. Ранее аналогичные соглашения подписали американская GlobalFoundries и тайваньская Vanguard International Semiconductor (VIS). Первая ориентирована на автопром и промышленные приложения, вторая - на блоки питания и зарядные устройства.
Какие можно ожидать последствия для рынка и для ROHM
Очевидно, вырастет конкуренция на рынке GaN, это может снизить цены (или хотя бы не дать им расти) и будет стимулировать дальнейшие технологические изыски. Будет больше вариантов для диверсификации цепочек поставок, впрочем, все перечисленные компании - это "западный блок". Можно ожидать улучшения показателей энергоэффективности серверов, это важно для всех, учитывая спрос на ИИ-сервера и нехватки электроэнергии.
Для японской ROHM это часть стратегии по укреплению позиций в сегменте силовых полупроводников. ROHM уже имеет опыт работы с карбидом кремния (SiC) и теперь дополняет портфель GaN‑продуктами.
--
теги: микроэлектроника рынок GaN лицензирование технологий TSMC ROHM
--
Публикации по теме:
08.05. Китай одобрил выделение спектра в диапазоне 6 ГГц для испытаний 6G
08.05. Кремниевые осцилляторы вместо кубитов - корейский путь к сверхбыстрым вычислениям
08.05. Канадский центр фотонного производства "приватизируют"
08.05. Intel передала студентам Вьетнама оборудование для сборки и тестирования микросхем
08.05. Huawei расширяет «офлайн-звонки»
08.05. Билайн в Тюменской области - покрытие 4G и домашний интернет расширены в восьми жилых комплексах
08.05. МегаФон в Оренбургской области - мобильный интернет ускорен в Бугуруслане
07.05. SpaceX представила планы строительства Terafab в Техасе с оценкой стоимости в $55 млрд
07.05. OpenAI завершила формирование совместного предприятия DeployCo с группой фондов прямых инвестиций
07.05. МТС запустил переводы для физлиц на кошельки WeChat Pay без комиссии
07.05. Билайн в Удмуртской республике - покрытие 4G обеспечено indoor-оборудованием в 4 ТЦ Ижевска
07.05. МТС в Якутии - сеть LTE усилена в районе строительства Ленского моста
06.05. Индия дозрела до собственной низкоорбитальной группировки
08.05. OnePlus Nord CE6 Lite с 7000 мАч, 144 Гц LCD и Dimensity 7400 Apex представлен официально
08.05. OnePlus Nord CE6 с АКБ 8000 мАч, AMOLED-экраном 144 Гц и Snapdragon 7s Gen 4 представлен официально
07.05. Honor Play 11 Plus – 7000 мАч, 120 Гц AMOLED и Dimensity 6500 Elite за $320
07.05. Honor Play 70C – Helio G81 Ultra, 5300 мАч и Android 15 за $90
06.05. Honor Play 80 Plus – 7500 мАч, Snapdragon 4 Gen 4 и AI-кнопка за $249
06.05. Samsung Galaxy S27 Ultra получит переменную диафрагму в основной камере?
06.05. Samsung Galaxy A27 – круглый вырез камеры, Snapdragon 6 Gen 3 и 12 МП фронталка
05.05. Xiaomi Smart Band 10 Pro – 1.74" AMOLED, алюминиевый корпус и 21 день работы
05.05. iQOO 15T – 200 МП камера, 8000 мАч, 100 Вт и Dimensity 9500
05.05. Lenovo Legion Y70 (2026) – 2K-экран, 8000 мАч и SD 8 Gen 5
04.05. 7 мая представят Huawei Nova 15 Max – 8500 мАч, 50 МП RYYB и AMOLED
04.05. Moto G47 – 108 МП камера, FHD+ 120 Гц, Dimensity 6300 и защита MIL-STD-810H
04.05. iPhone Pro (2027) –изогнутый с 4-х сторон экран и подэкранная камера?
30.04. Tecno Spark 50 Pro 5G – Helio G100 Ultimate, 60 Вт и дизайн от Pova Curve 2
30.04. Официальные рендеры Moto G87 раскрывают 200 МП камеру, OLED-экран и дизайн как у G86
29.04. Poco C81 Pro – 6.9" 120 Гц, 6000 мАч и Unisoc T7250 за $99
29.04. Vivo TWS 5i – 50 часов работы, DeepX 3.0 и Bluetooth 5.4 за 17 долларов
29.04. Vivo Y600 Pro получил АКБ 10 200 мАч с зарядкой 90 Вт и IP69 при толщине 8.25 мм
29.04. Vivo Y600 Pro получил АКБ 10 200 мАч с зарядкой 90 Вт и IP69 при толщине 8.25 мм
28.04. Huawei Mate XT 2 – тройной складной смартфон с Kirin 9050 Pro и батареей 6000+ мАч