АО "Зеленоградский нанотехнологический центр" и НИУ МИЭТ разрабатывают технологии работы с GaN и готовит соответствующую инфраструктуру для производства кристаллов транзисторов на основе гетероструктур нитрида галлия для изготовления силовой и СВЧ электроники. Завершен один из этапов проекта: закончено строительство участка и монтаж оборудования, участок ввели в эксплуатацию. Об этом сообщает сайт компании.

В России пока что отсутствует серийное производство электронных компонентов на базе GaN. АО ЗНТЦ и НИУ МИЭТ уже несколько лет занимаются разработками технологии и формированием инфраструктуры, которая позволит производить кристаллы GaN транзисторов на пластинах 150мм для изготовления силовой и СВЧ электроники.

Ввод в эксплуатацию отдельного производственного участка с полной автономностью, независимого от основного производства, позволит перейти к серийному изготовлению изделий на пластинах GaN.

В планах компаний - до конца 2022 года перейти к серийному выпуску микроэлектроники на базе GaN по базовым технологиям, а в 2024 году запустить производство приборов СВЧ МИС Ka и V диапазонов.

Будет, в частности, налажено производство высоковольтных HEMT-транзисторов, СВЧ-транзисторов, СВЧ МИС, приемо-передающих модулей силовой электроники и СВЧ приемо-передающих модулей.

Вопросы, на которые пресс-релиз не отвечает — пластины GaN 150мм российского производства или закупаются по импорту? Какие объемы выпуска планируются после запуска серийного производства?

В любом случае, важная и хорошая новость. Спрос на изделия GaN может быть и у российских производителей оборудования 5G.

👉 Участники российского рынка GaN

--

За новостями микроэлектроники удобно следить в телеграм-канале RUSmicro, также подключайтесь к Сообществу RUSmicro в VK

теги: микроэлектроника GaN ЗНТЦ НИУ МИЭТ