Технология обещает рост производительности примерно на 50 % и энергоэффективности - на 70 % по сравнению с чипами, выполненными по 2‑нм техпроцессу. Производителям памяти решение обещает возможность масштабировать SRAM на 40% при сохранении высокой пропускной способности, критически важной для задач искусственного интеллекта.

Что такое «наностек»-архитектура?

«3D наностек‑архитектура» представляет собой трёхмерную конструкцию на базе вертикально размещённых и смещённых относительно друг друга нанолистов‑транзисторов. Такая компоновка не только существенно повышает плотность размещения элементов на полупроводниковой пластине, но и даёт гибкость в подборе материалов для разных слоев: это позволяет индивидуально оптимизировать производительность и энергопотребление отдельных транзисторов.

((картинки - компании IBM))

((картинка - компании IBM))

В качестве подтверждения работоспособности подхода специалисты IBM создали КМОП‑инвертор с ожидаемыми характеристиками переключения. 

Над развитием технологии IBM работает совместно с партнёрами - Lam Research, Tokyo Electron и Screen Semiconductor Solution - на площадке в Олбани, Нью-Йорк. В ближайшее время там планируется установка литографического оборудования ASML High NA, которое должно поддержать дальнейшее развитие перспективных техпроцессов.
 

-- 

✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК

--

теги: микроэлектроника субнаномикронные ангстремные 7А 3D-наностек IBM горизонты технологий

--