Микроэлектроника: Инженеры USC создали чип памяти, работающий при температуре 700 °C

MForum.ru

Микроэлектроника: Инженеры USC создали чип памяти, работающий при температуре 700 °C

13.04.2026, MForum.ru

Группа исследователей под руководством профессора Джошуа Янга (Joshua Yang) из Университета Южной Калифорнии (USC) совершила прорыв в области высокотемпературной электроники. Как сообщается в официальном релизе университета, им удалось создать энергонезависимый чип памяти (мемристор), который стабильно работает при температуре 700 °C.


✦ Снятие 200-градусного барьера

Все современные кремниевые чипы имеют критическое ограничение - они начинают выходить из строя при нагреве выше 200 °C. Этот "тепловой потолок" десятилетиями сдерживает развитие вычислительных систем для экстремальных условий, таких как космические миссии, реакторы и бурение сверхглубоких скважин.

Чип, выполненный по новой технологии, не просто выдерживает высокую температуру - он сохраняет функциональность, что в теории позволит размещать вычислительные мощности непосредственно в зонах, где традиционная электроника мгновенно выходит из строя.

✦ Архитектура

Ученые разработали мемристор, основанный на трехслойной структуре:

  • Верхний электрод из вольфрама (самый тугоплавкий материал)
  • Промежуточный слой - керамика из оксида гафния, диэлектрик
  • Нижний электрод - графен, монослой из углерода

В обычных чипах при нагреве все больше атомов металла начинает проникать через изолирующий слой, что в конечном итоге может привести к короткому замыканию. Команда USC обнаружила, что графен создает барьер, который не позволяет атомам вольфрама закрепляться на его поверхности.

"Это похоже на смешивание масла и воды, - поясняет профессор Янг. -Атомы вольфрама просто не могут прикрепиться к графену, поэтому они мигрируют дальше, не создавая проводящего моста".

✦ Чего удалось добиться

  • Сохранение данных более 50 часов при 700 °C без необходимости обновления;
  • Стойкость к износу - устройство выдержало более 1 миллиарда циклов переключения;
  • Энергоэффективность - работает при напряжении всего 1,5 В;
  • Быстродействие - наносекундные скорости переключения

По заявлению ученых, 700 °C - это вовсе не предел возможностей вольфрам-керамо-графенового «сендвича».

✦ Чего и когда можно ожидать

Конечно, как обычно, когда речь идет о научных разработках, вряд ли мы увидим серийную продукцию уже в 2026 года. Но в перспективе эта находка существенно расширить возможности микроэлектроники для космоса (например,

создание ИИ на орбите), а также геотермальной, атомной и в перспективе термоядерной энергетики. В автопроме такие чипы могут оказаться неубиваемыми, работая при штатных 125 °C в моторном отсеке.

С одной стороны, ждать быстрых внедрений не приходится. С другой стороны, все перечисленные материалы уже используются в полупроводниковой промышленности, что упростит путь к коммерческому применению технологии.

DOI: 10.1126/science.aeb9934 (за пейволом)

--

теги: микроэлектроника горизонты технологий высокотемпературные полупроводники

--

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

24.03. Норвежский стартап Lace Lithography привлек $40 млн на литографию с атомарным разрешением

19.03. Южнокорейские ученые подтвердили возможность длительной работы ИИ-чипов в условиях космической радиации

16.03. Бесшовный фотонный интерфейс чип-окружающая среда: прорывы 2025–2026 годов

12.03. UMC и HyperLight объединили усилия для массового производства чиплетов на основе TFLN

12.03. IBM и Lam Research объединяют усилия для разработки логики суб-1 нм

10.03. Потери света в фотонных чипах приближены к показателям оптоволокна

07.03. В Новосибирске разработали устройство, позволяющее исследовать оптические свойства материалов для микроэлектроники терагерцевых частот

04.03. Nvidia готовит процессор для инференса на базе технологий Groq, OpenAI станет якорным клиентом

03.03. В Сибири изучают возможности создания элементов памяти на квантовых точках

27.02. В Пекинском университете создали лабораторный прототип транзистора FeFET с графеновым затвором длиной 1нм

24.02. ASML добилась удвоения мощности источника света в EUV-машинах

24.02. В 2026 году в России может появиться фотолитограф нового поколения?

17.02. В Европе разработали новый класс полупроводников на базе GeSn

09.02. Интерфейс «мозг-компьютер» (ИМК) и влияние этого сегмента на рынок микроэлектроники

11.01. Учёные МФТИ открыли путь к лазерам на алмазах

01.01. Орбитальное производство полупроводников – британская Space Forge получила плазму в условиях автономного коммерческого спутника

07.11. Ученые создали метод сборки 2D-полупроводников с контролем на атомарном уровне

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 2 ms, lookup=0 ms, find=2 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:


Колонка редактора

04.05. Ловушка "вайбкодинга" и чего ждать в плане цен на доступ к ИИ

04.05. Информагентство «Россия сегодня» развернуло локальную ИИ инфраструктуру на базе серверов Yadro

04.05. Huawei ожидает, что выручка от ИИ-чипов в 2026 году вырастет, минимум, на 60%

04.05. МТС в Воронежской области - сеть LTE расширена отечественными базовыми станциями

04.05. МегаФон в Республике Бурятия - покрытие 4G расширено новыми базовыми станциями в сёлах Мостовка и Зырянск

03.05. Созвездие Amazon Leo стало расти быстрее – взят барьер в 300 КА на орбите

01.05. В интересах безопасности…

30.04. Рынок платного ТВ в 2025 году показал рост на фоне блокировок мобильного интернета

30.04. Китайская Lightelligence провела IPO и оценена в 77.9 млрд гонконгских долларов

30.04. Прямая запись углеродных проводников на стеклянных подложках ускорит внедрение совместной упаковки оптики

30.04. Британская EE подключила к сети 5G+ более 50 млн человек

30.04. "Билайн бизнес" представил проект решения для управления горными работами pLTE/5G

30.04. МТС в Омской области - покрытие LTE улучшено рефармингом на юге региона

29.04. Разработку САПР под техпроцессы до 90 нм профинансирует Минпромторг

29.04. В Москве на майские праздники планируют отключения интернета

Все статьи >>


Новости

04.05. 7 мая представят Huawei Nova 15 Max – 8500 мАч, 50 МП RYYB и AMOLED

04.05. Moto G47 – 108 МП камера, FHD+ 120 Гц, Dimensity 6300 и защита MIL-STD-810H

04.05. iPhone Pro (2027) –изогнутый с 4-х сторон экран и подэкранная камера?

30.04. Tecno Spark 50 Pro 5G – Helio G100 Ultimate, 60 Вт и дизайн от Pova Curve 2

30.04. Официальные рендеры Moto G87 раскрывают 200 МП камеру, OLED-экран и дизайн как у G86

29.04. Poco C81 Pro – 6.9" 120 Гц, 6000 мАч и Unisoc T7250 за $99

29.04. Vivo TWS 5i – 50 часов работы, DeepX 3.0 и Bluetooth 5.4 за 17 долларов

29.04. Vivo Y600 Pro получил АКБ 10 200 мАч с зарядкой 90 Вт и IP69 при толщине 8.25 мм

29.04. Vivo Y600 Pro получил АКБ 10 200 мАч с зарядкой 90 Вт и IP69 при толщине 8.25 мм

28.04. Huawei Mate XT 2 – тройной складной смартфон с Kirin 9050 Pro и батареей 6000+ мАч

28.04. Geekbench раскрыл детали о Xiaomi 17T – Dimensity 8500, 12 ГБ RAM и Android 16

28.04. Vivo Y500s – 7200 мАч, IP68/IP69 и 50 МП камера за 265 долларов

27.04. Poco C81 и C81x – два бюджетных 4G-смартфона с 120 Гц, большими батареями и ценой от 105 долларов

27.04. Infinix GT 50 Pro – игровые триггеры, Dimensity 8400 Ultimate и жидкостное охлаждение за 406 долларов

27.04. Vivo Y6 5G – 7200 мАч, 120 Гц, "дышащий свет" и защита IP69 за 225 евро

24.04. Honor 600 и 600 Pro – 200 МП камера, IP69K и дизайн в стиле iPhone 17 Pro

24.04. Poco M8s 5G – 7000 мАч, 144 Гц и Snapdragon 6s Gen 3 за $189

24.04. iPhone 18 получит дисплей M12+, как у iPhone 14 Pro, а Pro-версии — новый M16

23.04. OnePlus Watch 4 – титановый корпус, Wear OS 6 и 16 дней работы

23.04. Motorola Edge 70 Pro – 6500 мАч, 90 Вт, три 50 МП камеры и защита IP69