Микроэлектроника: Инженеры USC создали чип памяти, работающий при температуре 700 °C

MForum.ru

Микроэлектроника: Инженеры USC создали чип памяти, работающий при температуре 700 °C

13.04.2026, MForum.ru

Группа исследователей под руководством профессора Джошуа Янга (Joshua Yang) из Университета Южной Калифорнии (USC) совершила прорыв в области высокотемпературной электроники. Как сообщается в официальном релизе университета, им удалось создать энергонезависимый чип памяти (мемристор), который стабильно работает при температуре 700 °C.


✦ Снятие 200-градусного барьера

Все современные кремниевые чипы имеют критическое ограничение - они начинают выходить из строя при нагреве выше 200 °C. Этот "тепловой потолок" десятилетиями сдерживает развитие вычислительных систем для экстремальных условий, таких как космические миссии, реакторы и бурение сверхглубоких скважин.

Чип, выполненный по новой технологии, не просто выдерживает высокую температуру - он сохраняет функциональность, что в теории позволит размещать вычислительные мощности непосредственно в зонах, где традиционная электроника мгновенно выходит из строя.

✦ Архитектура

Ученые разработали мемристор, основанный на трехслойной структуре:

  • Верхний электрод из вольфрама (самый тугоплавкий материал)
  • Промежуточный слой - керамика из оксида гафния, диэлектрик
  • Нижний электрод - графен, монослой из углерода

В обычных чипах при нагреве все больше атомов металла начинает проникать через изолирующий слой, что в конечном итоге может привести к короткому замыканию. Команда USC обнаружила, что графен создает барьер, который не позволяет атомам вольфрама закрепляться на его поверхности.

"Это похоже на смешивание масла и воды, - поясняет профессор Янг. -Атомы вольфрама просто не могут прикрепиться к графену, поэтому они мигрируют дальше, не создавая проводящего моста".

✦ Чего удалось добиться

  • Сохранение данных более 50 часов при 700 °C без необходимости обновления;
  • Стойкость к износу - устройство выдержало более 1 миллиарда циклов переключения;
  • Энергоэффективность - работает при напряжении всего 1,5 В;
  • Быстродействие - наносекундные скорости переключения

По заявлению ученых, 700 °C - это вовсе не предел возможностей вольфрам-керамо-графенового «сендвича».

✦ Чего и когда можно ожидать

Конечно, как обычно, когда речь идет о научных разработках, вряд ли мы увидим серийную продукцию уже в 2026 года. Но в перспективе эта находка существенно расширить возможности микроэлектроники для космоса (например,

создание ИИ на орбите), а также геотермальной, атомной и в перспективе термоядерной энергетики. В автопроме такие чипы могут оказаться неубиваемыми, работая при штатных 125 °C в моторном отсеке.

С одной стороны, ждать быстрых внедрений не приходится. С другой стороны, все перечисленные материалы уже используются в полупроводниковой промышленности, что упростит путь к коммерческому применению технологии.

DOI: 10.1126/science.aeb9934 (за пейволом)

--

теги: микроэлектроника горизонты технологий высокотемпературные полупроводники

--

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

03.06.2026. Ученые из Японии и США разработали кремниевый спинтронный p-бит

13.05.2026. «Вечный двигатель» или научный прорыв? Экс-сотрудник NASA привлёк $12 млн на чип, работающий "от квантового вакуума"

08.05.2026. Кремниевые осцилляторы вместо кубитов - корейский путь к сверхбыстрым вычислениям

28.04.2026. Samsung представила кристалл DRAM, созданный по техпроцессу менее 10-нм

26.04.2026. Imec интегрировал модуляторы из ниобата и танталата лития на платформу кремниевой фотоники

24.03.2026. Норвежский стартап Lace Lithography привлек $40 млн на литографию с атомарным разрешением

19.03.2026. Южнокорейские ученые подтвердили возможность длительной работы ИИ-чипов в условиях космической радиации

16.03.2026. Бесшовный фотонный интерфейс чип-окружающая среда: прорывы 2025–2026 годов

12.03.2026. UMC и HyperLight объединили усилия для массового производства чиплетов на основе TFLN

12.03.2026. IBM и Lam Research объединяют усилия для разработки логики суб-1 нм

10.03.2026. Потери света в фотонных чипах приближены к показателям оптоволокна

07.03.2026. В Новосибирске разработали устройство, позволяющее исследовать оптические свойства материалов для микроэлектроники терагерцевых частот

04.03.2026. Nvidia готовит процессор для инференса на базе технологий Groq, OpenAI станет якорным клиентом

03.03.2026. В Сибири изучают возможности создания элементов памяти на квантовых точках

27.02.2026. В Пекинском университете создали лабораторный прототип транзистора FeFET с графеновым затвором длиной 1нм

24.02.2026. ASML добилась удвоения мощности источника света в EUV-машинах

24.02.2026. В 2026 году в России может появиться фотолитограф нового поколения?

17.02.2026. В Европе разработали новый класс полупроводников на базе GeSn

09.02.2026. Интерфейс «мозг-компьютер» (ИМК) и влияние этого сегмента на рынок микроэлектроники

11.01.2026. Учёные МФТИ открыли путь к лазерам на алмазах

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 2 ms, lookup=0 ms, find=2 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:


Колонка редактора

12.09. ASML раскрыла дорожную карту литографии: после High-NA последует Hyper-NA с апертурой 0,75

11.09. АО «Трамплин Холдинг» вложилась в дизайн-центр Malt System

11.09. МегаФон запустил в России сеть 5G

11.09. Билайн запустил 5G с увеличением скорости мобильного интернета в зоне покрытия до 30%

11.09. Т2 о запуске сети 5G в России

11.09. МТС открыла абонентам скоростную гигабитную сеть в 5 городах и включила 5G на частотах LTE

11.09. Минцифры объявило о запуске 5G в России в 16 городах

11.09. Сети NTN 5G и спутниковая подключенность - взгляд GSA

10.09. Ericsson развернула p5G в аэропорту США

10.09. MWS Cloud: ритейл стал лидером по потреблению услуг резервного копирования

09.09. Дата-центры снижают долю использования воздушного охлаждения в пользу жидкостных методов

09.09. CXMT начала массовый выпуск LPDDR6 - китайский производитель догоняет лидеров

09.09. Qualcomm заключает сделку с Amazon о разработке кастомных ИИ-чипов

09.09. «Иду спать, дальше сам»: Siemens EDA представила ИИ-агента с самопроверкой для верификации чипов

09.09. ARATAS представила высоковольтное реле в стандартном 6-пиновом DIP-корпусе

Все статьи >>


Новости

11.09. HMD возрождает бренд Asha - представлен бюджетный смартфон Asha 30

11.09. Apple представила AirPods 5 – улучшенное шумоподавление и Live Translation

11.09. Apple представила Watch Series 12 и Watch Ultra 4 – новый чип S11 и рекордная автономность

10.09. Apple представила iPhone 18 Pro и 18 Pro Max: 2-нм чип A20 Pro и камера с переменной диафрагмой

10.09. Apple iPhone Duo – первый складной смартфон Apple оценен в $1999

10.09. Realme представит 16 Pro и Buds T500 Pro в стилистике вселенной Гарри Поттера

10.09. Tecno Camon Slim 5G получил корпус толщиной 6.39 мм, 144 Гц AMOLED-экран и АКБ 6000 мАч

09.09. Xiaomi Pad 9 Pro Max – флагманский планшет на Xring O3 с 13.3" 144 Гц и 12000 мАч

09.09. Oppo A7 Pro с АКБ 8000 мАч, зарядкой 45 Вт и ценой от $330 представлен в Китае

09.09. Infinix Xpad 30 Pro с 2.5K-экраном и АКБ 8200 мАч представлен глобально

08.09. Samsung Galaxy A07s – доступный смартфон с шестью годами обновлений

08.09. Xplora Go Pad – планшет для детей с упором на родительский контроль

08.09. Появилась информация дизайне и характеристиках Poco C95 Pro 4G

07.09. Xiaomi Smart Band 11 стал ярче, тоньше и дольше работает

07.09. Oppo A7 Pro с АКБ 8000 мАч, IP69K и AI-защитой замечен в официальном листинге

07.09. Motorola Edge 70 Plus с 200 МП камерой и АКБ 6500 мАч представлен в Европе

07.09. Poco X8 Power с АКБ 10 000 мАч, зарядкой 100 Вт и защитой IP69 представлен в Индии

05.09. Lenovo Yoga Tab Gen 2 и Plus Gen 2 – экран 4K@144 Гц, 7 лет обновлений и AI-функции

04.09. Poco F9 Pro с экраном 10 000 нит при 185 Гц и АКБ 6330 мАч дебютировал глобально

03.09. Poco X8 с AMOLED-экраном 1.5K@120 Гц и защитой IP69 представлен глобально