Микроэлектроника: Потери света в фотонных чипах приближены к показателям оптоволокна

MForum.ru

Микроэлектроника: Потери света в фотонных чипах приближены к показателям оптоволокна

10.03.2026, MForum.ru


Исследователи Калифорнийского технологического института (Caltech) разработали технологию фотонных чипов с низкими потерями при передаче света в диапазоне от видимого спектра до телекоммуникационных длин волн. Работа опубликована в журнале Nature.

Ключевой показатель - потери света в новом фотонном чипе составляют менее 0,1 дБ/м в широком диапазоне длин волн: от 458 нм (синий спектр) до 1550 нм (телекоммуникационный диапазон). Этот результат сопоставим с показателями стандартного телекоммуникационного оптоволокна. В кольцевых резонаторах, изготовленных по новой технологии, достигнута оптическая добротность более 180 млн на всех измеренных длинах волн.

 

 

Как этого добились

Достижение стало возможным благодаря применению CMOS-совместимого процесса производства на основе германосиликата (легированного германием кварцевого стекла) того же материала, который используется для сердцевины оптоволоконных кабелей.

Ученые адаптировали стандартный литографический процесс для формирования наноразмерных волноводов на поверхности 8- и 12-дюймовых кремниевых пластин. Волноводы выполнены в форме спиралей, что позволяет свету проходить большой оптический путь на малой площади кристалла.

Благодаря сравнительно низкой температуре плавления германосиликата, исследователи применяют процесс «reflow» (оплавление) в печи, за счет чего поверхность волноводов сглаживается до неровностей атомарного уровня. Это подавляет рассеяние, характерное для "традиционных" схем кремниевой фотоники. 

Основные преимущества

Технология совместима с действующими CMOS-линиями и не требует высокотемпературного отжига (как нитрид кремния, которому для отжига требуются температуры >1000°C), что позволяет интегрировать фотонные схемы и традиционную микроэлектронику (back-end-of-line).

Работа в диапазоне от синего до телекоммуникационных длин волн расширяет возможности применения, включая атомные операции для оптических часов и сенсоров.

На видимых длинах волн новая платформа превосходит нитрид кремния в 20 раз, заявляют ученые.

Не только теория

Исследователи создали несколько рабочих устройств на новой платформе:

Устройство размером в несколько миллиметров преобразует недорогие многомодовые диодные лазеры в узкополосные лазеры с шириной линии 10 Гц. Достигнуто более чем 100-кратное (20 dB) увеличение когерентности по сравнению с предыдущими результатами в синем, зеленом и красном диапазонах. Также созданы дисперсионно-инженерные солитонные микрогребенки и лазеры Бриллюэна, усиленные одновременным оптическим и акустическим ограничением.

Что еще обещает сделать возможным новая технология

  • Создание компактных фотонных квантовых компьютеров и квантовых сетей
  • Снижение энергопотребления серверной инфраструктуры
  • Создание улученных систем биомедицинской визуализации, использующих видимый свет
  • Создание легких дисплеев дополненной реальности с высоким разрешением
  • Создание портативных систем точного времени и навигации, не требующих GPS

Исследователи продолжают совершенствовать технологию, планируя дальнейшее снижение потерь и интеграцию активных компонентов (лазеров, усилителей, электрооптических устройств) непосредственно на чип для создания полных фотонных систем для портативных часов, квантовых технологий и сенсорных применений. В числе поддерживающих разработку организаций - DARPA и ВВС США.

--

теги: микроэлектроника горизонты технологий кремниевая фотоника германосиликат наука научные разработки

--

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

16.03. Бесшовный фотонный интерфейс чип-окружающая среда: прорывы 2025–2026 годов

12.03. UMC и HyperLight объединили усилия для массового производства чиплетов на основе TFLN

12.03. IBM и Lam Research объединяют усилия для разработки логики суб-1 нм

07.03. В Новосибирске разработали устройство, позволяющее исследовать оптические свойства материалов для микроэлектроники терагерцевых частот

04.03. Nvidia готовит процессор для инференса на базе технологий Groq, OpenAI станет якорным клиентом

03.03. В Сибири изучают возможности создания элементов памяти на квантовых точках

27.02. В Пекинском университете создали лабораторный прототип транзистора FeFET с графеновым затвором длиной 1нм

24.02. ASML добилась удвоения мощности источника света в EUV-машинах

24.02. В 2026 году в России может появиться фотолитограф нового поколения?

17.02. В Европе разработали новый класс полупроводников на базе GeSn

09.02. Интерфейс «мозг-компьютер» (ИМК) и влияние этого сегмента на рынок микроэлектроники

11.01. Учёные МФТИ открыли путь к лазерам на алмазах

01.01. Орбитальное производство полупроводников – британская Space Forge получила плазму в условиях автономного коммерческого спутника

07.11. Ученые создали метод сборки 2D-полупроводников с контролем на атомарном уровне

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 1 ms, lookup=0 ms, find=1 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:


Колонка редактора

15.04. Билайн увеличил пропускную способность для российских видеосервисов

15.04. Rubetek расширяет производственные мощности в Орле

15.04. МТС в Забайкальском крае - покрытие LTE обеспечено базовой станцией в селе Конкино

15.04. Начало тренда - американский стартап Orbital намерен создать в космосе сеть ИИ-дата-центров

15.04. Amazon объявила о покупке Globalstar – чего можем ждать с учетом этой сделки

15.04. МегаФон в Красноярском крае - покрытие LTE расширено новыми базовыми станциями в Дивногорске и Усть-Мане

15.04. МТС в Томской области - зона покрытия LTE расширена новыми базовыми станциями в пригороде Томска

14.04. Разработчик офисного ПО «Мойофис» нарастил чистый убыток с 1.2 млрд до 4 млрд

14.04. Выход годных по техпроцессу 2нм у Samsung остается на уровне не выше 55%

14.04. Intel выпустила тонкий чиплет с транзисторами из нитрида галлия (GaN)

14.04. Микрон и Ангстрем объединят усилия в подготовке инженерных кадров

14.04. МегаФон в Смоленской области - покрытие LTE расширено дополнительным оборудованием на трассе М-1

14.04. Китайская YMTC строит еще три завода, чтобы удвоить производство чипов памяти

14.04. Компания Yadro представила 5-ю версию Суприм – системы централизованного управления, инвентаризации и мониторинга ИТ-инфраструктуры

14.04. Telegram в России получит еще одну отсрочку?

Все статьи >>


Новости

15.04. Motorola Razr 70 Ultra получит Snapdragon 8 Elite и батарею на 6% больше

15.04. Tecno Spark 50 4G – Helio G81, 7000 мАч и связь без сети за 1.5 км

15.04. T1 Phone от Trump Mobile – $499 за AMOLED 120 Гц и Snapdragon 7

14.04. Redmi A7 Pro 5G – HyperOS 3, Unisoc T8300 и 6300 мАч за 11 499 рупий

14.04. Oppo Pad Mini с 8.8-дюймовым OLED-экраном 144 Гц и Snapdragon 8 Gen 5 представят 21 апреля

14.04. Rollme G9 – умные часы с офлайн-картами, двухдиапазонным GNSS и весом 32 грамма

13.04. Realme Narzo 100 Lite 5G – 7000 мАч "Titan Battery", 144 Гц и Dimensity 6300 за 13 000 рупий

13.04. CMF Phone 3 Pro получит Snapdragon 7s Gen 4 и металлическую рамку

13.04. Анонс Huawei Pura 90 Pro ожидается 20 апреля

10.04. Realme C100 4G – в000 мАч, IP69K и Helio G92 Max за 292 доллара

10.04. AI+ Nova 2 и Nova 2 Ultra – два подхода к бюджетному сегменту в Индии

10.04. Oppo A6s Pro – OLED, 7000 мАч, 80 Вт и Dimensity 6300

09.04. Moto Pad 2026 – 2.5K-экран, 5G и четыре динамика за 250 долларов

09.04. Motorola Moto G Stylus (2026) – стилус с наклоном, защита IP69 и AMOLED за 500 долларов

08.04. Oppo A6k с АКБ 7000 мАч, экраном 120 Гц и Dimensity 6300 оценен 290 долларов

08.04.  Tecno наконец раскрыла график обновления до Android 16 — с опозданием на поколение

08.04. Представлен Realme C100 5G с АКБ 7000 мАч, 144 Гц экраном и Dimensity 6300 за 215 долларов

07.04. Oppo F33 Pro 5G – IP69K, 50 МП фронталка и батарея 7000 мАч за 35 000 рупий

07.04. Redmi A7 Pro 5G с батареей 6300 мАч и Circle to Search выходит в Индии

06.04. Vivo T5 Pro с АКб 9020 мАч – "ультимативная мощь" или маркетинг?