MForum.ru
07.11.2025,
Новый метод прямого соединения-разъединения решает одну из ключевых проблем в создании электронных устройств на основе 2D-материалов без ухудшения их свойств при сборке в гетероструктуры
Исследователи из Массачусетского технологического института (MIT), Национального университета Сингапура (NUS) и Тайваньского университета Цинь Хуа разработали метод прямого соединения-разъединения (direct bonding–debonding) для создания стекированных гетероструктур из двумерных полупроводников на уровне целых пластин (wafer-scale). Об этом рассказывает Nature.
Технология обеспечивает точный контроль над двумя критически важными параметрами: количеством слоев и углом их скручивания (twist angle), что позволяет программировать электронные свойства материала.
Ключевое преимущество метода — получение чистых интерфейсов без загрязнений. Процесс проходит в вакууме без использования полимеров, что сохраняет высокую подвижность носителей заряда — свойство, которое обычно деградирует при стандартных методах переноса.
Разработка решает одну из главных проблем коммерциализации 2D-материалов — создание высококачественного затворного стека (gate stack). Метод совместим с современными КМОП-процессами и уже продемонстрировал успешную интеграцию 2D-полупроводников с диэлектриками high-k, такими как оксид гафния (HfO₂).
Хотя процесс чем-то похож на упаковку (packaging), он относится к FEOL (Front-End-of-Line) – передовым процессам формирования структур, он представляет собой синтез и интеграция материалов на уровне пластин (Wafer-Scale Material Synthesis & Integration).
Это исследование знаменует собой важный шаг на пути к созданию энергоэффективных транзисторов следующего поколения, которые могут прийти на смену кремниевым технологиям после 2035 года. Для выхода технологии на уровень пилотного производства, по оценкам экспертов, потребуется от 5 до 7 лет.
--
За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте
теги: микроэлектроника горизонты технологий 2D-материалы
--
Публикации по теме:
03.06.2026. Ученые из Японии и США разработали кремниевый спинтронный p-бит
08.05.2026. Кремниевые осцилляторы вместо кубитов - корейский путь к сверхбыстрым вычислениям
28.04.2026. Samsung представила кристалл DRAM, созданный по техпроцессу менее 10-нм
26.04.2026. Imec интегрировал модуляторы из ниобата и танталата лития на платформу кремниевой фотоники
13.04.2026. Инженеры USC создали чип памяти, работающий при температуре 700 °C
24.03.2026. Норвежский стартап Lace Lithography привлек $40 млн на литографию с атомарным разрешением
19.03.2026. Южнокорейские ученые подтвердили возможность длительной работы ИИ-чипов в условиях космической радиации
16.03.2026. Бесшовный фотонный интерфейс чип-окружающая среда: прорывы 2025–2026 годов
12.03.2026. UMC и HyperLight объединили усилия для массового производства чиплетов на основе TFLN
12.03.2026. IBM и Lam Research объединяют усилия для разработки логики суб-1 нм
10.03.2026. Потери света в фотонных чипах приближены к показателям оптоволокна
04.03.2026. Nvidia готовит процессор для инференса на базе технологий Groq, OpenAI станет якорным клиентом
03.03.2026. В Сибири изучают возможности создания элементов памяти на квантовых точках
27.02.2026. В Пекинском университете создали лабораторный прототип транзистора FeFET с графеновым затвором длиной 1нм
24.02.2026. ASML добилась удвоения мощности источника света в EUV-машинах
24.02.2026. В 2026 году в России может появиться фотолитограф нового поколения?
17.02.2026. В Европе разработали новый класс полупроводников на базе GeSn
09.02.2026. Интерфейс «мозг-компьютер» (ИМК) и влияние этого сегмента на рынок микроэлектроники
10.07. SpaceX Gen3 - все более грандиозная программа
10.07. Корпоративные сети бизнеса в 2026 году - аналитический обзор
10.07. Fab2 – фаб фабов или как гаражный проект стал бизнесом, востребованным в отрасли
10.07. Micron увеличивает заявленные инвестиции в США до $250 млрд
09.07. МТС установил систему видеонаблюдения в ЖК в центре Благовещенска
08.07. SpaceX запустила первый в мире коммерческий спутник с бета-вольтаическим источником энергии
08.07. Yadro объявляет о начале приема на совместные программы с МФТИ, ИТМО, МИЭТ и ВШЭ
08.07. Мошенники продолжают звонить – 26% от нежелательных вызовов приходятся на 5 регионов
08.07. МегаФон расширил сеть в Новоаннинском районе Волгоградской области
08.07. Билайн запустил новые БС 4G в пригороде Самары и в селах области
07.07. МегаФон объединил программных роботов на единой платформе Zephyr
07.07. Минцифры собирается решить проблему доступа к земельным участкам «по-китайски»
07.07. Элемент будет готовить кадры по микроэлектронике во Вьетнаме
10.07. Realme Narzo 100x 5G с батареей 8000 мАч и 144 Гц-дисплей представят 15 июля
10.07. HMD Arc 2 - бюджетник с улучшенным процессором и минимальными изменениями
10.07. Redmi Note 17 Pro – 9000 мАч, 5-летняя защита аккумулятора и бесплатная замена батареи
09.07. Появились первые слухи о Vivo V80 – дисплей 144 Гц, батарея 7200 мАч и перископная камера
09.07. Характеристики iQOO Z11 для Индии будут отличаться от глобальной версии
08.07. Nothing Ear (3a) – бюджетные наушники с записью разговоров и 42 часами автономност
08.07. Nothing Phone (4b) – доступный смартфон с большой батареей и фирменным дизайном
08.07. Honor Robot Phone может выйти в августе 2026 года
07.07. Vivo Y500 дебютировал на глобальном рынке с батареей 8100 мАч
07.07. Moto G77 Power официально представлен перед релизом 8 июля
07.07. Раскрыты ключевые характеристики Vivo X300e – АКБ 7100 мАч, перископный зум и плоский экран
06.07. Samsung Galaxy Jump 5 – операторский аппарат на базе Galaxy A27 5G
06.07. Vivo Pad 5c – доступный планшет с 144 Гц, Snapdragon 8s Gen 3 и батареей 10 000 мАч
03.07. Huawei Band 11, Band 11 Metal и Band 11 Pro – доступные фитнес-браслеты с AMOLED-экранами и GNS
03.07. Данные о Samsung Galaxy A18 показали обновление стратегии и отказ от Exynos
02.07. Redmi K90 Ultra получил Snapdragon 8 Elite, активное охлаждение и батарею 8550 мАч
02.07. Nothing Phone (4b) – дата анонса, ключевые характеристики и дизайн
01.07. Ключевые характеристики Samsung Galaxy Z Fold8 раскрыты до анонса
01.07. OnePlus N6 дебютировал в Индии: 8000 мАч, Dimensity 6360 Max и цена от $243
01.07. В iPhone 2027 экраны останутся прежними — 60 Гц у iPhone 18e и 120 Гц у остальных