MForum.ru
07.11.2025,
Новый метод прямого соединения-разъединения решает одну из ключевых проблем в создании электронных устройств на основе 2D-материалов без ухудшения их свойств при сборке в гетероструктуры
Исследователи из Массачусетского технологического института (MIT), Национального университета Сингапура (NUS) и Тайваньского университета Цинь Хуа разработали метод прямого соединения-разъединения (direct bonding–debonding) для создания стекированных гетероструктур из двумерных полупроводников на уровне целых пластин (wafer-scale). Об этом рассказывает Nature.
Технология обеспечивает точный контроль над двумя критически важными параметрами: количеством слоев и углом их скручивания (twist angle), что позволяет программировать электронные свойства материала.
Ключевое преимущество метода — получение чистых интерфейсов без загрязнений. Процесс проходит в вакууме без использования полимеров, что сохраняет высокую подвижность носителей заряда — свойство, которое обычно деградирует при стандартных методах переноса.
Разработка решает одну из главных проблем коммерциализации 2D-материалов — создание высококачественного затворного стека (gate stack). Метод совместим с современными КМОП-процессами и уже продемонстрировал успешную интеграцию 2D-полупроводников с диэлектриками high-k, такими как оксид гафния (HfO₂).
Хотя процесс чем-то похож на упаковку (packaging), он относится к FEOL (Front-End-of-Line) – передовым процессам формирования структур, он представляет собой синтез и интеграция материалов на уровне пластин (Wafer-Scale Material Synthesis & Integration).
Это исследование знаменует собой важный шаг на пути к созданию энергоэффективных транзисторов следующего поколения, которые могут прийти на смену кремниевым технологиям после 2035 года. Для выхода технологии на уровень пилотного производства, по оценкам экспертов, потребуется от 5 до 7 лет.
--
За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте
теги: микроэлектроника горизонты технологий 2D-материалы
--
Публикации по теме:
16.03. Бесшовный фотонный интерфейс чип-окружающая среда: прорывы 2025–2026 годов
12.03. UMC и HyperLight объединили усилия для массового производства чиплетов на основе TFLN
12.03. IBM и Lam Research объединяют усилия для разработки логики суб-1 нм
10.03. Потери света в фотонных чипах приближены к показателям оптоволокна
04.03. Nvidia готовит процессор для инференса на базе технологий Groq, OpenAI станет якорным клиентом
03.03. В Сибири изучают возможности создания элементов памяти на квантовых точках
24.02. ASML добилась удвоения мощности источника света в EUV-машинах
24.02. В 2026 году в России может появиться фотолитограф нового поколения?
17.02. В Европе разработали новый класс полупроводников на базе GeSn
09.02. Интерфейс «мозг-компьютер» (ИМК) и влияние этого сегмента на рынок микроэлектроники
11.01. Учёные МФТИ открыли путь к лазерам на алмазах
08.05. Китай одобрил выделение спектра в диапазоне 6 ГГц для испытаний 6G
08.05. Кремниевые осцилляторы вместо кубитов - корейский путь к сверхбыстрым вычислениям
08.05. Канадский центр фотонного производства "приватизируют"
08.05. Intel передала студентам Вьетнама оборудование для сборки и тестирования микросхем
08.05. Huawei расширяет «офлайн-звонки»
08.05. Билайн в Тюменской области - покрытие 4G и домашний интернет расширены в восьми жилых комплексах
08.05. МегаФон в Оренбургской области - мобильный интернет ускорен в Бугуруслане
07.05. SpaceX представила планы строительства Terafab в Техасе с оценкой стоимости в $55 млрд
07.05. OpenAI завершила формирование совместного предприятия DeployCo с группой фондов прямых инвестиций
07.05. МТС запустил переводы для физлиц на кошельки WeChat Pay без комиссии
07.05. Билайн в Удмуртской республике - покрытие 4G обеспечено indoor-оборудованием в 4 ТЦ Ижевска
07.05. МТС в Якутии - сеть LTE усилена в районе строительства Ленского моста
06.05. Индия дозрела до собственной низкоорбитальной группировки
08.05. OnePlus Nord CE6 Lite с 7000 мАч, 144 Гц LCD и Dimensity 7400 Apex представлен официально
08.05. OnePlus Nord CE6 с АКБ 8000 мАч, AMOLED-экраном 144 Гц и Snapdragon 7s Gen 4 представлен официально
07.05. Honor Play 11 Plus – 7000 мАч, 120 Гц AMOLED и Dimensity 6500 Elite за $320
07.05. Honor Play 70C – Helio G81 Ultra, 5300 мАч и Android 15 за $90
06.05. Honor Play 80 Plus – 7500 мАч, Snapdragon 4 Gen 4 и AI-кнопка за $249
06.05. Samsung Galaxy S27 Ultra получит переменную диафрагму в основной камере?
06.05. Samsung Galaxy A27 – круглый вырез камеры, Snapdragon 6 Gen 3 и 12 МП фронталка
05.05. Xiaomi Smart Band 10 Pro – 1.74" AMOLED, алюминиевый корпус и 21 день работы
05.05. iQOO 15T – 200 МП камера, 8000 мАч, 100 Вт и Dimensity 9500
05.05. Lenovo Legion Y70 (2026) – 2K-экран, 8000 мАч и SD 8 Gen 5
04.05. 7 мая представят Huawei Nova 15 Max – 8500 мАч, 50 МП RYYB и AMOLED
04.05. Moto G47 – 108 МП камера, FHD+ 120 Гц, Dimensity 6300 и защита MIL-STD-810H
04.05. iPhone Pro (2027) –изогнутый с 4-х сторон экран и подэкранная камера?
30.04. Tecno Spark 50 Pro 5G – Helio G100 Ultimate, 60 Вт и дизайн от Pova Curve 2
30.04. Официальные рендеры Moto G87 раскрывают 200 МП камеру, OLED-экран и дизайн как у G86
29.04. Poco C81 Pro – 6.9" 120 Гц, 6000 мАч и Unisoc T7250 за $99
29.04. Vivo TWS 5i – 50 часов работы, DeepX 3.0 и Bluetooth 5.4 за 17 долларов
29.04. Vivo Y600 Pro получил АКБ 10 200 мАч с зарядкой 90 Вт и IP69 при толщине 8.25 мм
29.04. Vivo Y600 Pro получил АКБ 10 200 мАч с зарядкой 90 Вт и IP69 при толщине 8.25 мм
28.04. Huawei Mate XT 2 – тройной складной смартфон с Kirin 9050 Pro и батареей 6000+ мАч