MForum.ru
07.11.2025,
Новый метод прямого соединения-разъединения решает одну из ключевых проблем в создании электронных устройств на основе 2D-материалов без ухудшения их свойств при сборке в гетероструктуры
Исследователи из Массачусетского технологического института (MIT), Национального университета Сингапура (NUS) и Тайваньского университета Цинь Хуа разработали метод прямого соединения-разъединения (direct bonding–debonding) для создания стекированных гетероструктур из двумерных полупроводников на уровне целых пластин (wafer-scale). Об этом рассказывает Nature.
Технология обеспечивает точный контроль над двумя критически важными параметрами: количеством слоев и углом их скручивания (twist angle), что позволяет программировать электронные свойства материала.
Ключевое преимущество метода — получение чистых интерфейсов без загрязнений. Процесс проходит в вакууме без использования полимеров, что сохраняет высокую подвижность носителей заряда — свойство, которое обычно деградирует при стандартных методах переноса.
Разработка решает одну из главных проблем коммерциализации 2D-материалов — создание высококачественного затворного стека (gate stack). Метод совместим с современными КМОП-процессами и уже продемонстрировал успешную интеграцию 2D-полупроводников с диэлектриками high-k, такими как оксид гафния (HfO₂).
Хотя процесс чем-то похож на упаковку (packaging), он относится к FEOL (Front-End-of-Line) – передовым процессам формирования структур, он представляет собой синтез и интеграция материалов на уровне пластин (Wafer-Scale Material Synthesis & Integration).
Это исследование знаменует собой важный шаг на пути к созданию энергоэффективных транзисторов следующего поколения, которые могут прийти на смену кремниевым технологиям после 2035 года. Для выхода технологии на уровень пилотного производства, по оценкам экспертов, потребуется от 5 до 7 лет.
--
За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте
теги: микроэлектроника горизонты технологий 2D-материалы
--
Публикации по теме:
16.03. Бесшовный фотонный интерфейс чип-окружающая среда: прорывы 2025–2026 годов
12.03. UMC и HyperLight объединили усилия для массового производства чиплетов на основе TFLN
12.03. IBM и Lam Research объединяют усилия для разработки логики суб-1 нм
10.03. Потери света в фотонных чипах приближены к показателям оптоволокна
04.03. Nvidia готовит процессор для инференса на базе технологий Groq, OpenAI станет якорным клиентом
03.03. В Сибири изучают возможности создания элементов памяти на квантовых точках
24.02. ASML добилась удвоения мощности источника света в EUV-машинах
24.02. В 2026 году в России может появиться фотолитограф нового поколения?
17.02. В Европе разработали новый класс полупроводников на базе GeSn
09.02. Интерфейс «мозг-компьютер» (ИМК) и влияние этого сегмента на рынок микроэлектроники
11.01. Учёные МФТИ открыли путь к лазерам на алмазах
15.04. Amazon объявила о покупке Globalstar – чего можем ждать с учетом этой сделки
15.04. МТС в Томской области - зона покрытия LTE расширена новыми базовыми станциями в пригороде Томска
14.04. Разработчик офисного ПО «Мойофис» нарастил чистый убыток с 1.2 млрд до 4 млрд
14.04. Выход годных по техпроцессу 2нм у Samsung остается на уровне не выше 55%
14.04. Intel выпустила тонкий чиплет с транзисторами из нитрида галлия (GaN)
14.04. Микрон и Ангстрем объединят усилия в подготовке инженерных кадров
14.04. МегаФон в Смоленской области - покрытие LTE расширено дополнительным оборудованием на трассе М-1
14.04. Китайская YMTC строит еще три завода, чтобы удвоить производство чипов памяти
14.04. Telegram в России получит еще одну отсрочку?
14.04. МегаФон в Удмуртии - покрытие сотовой связи расширено новым оборудованием в Ижевске
14.04. МТС в Волгоградской области - интернет ускорен новой базовой станцией на острове Зеленый
15.04. Motorola Razr 70 Ultra получит Snapdragon 8 Elite и батарею на 6% больше
15.04. Tecno Spark 50 4G – Helio G81, 7000 мАч и связь без сети за 1.5 км
15.04. T1 Phone от Trump Mobile – $499 за AMOLED 120 Гц и Snapdragon 7
14.04. Redmi A7 Pro 5G – HyperOS 3, Unisoc T8300 и 6300 мАч за 11 499 рупий
14.04. Oppo Pad Mini с 8.8-дюймовым OLED-экраном 144 Гц и Snapdragon 8 Gen 5 представят 21 апреля
14.04. Rollme G9 – умные часы с офлайн-картами, двухдиапазонным GNSS и весом 32 грамма
13.04. Realme Narzo 100 Lite 5G – 7000 мАч "Titan Battery", 144 Гц и Dimensity 6300 за 13 000 рупий
13.04. CMF Phone 3 Pro получит Snapdragon 7s Gen 4 и металлическую рамку
13.04. Анонс Huawei Pura 90 Pro ожидается 20 апреля
10.04. Realme C100 4G – в000 мАч, IP69K и Helio G92 Max за 292 доллара
10.04. AI+ Nova 2 и Nova 2 Ultra – два подхода к бюджетному сегменту в Индии
10.04. Oppo A6s Pro – OLED, 7000 мАч, 80 Вт и Dimensity 6300
09.04. Moto Pad 2026 – 2.5K-экран, 5G и четыре динамика за 250 долларов
09.04. Motorola Moto G Stylus (2026) – стилус с наклоном, защита IP69 и AMOLED за 500 долларов
08.04. Oppo A6k с АКБ 7000 мАч, экраном 120 Гц и Dimensity 6300 оценен 290 долларов
08.04.
Tecno наконец раскрыла график обновления до Android 16 — с опозданием на поколение
08.04. Представлен Realme C100 5G с АКБ 7000 мАч, 144 Гц экраном и Dimensity 6300 за 215 долларов
07.04. Oppo F33 Pro 5G – IP69K, 50 МП фронталка и батарея 7000 мАч за 35 000 рупий
07.04. Redmi A7 Pro 5G с батареей 6300 мАч и Circle to Search выходит в Индии
06.04. Vivo T5 Pro с АКб 9020 мАч – "ультимативная мощь" или маркетинг?