MForum.ru
07.11.2025,
Новый метод прямого соединения-разъединения решает одну из ключевых проблем в создании электронных устройств на основе 2D-материалов без ухудшения их свойств при сборке в гетероструктуры
Исследователи из Массачусетского технологического института (MIT), Национального университета Сингапура (NUS) и Тайваньского университета Цинь Хуа разработали метод прямого соединения-разъединения (direct bonding–debonding) для создания стекированных гетероструктур из двумерных полупроводников на уровне целых пластин (wafer-scale). Об этом рассказывает Nature.
Технология обеспечивает точный контроль над двумя критически важными параметрами: количеством слоев и углом их скручивания (twist angle), что позволяет программировать электронные свойства материала.
Ключевое преимущество метода — получение чистых интерфейсов без загрязнений. Процесс проходит в вакууме без использования полимеров, что сохраняет высокую подвижность носителей заряда — свойство, которое обычно деградирует при стандартных методах переноса.
Разработка решает одну из главных проблем коммерциализации 2D-материалов — создание высококачественного затворного стека (gate stack). Метод совместим с современными КМОП-процессами и уже продемонстрировал успешную интеграцию 2D-полупроводников с диэлектриками high-k, такими как оксид гафния (HfO₂).
Хотя процесс чем-то похож на упаковку (packaging), он относится к FEOL (Front-End-of-Line) – передовым процессам формирования структур, он представляет собой синтез и интеграция материалов на уровне пластин (Wafer-Scale Material Synthesis & Integration).
Это исследование знаменует собой важный шаг на пути к созданию энергоэффективных транзисторов следующего поколения, которые могут прийти на смену кремниевым технологиям после 2035 года. Для выхода технологии на уровень пилотного производства, по оценкам экспертов, потребуется от 5 до 7 лет.
--
За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте
теги: микроэлектроника горизонты технологий 2D-материалы
--
Публикации по теме:
31.07.2026. В МФТИ разработали технологию, которая позволит работать с двумерными материалами типа дисульфида молибдена
26.06.2026. IBM представила технологию, обещающую плотность размещения узлов от 7А
11.06.2026. В Южной Корее экспериментируют с комбинацией оксида цинка ZnO и теллура Te
03.06.2026. Ученые из Японии и США разработали кремниевый спинтронный p-бит
08.05.2026. Кремниевые осцилляторы вместо кубитов - корейский путь к сверхбыстрым вычислениям
28.04.2026. Samsung представила кристалл DRAM, созданный по техпроцессу менее 10-нм
26.04.2026. Imec интегрировал модуляторы из ниобата и танталата лития на платформу кремниевой фотоники
13.04.2026. Инженеры USC создали чип памяти, работающий при температуре 700 °C
24.03.2026. Норвежский стартап Lace Lithography привлек $40 млн на литографию с атомарным разрешением
19.03.2026. Южнокорейские ученые подтвердили возможность длительной работы ИИ-чипов в условиях космической радиации
16.03.2026. Бесшовный фотонный интерфейс чип-окружающая среда: прорывы 2025–2026 годов
12.03.2026. UMC и HyperLight объединили усилия для массового производства чиплетов на основе TFLN
12.03.2026. IBM и Lam Research объединяют усилия для разработки логики суб-1 нм
10.03.2026. Потери света в фотонных чипах приближены к показателям оптоволокна
04.03.2026. Nvidia готовит процессор для инференса на базе технологий Groq, OpenAI станет якорным клиентом
03.03.2026. В Сибири изучают возможности создания элементов памяти на квантовых точках
27.02.2026. В Пекинском университете создали лабораторный прототип транзистора FeFET с графеновым затвором длиной 1нм
23.10. США направляют еще $389 млн на финансирование НИОКР в области полупроводников
23.10. Тульский ФК «Арсенал» запустил MVNO на инфраструктуре Билайн
23.10. Решение FCC обостряет конкуренцию Amazon и Starlink
23.10. МТС расширила покрытие вдоль железной дороги Новосибирск-Омск
22.10. Компания Texas Instruments прогнозирует выручку за 4q2026 выше ожиданий аналитиков
22.10. Samsung и SK Hynix модернизируют свои предприятия в Китае
22.10. «Аквариус» выходит на рынок Wi-Fi оборудования и ПО корпоративных беспроводных сетей
22.10. РКН поделилось данными о числе РЭС 5G в России
22.10. МТС отмечает рост спроса на видеонаблюдение на Ставрополье
22.10. МТС усилила сеть в Шимановске Амурской области
22.10. НИИМА «Прогресс» подал иск к Минпромторгу
21.10. Билайн и Binrobi предложат абонентам услуги связи, не требующие платежей
21.10. SpaceX показала улучшение финансовых показателей и готовится к запуску услуг D2D в начале 2028 года
23.10. Huawei Pura 90 Plus получит 1-дюймовую камеру с переменной диафрагмой
23.10. Nubia A76 4G – новый смартфон со старым именем
23.10. Xiaomi представили Redmi Book 2027 – батарея 72 Вт•ч и новый дизайн
23.10. Realme раскрыла стратегию на 2027 год
22.10. iPhone 18 получит новый дизайн камеры
22.10. Redmi Band 4 представлен в Китае – 21 день автономности и 5ATM за 169 юаней
22.10. Появились данные о Huawei Mate X8 – запуск в ноябре и новый чип Kirin
21.10. Coolpad Cool X Wide – первый широкоформатный смартфон бренда
21.10. Утечка об Oppo Reno X указывает на батарею 8000 мАч и двойную 200-МП камеру
21.10. Doogee Note60 W – широкоформатный смартфон в стиле Huawei Pura X View
20.10. HMD Vibe 2 Max раскрыт в утечке: 108 МП, 120 Гц и батарея 6000 мАч
20.10. Redmi K100 с батареей 10 000 мАч и Snapdragon 8 Elite выйдет 28 октября
20.10. Samsung Galaxy F70 5G с Exynos 1330 и 120 Гц оценен за 19 999 рупий
20.10. Apple работает над новым iPad mini – в базе регулятора появился чехол Smart Folio
19.10. Раскрыта емкость батареи Moto G47 Power
19.10. Tecno представила Spark 50s и Spark 50C – две новые модели с 120 Гц
19.10. OnePlus Ace 7 и Ace 7 Pro получат 200-МП камеры и перископ
19.10. Samsung может вернуть Exynos 2700 в Galaxy S27 Ultra из-за перегрева Snapdragon
16.10. Появились первые утечки о камерах Samsung Galaxy A58
16.10. HMD планирует уйти с некоторых рынков и сократить глобальное производство