Наши общие истоки и победы / vpk-news.ru

Ангстрем наладит производство транзисторов SiC по японской технологии

Пока же ситуация на российском рынке складывается в пользу европейских, азиатских и американских производителей, которые в совокупности поставляют нам около 90% всей микроэлектронной продукции. Инновационная деятельность в сфере микроэлектроники является инвестиционно емкой, говорят участники рынка, а потенциальные инвесторы не спешат вкладывать в российские разработки.

klimdhi 07.11.2018 11:02:
Пока же ситуация на российском рынке складывается в пользу европейских, азиатских и американских производителей, которые в совокупности поставляют нам около 90% всей микроэлектронной продукции. Инновационная деятельность в сфере микроэлектроники является инвестиционно емкой, говорят участники рынка, а потенциальные инвесторы не спешат вкладывать в российские разработки.

Не является ли это закономерным результатом строительства той конструкции экономики и общества, которая выстроена в России в последние годы?

21 ноября 2019 года Ангстрем проведет семинар "Сложнофункциональные и интеллектуальные решения для силовой электроники на элементной базе АО "Ангстрем"

Планируется показать участникам встречи серийную продукцию и новинки, запланирована экскурсия на производство и круглый стол. Заявленные в программе доклады:

+ «Современные решения для силовой электроники. Текущее состояние элементной базы АО «Ангстрем»

+ «Новые разработки и дорожная карта развития»

+ «Модули IGBT – 34 и 62 мм: новые конструкции в привычной упаковке, сравнение с ближайшими аналогами. Конструкция прижимного модуля. Контроль качества и надежности»

+ «Современные методы измерения параметров IGBT модулей. Влияние параметров кристаллов на работу модулей. Сравнение различных производителей»

+ «IGBT драйверы. Новая разработка АО «Ангстрем»

+ «Опыт сотрудничества с отечественными и зарубежными партнерами. Новые разработки на базе элементной базы АО «Ангстрем». Схема взаимодействия по заказам продукции.

К участию в семинаре приглашаются представители разработчиков и производителей оборудования на базе изделий силовой электроники (до 6000В и 100А).

Регистрация: заполните заявку и отправьте ее на адрес golik@angstrem.ru

Московский арбитраж удовлетворил иск ПАО "Банк "Зенит" к ООО "Альтернатива капитал". На более, чем 1 млн именных акций АО Ангстрем наложено взыскание и они будут реализованы с публичных торгов, если решение суда не будет обжаловано. АО "Ангстрем" брало кредиты у Зенита и их частично не возвратило (по первому кредиту - 162,5 млн руб., по второму - 371 млн руб), а также не выплатила проценты (80,9 млн и 151,44 млн руб.). Обеспечением выступали акции в объеме примерно 1% от голосующих.

12 января 2015 года была прекращена деятельность ООО "Группа Ангстрем" , которая присоединилась к ООО "Альтернатива капитал".

Источник: regnum.ru

Силовая электроника | Семинары

Несмотря на судебные споры с кредиторами, Ангстрем продолжает работу. Вчера компания подробно рассказала о прошедшем 21 ноября семинаре на актуальную тему силовой электроники: "Сложнофункциональные и интеллектуальные решения для силовой электроники на элементной базе АО "Ангстрем".

Ангстрем выпускает широкий набор компонентной базы силовой электроники: транзисторы – MOSFET и IGBT, модули на их основе, IGBT-драйверы, DC/DC-преобразователи, схемы управления питанием, драйверы светодиодов, интеллектуальные силовые ключи - всего более 2.5 тысяч наименований. Используется КМОП и БиКМОП технологии, выпускаются trench-транзисторы, транзисторы с высокой стойкостью к накопленной дозе, транзисторы с малым зарядом затвора.

Об активности компании в области компонентной базы для силовой электроники рассказывал главный конструктор - П.Р. Машевич, нач.отдела разработки силовой электроники, Т.Б. Крицкая, рассказала о том что для выпуска этих изделий налажен замкнутый цикл - от разработки кристаллов до корпусирования и испытаний. Инженер-конструктор силовых модулей Я.А. Вренев подробно описал серийно выпускаемую линейку силовых модулей на основе IGBT и MOSFET, а также новые разработки, серийное производство которых будет налажено в 2020 году.

На семинаре были представлены новые разработки IGBT транзисторов и FRD диодов, которые должны выйти в следующем году и имеющих стойкость к радиационному воздействию. Диапазон разрабатываемых изделий от 400В до 6000В.

Для производства IGBT на предприятии используется технология NPT+, которая обеспечивает малый заряд затвора, и хорошую защиту от внешних воздействий. Конструкция транзисторов способна в течение 40 мкс выдерживать ток короткого замыкания, что в 4 раза превышает показатель зарубежных аналогов.

Линейка IGBT-модулей и быстровосстанавливающихся диодов (FRD) в металлопластмассовых корпусах МПК-30, МПК-34, МПК-62, МПК-62-2 и МПК-62-Э содержит широкую номенклатуру модулей с диапазоном рабочих напряжений от 600 до 1700 В, максимальных токов до 600 А и различных конфигураций: полумост, верхний и нижний чоппер, одиночный ключ.

Новая разработка АО "Ангстрем" – IGBT-модуль прижимной конструкции в корпусе МПК-150, рассчитанный на напряжение 2500 В, ток 2000 А. Для этого изделия была создана конструкция, которая обеспечивает равномерное давление на кристаллы IGBT, FRD и надежный контакт с активными областями кристаллов. В качестве подложки используется композиционный материал AlSiC. По своим характеристикам новый прижимной IGBT-модуль соответствует аналогу – модулю компании ABB – монополиста в производстве прижимных модулей, но использует новые современные решения.

Выступали и другие сотрудники компании. С полным текстом пресс-релиза Ангстрем можно ознакомиться здесь: mforum.ru