«Ситроникс» будет производить микрочипы

Вчера состоялось заседание наблюдательного совета госкорпорации «Роснано», который одобрил финансирование проекта «Ситроникса», подконтрольного АФК «Система». Об этом рассказал «Ведомостям» близкий к «Ситрониксу» источник. Речь идет о строительстве совместного предприятия (СП) по производству микрочипов размером 90 нм (0,09 микрона).

Госкорпорация согласилась вложить в этот проект около $230 млн, говорит собеседник «Ведомостей». Наблюдательный совет утвердил инвестиционный проект, форма собственности нового СП еще не определена. Предполагается, что у «Роснано» будет 49% предприятия, а 51% — у «Ситроникса». По такой схеме госкорпорация участвует во всех проектах.

Проект утвержден, подтвердил источник, близкий к «Роснано», но детали не уточнил. Официальные представители «Роснано» от комментариев отказались.

Вице-президент «Ситроникса» Ирина Ланина не стала комментировать решение наблюдательного совета. Если проект одобрен, то «Ситроникс» начнет закупать технологию производства чипов размером 0,09 микрона у партнера — французской STMicroelectronics, как только получит средства «Роснано», говорит она. Серийный выпуск микрочипов начнется к концу 2011- началу 2012 гг., ожидает Ланина.

На деньги госкорпорации претендует и конкурент «Ситроникса» — зеленоградский «Ангстрем», блокпакет которого принадлежит входящему в «Ростехнологии» холдингу «Росэлектроника». В конце июня проект «Ангстрема» был одобрен научно-техническим советом «Роснано», сообщил вчера «Ангстрем». Но решение о финансировании принимает только наблюдательный совет, подчеркнула вчера пресс-служба «Роснано».

Сейчас «Ангстрем» строит завод по производству чипов по технологии 130-110 нм, а с помощью средств «Роснано» рассчитывает модернизировать его и в 2011 г. начать производство чипов следующего поколения, говорит представитель группы «Ангстрем» Евгения Колосова. Для этого «Ангстрему» необходимо около 190 млн евро.

(с) Анастасия Голицына; "Ведомости" 08:22 08.07.2009

Следует ли понимать, что проект "Ситроникса" создания СП для производства по технологии 65 нм для которого хотелось собрать US$2.3 млрд уже не обсуждается? Но без этого говорить о конкурентоспособности отрасли бессмысленно.

Небольшую подборку материалов по теме "производство микроэлектроники" смотрите здесь

«Роснано» получит частицы «Ситроникса» и «Ангстрема»

А они — $465 млн на выпуск микросхем нового поколения

Госкорпорация «Роснано» рассмотрела вчера заявки «Ситроникса» и «Ангстрема» на предоставление им финансирования в размере более $465 млн для создания производства микросхем нового поколения. В компаниях утверждают, что принципиально «Роснано» одобрила проекты и станет не только их кредитором, но и соучредителем. Российская корпорация нанотехнологий («Роснано») рассмотрела вчера проекты создания в России производств микросхем с топологией от 90 нм до 130 нм (в одном метре миллиард нанометров). Рассматривались заявки двух производителей микроэлектроники — «Ситроникса» и «Ангстрема», причем первый проходил заключительный четвертый этап согласования проекта.

Источник, близкий к «Ситрониксу», сообщил, что наблюдательный совет «Роснано» решил выделить более $200 млн на создание производства микросхем с топологией 90 нм. «К концу 2011 — началу 2012 года мы планируем наладить серийный выпуск продукции»,— подтвердила вице-президент «Ситроникса» Ирина Ланина. В начале этого года «Ситроникс» уже начал производство чипов с топологическим размером 180 нм. «Роснано» получит около 50% уставного капитала компании, которая будет создана совместно с «Ситрониксом» позже, уточняет близкий к ним источник.

«Ангстрем» вчера также получил одобрение своего проекта в первой инстанции — научно-техническом совете «Роснано». В сообщении компании говорится, что проекту необходимы инвестиции в размере ?190 млн или $265 млн. Председатель совета директоров группы компаний «Ангстрем» Дмитрий Милованцев сообщил, что «структуру финансирования еще не обсудили». «Скорее всего, это будет кредит плюс прямая инвестиция, в результате которой “Роснано” получит долю в “Ангстрем-Т” (непосредственном исполнителе проекта.— “Ъ”)»,— пояснил он. Одним из основных бенефициаров «Ангстрема» является Сергей Веремеенко, бывший партнер сенатора от Тувы Сергея Пугачева по Межпромбанку. Завод «Анстрема» должен начать выпуск изделий в 2011 году с топологией по крайней мере 130 нм, но, возможно, удастся договориться с властями США о лицензии и на 90 нм, говорит господин Милованцев. Создаваемая сейчас инфраструктура позволит развить технологии производства до 65 нм «без существенных капиталовложений», утверждает он.

Руководитель департамента корпоративных коммуникаций «Роснано» Елена Ковалева отказалась вчера давать комментарии, сославшись на то, что наблюдательный совет госкорпорации еще не завершился. Технология 130 нм начала использоваться в начале века: например, в январе 2002 года Intel представила ядро Northwood (Pentium 4), которое было создано с помощью техпроцесса 130 нм и работало на частоте 1,6–3,4 ГГц. Первым процессором Intel, выпущенным по технологии 90 нм, стал Pentium 4 на ядре Prescott (2,4–3,8 ГГц), представленный в феврале 2004 года. Сейчас Intel производит процессоры по технологии 45 нм, а в четвертом квартале 2009 года планирует перейти на технологию 32 нм.

«В мире много заводов, которые производят полупроводники. Поэтому успех проектов будет определяться тем, смогут ли компании убедить потребителей покупать их микросхемы или нет»,— отметил глава Intel в СНГ Дмитрий Конаш.

Глава Ассоциации производителей электроники Иван Покровский считает, что компаниям придется выходить на зарубежный рынок, чтобы окупить инвестиции. По данным ассоциации, в прошлом году объем рынка полупроводников в России составил около $1 млрд.

(c) Александр Малахов, Инна Ерохина, "КоммерсантЪ", 08.07.2009

Конечными продуктами проекта станут чипы для смарт-карт, используемых в электронных загранпаспортах, водительских удостоверениях и свидетельствах о регистрации транспортных средств, банковских и социальных картах, SIM-картах для мобильных телефонов, и чипы для RFID-меток (радиочастотных идентификационных меток). Также интегральные схемы, выпускаемые в рамках проекта, будут востребованы в приборах спутниковой навигации ГЛОНАСС/GPS и цифровых телевизионных приставках.

Источник: пресс-релиз "Роснано"

РОСНАНО и АФК «Система» подписали договор о создании производства микросхем с проектными нормами 90 нм

Москва, 9 октября 2009, через MForum.ru – Генеральный директор РОСНАНО Анатолий Чубайс и Председатель Совета директоров АФК «Система» Владимир Евтушенков подписали инвестиционный договор по созданию серийного производства интегральных схем на основе наноэлектронной технологии с проектными нормами 90 нм на пластинах диаметром 200 мм. Подписание документа состоялось во время визита Председателя Правительства РФ Владимира Путина на предприятие «НИИМЭ и Микрон», расположенное в Зеленограде.

Подписание инвестиционного соглашения дает старт проекту, который призван вывести отечественную микроэлектронную промышленность на новый уровень развития. Проект будет реализован на производственной базе с использованием инфраструктуры завода «Микрон» (входит в состав ОАО «СИТРОНИКС», крупнейшим акционером которого является АФК «Система»). Технологическим партнером совместного проекта выступит лидер европейской полупроводниковой промышленности — компания STMicroelectronics. Развитие проекта позволит создать технологическую систему, включающую в себя дизайн-центры, научно-исследовательские организации, компании, занимающиеся материаловедением микроэлектроники.

Продукция, которая будет выпускаться на новом производстве, нацелена на такие развивающиеся массовые рынки, как цифровое телевидение, ГЛОНАСС/GPS навигация, системы автоматизации производства, автомобильная электроника и смарт-карты с высокой степенью защиты.

Инвестиции в проект осуществляются в форме взносов в уставный капитал создаваемого совместного предприятия, соучредителями которого на паритетных началах выступят РОСНАНО и ОАО «НИИМЭ и Микрон». Общий объем финансирования проекта составит 16,5 млрд рублей. В соответствии с соглашением, объем инвестиций РОСНАНО составит 6,5 млрд руб. «СИТРОНИКС» вложит в проект равную долю в виде высокотехнологичного оборудования основного исполнителя проекта — завода «Микрон». В долгосрочной перспективе проект предусматривает также привлечение заемного финансирования.

«Этот проект имеет стратегическое значение, - отметил Генеральный директор РОСНАНО Анатолий Чубайс. - Формирование отечественного наноэлектронного производства в России играет важную роль в обеспечении технологической безопасности страны и развитии всего высокотехнологичного сектора экономики».

«С каждым следующим поколением производственной технологии растет производительность и снижается энергопотребление чипа. Внедрение технологии 90 нм позволит нам выйти на новые рынки, сохранив при этом рыночные позиции по продукции с технологической нормой 180 нм», - отметил Генеральный директор ОАО «НИИМЭ и «Микрон» Геннадий Красников.

>> Клуб "Полный оффтоп", тема дня Правчицка Брана

Вот так, собираются миллиарды вложить в устаревшую технологию 90 нм, фиксируя на годы вперед отставание России в области микроэлектроники.

А в США в Intel, где основное производство - это 65 нм, уже внедрили и массово производят чипы по технологии 45 нм. >> Источник

>> Клуб "Полный оффтоп", тема дня Правчицка Брана

а разве заводы для 32нм ещё не построили? уж вроде анонсы процев были по этой технологии. а 90нм - это ... в 3 раза надежнее !!!