Samsung обещает начать продажи 128-слойных чипов V-NAND и модулей SSD на их базе в 2020 году

В Samsung планируют в 2020 году начать продажу SSD TLC на базе чипов V-nand 512Гб с плотностью хранения данных 3бит/ячейку, выполненных по 128-слойной технологии. Разработчики компании тем временем работают над созданием памяти с использованием 500 и более слоев. (Выход этих чипов ожидался еще до конца 2019 года.)

Модули на 256/512 смогут обеспечит скорость ввода-вывода до 1200 Мбит/c.

SSD, предназначенные для использования в облачных решениях, будут включать PM1733 SSD с интерфейсами PCI Express Gen4 (PCIe Gen4), поддерживающими последовательное чтение на скорости до 6400 МБ/с и запись на скорости до 3800 МБ/с. Компания уже показала модель емкостью 30,72ТБ, снабженную двумя контроллерами для повышения надежности.

Кроме того, готовится серия PM1735, которая будет доступна в форм-факторах U.2 и HHHL. PM1735 U.2 обеспечит скорости 6400/3800 МБ/c при последовательном считывании/записи при емкости в 25.6 ТБ. Его родной брат HHHL будет выпускаться с емкостью 12,8 ТБ и поддерживать скорости чтения до 8000 МБ/с.

Samsung рекомендует использовать решения Z-SSD там, где предъявляются жесткие требования к уровню задержек. В результате оптимизации компания добилась уровня задержки менее 100 мкс в системе хранения данных, что примерно в 5.5 раз меньше, чем при использовании SSD TLC и 4КБ со случайным обращением и в 100 раз меньшую, чем при использовании смешанного чтения со случайным доступом.

В Samsung также продолжат работать над SAS SSD, которые будут поддерживать возможность горячей замены, а также повышенную надежность за счет использования двухпортовой схемы. В частности, PM1653 (SAS4) 24ГБ SSD, которая поддерживает до 4000 МБ/c / 3800 МБ/с при последовательном чтении и записи, соответственно.

Перспективные разработки SSD включают тренд на создание SmartSSD, способных частично разгрузить ЦП. Эти NVM SSD снабжены ПЛИС-акселератором. Для более быстрого и простого подключения к облаку Samsung работает с EthernetSSD, который обладает таким преимуществом, как NVM over Fabric.

Для сегмента B2C-памяти, в Samsung разработали UFC 3.x память, предназначенную для использования в смартфонах. Этот подвид флэш-памяти обещает стабильные высокие скорости (500 МБ/с при последовательной записи), отличающуюся отсутствием деградации производительности при записи. Также эта технология обеспечивает защиту от потери данных за счет технологии восстановления ошибок и функциональностям автоматической повторной передачи.

Продукты уже доступны на рынке Южной Кореи, а в США они появятся в 2020 году и будут совместимы со слотами UFS, которые можно встретить в ноутбуках компании Samsung.

Samsung также работает над разработкой компактных решений NVM SSD. Размером примерно с монету (M.2 22x30) они обладают емкостью до 1ТБ и весят около 1 грамма.

Источник: cdrinfo.com 

Можно вспомнить, что в августе в Samsung приступили к массовому производству твердотельных накопителей SATA емкостью 250 ГБ на базе модулей V-NAND емкостью 256 гбит, выполненных на базе трехбитных ячеек.

----

За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. телеграм-трансляции и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime ,  также подписывайтесь на Facebook-страницу Алексея Бойко.

теги: микроэлектроника Samsung флэш-память V-NAND SSD разработки