Технологии. Микроэлектроника: Intel переводит производство флэш-памяти типа NOR для встраиваемых систем на 65-нанометровый технологический процесс

MForum.ru

Технологии. Микроэлектроника: Intel переводит производство флэш-памяти типа NOR для встраиваемых систем на 65-нанометровый технологический процесс

23.08.2007, MForum.ru

Сегодня корпорация Intel опубликовала планы по расширению ассортимента встраиваемой флэш-памяти типа NOR за счет 65-нанометрового поколения продукции – этот шаг ориентирован на заказчиков, выпускающих интегрированные системы. По заявлению компании, переход к использованию 65-нанометровой производственной технологии позволит сбалансировать соотношение между ценой и производительностью, а также продлить жизненный цикл продукции; эти факторы имеют большое значение для OEM-производителей, создающих встраиваемые решения. Начало поставок опытных партий 65-нанометровой продукции Intel, которая обычно используется в устройствах бытовой электроники, в проводном коммуникационном оборудовании и в промышленных приложениях, запланировано на первую половину 2008 г.


«Большинство встраиваемых решений остается в производстве дольше, чем сотовые телефоны или другие устройства бытовой электроники, – говорит Глен Хоук (Glen Hawk), директор подразделения Intel Flash Products Group. – Беспроводные компоненты Intel типа NOR для беспроводных коммуникаций уже выпускаются в массовых объемах по этой передовой производственной технологии. Мы используем полученные знания и опыт для ускорения разработок и поставок своей продукции».

Переход к использованию 65-нанометровой производственной технологии для выпуска встраиваемых компонентов позволит Intel продлить жизненный цикл своей продукции, а также расширить ее функциональные возможности и повысить экономическую эффективность. Предлагаемая Intel продукция типа NOR для сегмента встраиваемых систем включает решения с параллельной и с последовательной выборкой. Встраиваемая память Intel® StrataFlash® (P30/P33) выполнена на одной микросхеме, содержит код и данные, отличается высокой плотностью данных и производительностью, а также наименьшей стоимостью в расчете на 1 бит. Встраиваемая флэш-память Intel® Embedded Flash Memory (J3 v.D) позволяет обновлять устаревшие конструкции методом вставки (drop-in). Ее расширенные функциональные возможности обеспечивают поддержку серийных встраиваемых приложений, которым требуются соответствующие функции и масштабируемость. Флэш-память Intel® Serial Flash Memory (S33), отвечающая отраслевым стандартам, позволяет упростить конструкцию плат, экономит место на плате, имеет меньшее число выводов, более компактный корпус и применяется в широком спектре устройств, таких как телевизоры, DVD-проигрыватели, ПК, модемы и принтеры.

© MForum.ru


Публикации по теме:

08.09.2026. ASML и крупнейшие производители микросхем начинают переход на 12-дюймовые маски для High-NA EUV

09.08.2026. Почему в США выбрали Вьетнам в качестве одной и стран-участниц программы международной технологической безопасности и инноваций (ITSI) в рамках Закона CHIPS

30.07.2026. Правительство США поддержит деньгами ставку на развитие кремниевой фотоники в стране

28.07.2026. Samsung и Broadcom заключили «якорную сделку» на $200 млрд – рекордный альянс в области разработки и выпуска микросхем

08.05.2026. Intel передала студентам Вьетнама оборудование для сборки и тестирования микросхем

30.04.2026. Китайская Lightelligence провела IPO и оценена в 77.9 млрд гонконгских долларов

30.04.2026. Прямая запись углеродных проводников на стеклянных подложках ускорит внедрение совместной упаковки оптики

14.04.2026. Intel выпустила тонкий чиплет с транзисторами из нитрида галлия (GaN)

13.04.2026. SpaceX приступила к установке оборудования на предприятии в Техасе: начало производства намечено на конец 2026 года

08.04.2026. Intel присоединяется к проекту «фабрики мечты» Маска

20.03.2026. Intel наращивает мощности в передовой упаковке: EMIB-T бросает вызов CoWoS

15.03.2026. Илон Маск заявил о планах запуска Tesla Terafab - гигантской фабрике по производству ИИ-чипов

12.03.2026. IBM и Lam Research объединяют усилия для разработки логики суб-1 нм

11.03.2026. Стоит ли ожидать, что сбудется прогноз TrendForce в отношении CPO?

24.02.2026. ASML добилась удвоения мощности источника света в EUV-машинах

10.02.2026. Cadence представляет ИИ-агента для проектирования чипов

03.02.2026. Дмитрий Боднарь продолжает анализировать мировой рынок микроэлектроники на страницах сайта Время Электроники. Часть 3

28.01.2026. Вьетнам и ЕС будут крепить дружбу в области полезных ископаемых, микросхем и 5G

23.01.2026. Intel не справляется с удовлетворением спроса на серверные чипы, используемые в ИИ ЦОД

19.01.2026. Back-end стадия производства полупроводников – расширяя пределы совершенствования



Поиск по сайту:


Колонка редактора

22.10. Samsung Electro-Mechanics получила инвестиции в размере $2,8 млрд от американских производителей электроники

22.10. Компания Texas Instruments прогнозирует выручку за 4q2026 выше ожиданий аналитиков

22.10. Samsung и SK Hynix модернизируют свои предприятия в Китае

22.10. «Аквариус» выходит на рынок Wi-Fi оборудования и ПО корпоративных беспроводных сетей

22.10. Speedcast и Soya IT Marine Solutions успешно завершили масштабную модернизацию цифровой связи на 41 судне типа RoRo

22.10. РКН поделилось данными о числе РЭС 5G в России

22.10. МТС отмечает рост спроса на видеонаблюдение на Ставрополье

22.10. МТС усилила сеть в Шимановске Амурской области

22.10. НИИМА «Прогресс» подал иск к Минпромторгу

21.10. Билайн и Binrobi предложат абонентам услуги связи, не требующие платежей

21.10. SpaceX показала улучшение финансовых показателей и готовится к запуску услуг D2D в начале 2028 года

21.10. T2 перевел в режим поддержки 5G 4093 объекта – данные РКН

21.10. Xona делает шаг к собственной навигационной сети: шесть спутников Pulsar выведены на LEO орбиту

21.10. МТС начала предоставлять услуги 5G 2100 МГц в отдельных районах Иркутска

21.10. Представители отрасли предлагают "откатить" ужесточение параллельного импорта

Все статьи >>


Новости

22.10. iPhone 18 получит новый дизайн камеры

22.10. Redmi Band 4 представлен в Китае – 21 день автономности и 5ATM за 169 юаней

22.10. Появились данные о Huawei Mate X8 – запуск в ноябре и новый чип Kirin

21.10. Coolpad Cool X Wide – первый широкоформатный смартфон бренда

21.10. Утечка об Oppo Reno X указывает на батарею 8000 мАч и двойную 200-МП камеру

21.10. Doogee Note60 W – широкоформатный смартфон в стиле Huawei Pura X View

20.10. HMD Vibe 2 Max раскрыт в утечке: 108 МП, 120 Гц и батарея 6000 мАч

20.10. Redmi K100 с батареей 10 000 мАч и Snapdragon 8 Elite выйдет 28 октября

20.10. Samsung Galaxy F70 5G с Exynos 1330 и 120 Гц оценен за 19 999 рупий

20.10. Apple работает над новым iPad mini – в базе регулятора появился чехол Smart Folio

19.10. Раскрыта емкость батареи Moto G47 Power

19.10. Tecno представила Spark 50s и Spark 50C – две новые модели с 120 Гц

19.10. OnePlus Ace 7 и Ace 7 Pro получат 200-МП камеры и перископ

19.10. Samsung может вернуть Exynos 2700 в Galaxy S27 Ultra из-за перегрева Snapdragon

16.10. Появились первые утечки о камерах Samsung Galaxy A58

16.10. HMD планирует уйти с некоторых рынков и сократить глобальное производство

16.10. Samsung начинает распространять обновление One UI 9 для Galaxy A27 и A37

16.10. Раскрыты подробности о 2K 185 Гц дисплее и игровых функциях iQOO Neo12

15.10. itel City 300 5G – 5G-смартфон с экраном 120 Гц за 14 999 рупий

15.10. Раскрыт список совместимых устройств и график обновления до Nothing OS 5.0