Технологии. Микроэлектроника: Intel переводит производство флэш-памяти типа NOR для встраиваемых систем на 65-нанометровый технологический процесс

MForum.ru

Технологии. Микроэлектроника: Intel переводит производство флэш-памяти типа NOR для встраиваемых систем на 65-нанометровый технологический процесс

23.08.2007, MForum.ru

Сегодня корпорация Intel опубликовала планы по расширению ассортимента встраиваемой флэш-памяти типа NOR за счет 65-нанометрового поколения продукции – этот шаг ориентирован на заказчиков, выпускающих интегрированные системы. По заявлению компании, переход к использованию 65-нанометровой производственной технологии позволит сбалансировать соотношение между ценой и производительностью, а также продлить жизненный цикл продукции; эти факторы имеют большое значение для OEM-производителей, создающих встраиваемые решения. Начало поставок опытных партий 65-нанометровой продукции Intel, которая обычно используется в устройствах бытовой электроники, в проводном коммуникационном оборудовании и в промышленных приложениях, запланировано на первую половину 2008 г.


«Большинство встраиваемых решений остается в производстве дольше, чем сотовые телефоны или другие устройства бытовой электроники, – говорит Глен Хоук (Glen Hawk), директор подразделения Intel Flash Products Group. – Беспроводные компоненты Intel типа NOR для беспроводных коммуникаций уже выпускаются в массовых объемах по этой передовой производственной технологии. Мы используем полученные знания и опыт для ускорения разработок и поставок своей продукции».

Переход к использованию 65-нанометровой производственной технологии для выпуска встраиваемых компонентов позволит Intel продлить жизненный цикл своей продукции, а также расширить ее функциональные возможности и повысить экономическую эффективность. Предлагаемая Intel продукция типа NOR для сегмента встраиваемых систем включает решения с параллельной и с последовательной выборкой. Встраиваемая память Intel® StrataFlash® (P30/P33) выполнена на одной микросхеме, содержит код и данные, отличается высокой плотностью данных и производительностью, а также наименьшей стоимостью в расчете на 1 бит. Встраиваемая флэш-память Intel® Embedded Flash Memory (J3 v.D) позволяет обновлять устаревшие конструкции методом вставки (drop-in). Ее расширенные функциональные возможности обеспечивают поддержку серийных встраиваемых приложений, которым требуются соответствующие функции и масштабируемость. Флэш-память Intel® Serial Flash Memory (S33), отвечающая отраслевым стандартам, позволяет упростить конструкцию плат, экономит место на плате, имеет меньшее число выводов, более компактный корпус и применяется в широком спектре устройств, таких как телевизоры, DVD-проигрыватели, ПК, модемы и принтеры.

© MForum.ru


Публикации по теме:

08.09.2026. ASML и крупнейшие производители микросхем начинают переход на 12-дюймовые маски для High-NA EUV

09.08.2026. Почему в США выбрали Вьетнам в качестве одной и стран-участниц программы международной технологической безопасности и инноваций (ITSI) в рамках Закона CHIPS

30.07.2026. Правительство США поддержит деньгами ставку на развитие кремниевой фотоники в стране

28.07.2026. Samsung и Broadcom заключили «якорную сделку» на $200 млрд – рекордный альянс в области разработки и выпуска микросхем

08.05.2026. Intel передала студентам Вьетнама оборудование для сборки и тестирования микросхем

30.04.2026. Китайская Lightelligence провела IPO и оценена в 77.9 млрд гонконгских долларов

30.04.2026. Прямая запись углеродных проводников на стеклянных подложках ускорит внедрение совместной упаковки оптики

14.04.2026. Intel выпустила тонкий чиплет с транзисторами из нитрида галлия (GaN)

13.04.2026. SpaceX приступила к установке оборудования на предприятии в Техасе: начало производства намечено на конец 2026 года

08.04.2026. Intel присоединяется к проекту «фабрики мечты» Маска

20.03.2026. Intel наращивает мощности в передовой упаковке: EMIB-T бросает вызов CoWoS

15.03.2026. Илон Маск заявил о планах запуска Tesla Terafab - гигантской фабрике по производству ИИ-чипов

12.03.2026. IBM и Lam Research объединяют усилия для разработки логики суб-1 нм

11.03.2026. Стоит ли ожидать, что сбудется прогноз TrendForce в отношении CPO?

24.02.2026. ASML добилась удвоения мощности источника света в EUV-машинах

10.02.2026. Cadence представляет ИИ-агента для проектирования чипов

03.02.2026. Дмитрий Боднарь продолжает анализировать мировой рынок микроэлектроники на страницах сайта Время Электроники. Часть 3

28.01.2026. Вьетнам и ЕС будут крепить дружбу в области полезных ископаемых, микросхем и 5G

23.01.2026. Intel не справляется с удовлетворением спроса на серверные чипы, используемые в ИИ ЦОД

19.01.2026. Back-end стадия производства полупроводников – расширяя пределы совершенствования



Поиск по сайту:


Колонка редактора

12.11. МегаФон построит частную сеть pLTE в Махачкалинском морском торговом порту

12.11. В упаковочное предприятие Samsung Electronics в Асане вложат более $30 млрд

12.11. Восемь обновленных спутников Globalstar завершили первичные орбитальные испытания

12.11. Билайн нарастил покрытие и емкость сети в строящемся ЖК в Улан-Удэ

12.11. МТС развернула БС в селе Андреевка Амурской области

11.11. МегаФон и МТС объявляют совместную позицию по вопросам текущего взаимодействия с банками

11.11. Российские корпоративные клиенты всё охотнее рекомендуют отечественную технику

11.11. Microsoft давит на администрацию президента США, выступая против запрета импорта чипов из Китая

11.11. МТС включила сеть LTE на склонах горнолыжного комплекса «Снегорка»

10.11. Обвинения в шпионаже вокруг Nvidia могут завершиться принятием законов, еще более ограничивающих доступ Китая к ИИ-чипам и современному оборудованию для их производства

10.11. Странная сделка в Японии – Mitsui Chemical покупает бизнес JSR

10.11. Infineon больше не может расширять мощности по производству чипов без «форвардных контрактов»

10.11. Билайн обеспечил мобильную связь на речном маршруте в Москве

10.11. Эйфелева башня и центральный парк Волгограда получили обновленную сеть МТС

10.11. МегаФон четвёртый год подряд стал «платиновым» работодателем

Все статьи >>


Новости

12.11. Poco X8s стал доступен в Европе

12.11. В сети появились макеты трёх моделей серии Samsung Galaxy S27

12.11. Samsung официально раскрыла переход галереи на хранилище Google

11.11. Утечка раскрыла ёмкость батарей и общие черты iPhone 18 и 18e

11.11. OnePlus 17 может войти в число широкоэкранных флагманов 2027 года

11.11. В сети появились макеты iPhone Air 2 и iPhone 18

10.11. Oppo Pad Air6 с 12.1" экраном 120 Гц и Dimensity 7360 Super представлен официально

10.11. Bixby в One UI 9.5 получит автоматические задачи

10.11. Vivo работает над серийным АКБ ёмкостью 11 970 мАч

09.11. Серия Huawei Nova 17 получит 200-МП камеру и новые дисплеи

09.11. Realme 17 Pro – утечка указывает на батарею емкостью 10 000 мАч и Dimensity 7300

09.11. Утечка о Xiaomi 18 подтверждает 100-ваттную зарядку

06.11. Motorola представила Moto Watch 2 Fit и Moto Buds 2 Ultra

06.11. Motorola Signature 27 с АКБ 7000 мАч и 200-МП перископом представлен официально

05.11. Honor готовит смартфон с батареей 14 000–15 000 мАч

05.11. Утечка показывает дизайн в стиле Pixel 11 Pro Fold

05.11. Утечка о Samsung Galaxy A38 раскрыла батарею 6000 мАч

04.11. Утечка раскрыла характеристики и сроки выхода iPhone 18, 18e и Air 2

04.11. Утечка о Redmi Turbo 6 Max указывает на 7-дюймовый 2K-экран частотой 185 Гц

04.11. Vivo Y32 5G – АКБ 8000 мАч, Snapdragon 4 Gen 2 и защита IP69