Технология основана на использовании фемтосекундного лазера, который, проходя сквозь прозрачное стекло, за счёт эффектов нелинейного поглощения, инициирует локальное осаждение проводящих углеродных цепей. Процесс не требует использования литографических масок и позволяет селективно формировать проводящие структуры не только на лицевой, но и на обратной стороне подложки, включая изогнутые поверхности. Удельная электропроводность полученных углеродных проводников сопоставима с лучшими образцами лазерно-индуцированного графена (LIG).

Особое значение разработка имеет для технологии сквозных стеклянных переходов (TGV) и слоёв перераспределения (RDL), которые соединяют верхнюю и нижнюю поверхности подложки.

В перспективе исследовательская группа планирует расширить технологию ULCVD, перейдя от углеродных проводников к осаждению меди (Cu) и золота (Au) – материалов, которые, как ожидается, станут основой для будущей полупроводниковой упаковки.

Не только корейцы занимаются стеклянными подложками, планируя их коммерциализацию. В Intel есть соответствующая дорожная карта, согласно которой такие подложки должны будут появиться ближе к 2030 году. Но пока что южнокорейская Absolics (дочка SKC) опережает конкурентов: компания уже строит в Джорджии, США, предприятие по массовому производству стеклянных подложек. \\

--

теги: микроэлектроника стеклянные подложки совместная упаковка оптики

--