В основе разработки китайских ученых – чипы на основе монослоя дисульфида молибдена (2D MoS₂) толщиной в один атом. Через такие узлы высокоэнергетические частицы космического излучения проходят, не вызывая повреждений. В лабораторных условиях образцы выдерживали дозы излучения до 10 Мрад, не теряя в параметрах транзисторов.

Система связи с использованием таких транзисторов успешно отработала на орбите высотой 517 км в течение 9 месяцев, работая на частотах 12-18 ГГц. Разработчики утверждают, что даже в более жестких условиях геостационарной орбиты ресурс новой электроники может достичь 270 лет.

Пока что в основе разработки – 10-см пластины.

Эта разработка, если достигнет статуса массовых коммерческих решений, откроет путь к созданию легкой и недорогой микроэлектроники для использования в космосе, способной работать без мощной противорадиационной защиты. ||

dx.doi.org/10.1038/s41586-025-10027-9 

--

теги: микроэлектроника радстойкость 2D-полупроводники двумерные полупроводники монослой дисульфид молибдена дисульфида молибдена 2D MoS₂

--