Во время визита в Южную Корею новый гендиректор компании Кристоф Фуке (Chrisoph Fouket) принял участие в открытии нового кампуса компании в Тонтане, Хвасон, а также провел встречи с руководителями Samsung Electronics и SK Hynix.

Инвестиции в проект составили около 240 миллиардов вон ($164,92 млн). Комплекс площадью 16 000 кв. метров включает центр ремонта и восстановления компонентов для литографических систем DUV и EUV, а также учебный центр для развития навыков местных специалистов.

С Samsung обсуждалось углубление технологического сотрудничества, включая строительство совместного с ASML исследовательского центра стоимостью 700 млн евро. Samsung также договорился с ASML на поставку двух сканеров High-NA EUV EXE:5200B. Первый должен быть отгружен до конца 2025 года, второй – в 1H2026. Инвестиции составят около $773 млн. Оборудование будет задействовано для массового производства чипов памяти DCT DRAM с использованием техпроцесса 2нм.

SK Hynix ранее уже установила решение High-NA EUV, а также увеличила свой заказ до двух единиц.

TSMC, хотя и закупила High-NA EUV у ASML, но пока что использует его для экспериментов с планами внедрения в серийное производство в рамках процесса 1.4нм.

Intel в сентябре 2025 года увеличил свой заказ на 2 такие системы.

Всего у ASML в книге заказов 10 систем High-NA EUV и 56 «обычных» Low-NA EUV в период до 2027 году. На долю SK Hynix приходятся 20 единиц Low-NA EUV.

--

За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги: High-NA EUV микроэлектроника ASML Корея

--