Южнокорейские чип-гиганты готовят новые технологии для удовлетворения растущего спроса на ИИ. По данным ZDNet, Samsung Electronics и SK hynix планируют представить широкую линейку решений DRAM следующего поколения на Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC) 2026 года.

SK hynix представит свои новейшие GDDR7 и LPDDR6 для графических и мобильных приложений, а Samsung Electronics представит HBM4. Об этом рассказывает TrendForce.

SK hynix представляет GDDR7 и LPDDR6 следующего поколения

SK hynix представляет GDDR7 с пропускной способностью на вывод 48 Гбит/с и плотностью 24 Гбит. Чип использует симметричную двухканальную архитектуру, ориентированную на приложения с высокой пропускной способностью, такие как графические процессоры, периферийные решения для ИИ и игры.

Главный интерес представляют нестандартные характеристики памяти GDDR7 DRAM, которую SK hynix планирует представить. Хотя отрасль ожидала, что GDDR7 следующего поколения достигнет пиковой скорости около 32–37 Гбит/с, SK hynix представит доклад на ISSCC, демонстрирующий скорость 48 Гбит/с и плотность 24 Гбит, что, как отмечает издание Global Economic News, говорит о технологическом лидерстве.

В отчёте Global Economic News отмечается, что это представляет собой более чем 70%-ный скачок скорости передачи данных по сравнению с сегодняшней GDDR7 28 Гбит/с. Пропускная способность на чип достигает 192 ГБ/с по сравнению с примерно 112 ГБ/с у существующих продуктов 28 Гбит/с — технологический прорыв, который кардинально меняет парадигму производительности графической памяти DRAM.

ZDNet также отмечает, что компания впервые представила LPDDR6 со скоростью передачи данных 14,4 Гбит/с. Благодаря существенному увеличению пропускной способности по сравнению с LPDDR5 (9,6 Гбит/с), эта память позиционируется как мобильное решение DRAM, оптимизированное для высокопроизводительных смартфонов, ПК с искусственным интеллектом и периферийных устройств с возможностями генеративного ИИ.

Samsung представляет HBM4 нового поколения для ускорителей искусственного интеллекта

Тем временем, как сообщает ZDNet, Samsung Electronics представляет HBM4 нового поколения, ёмкостью 36 ГБ и пропускной способностью 3,3 ТБ/с. HBM4, созданная на основе одноканальной технологии DRAM, усовершенствовала архитектуру TSV (Through-Silicon Via), что позволило сократить межканальные задержки сигнала и обеспечить сверхвысокую пропускную способность и энергосберегающую передачу данных, необходимые для будущих ускорителей искусственного интеллекта.

Как отмечает ZDNet, HBM4 от Samsung обеспечивает значительное увеличение пропускной способности по сравнению с предыдущими поколениями. Важно отметить, что он обеспечивает пропускную способность более 3 ТБ/с, необходимую ведущим производителям графических процессоров и специализированных микросхем для ИИ, и, как ожидается, получит широкое применение в серверных ускорителях ИИ, начиная со следующего года.

В настоящее время Samsung ведёт переговоры с NVIDIA о ценах на HBM4 в следующем году. Как сообщает Dealsite со ссылкой на источники, NVIDIA пригласила Samsung Electronics за стол переговоров всего через неделю после заключения контракта на поставку HBM4 с SK hynix. В отчёте также говорится, что, учитывая превышение спроса на HBM4 над предложением и отсутствие серьёзных стимулов для снижения цен на единицу продукции, Samsung Electronics стремится к тому же уровню цен, что и SK hynix на свою 12-слойную память HBM4.

--

За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги: Micron микроэлектроника HBM

--