Микроэлектроника: В ГК Элемент разработали оборудование ПХО и ПХТ для техпроцессов вплоть до 65нм на пластинах 300мм

MForum.ru

Микроэлектроника: В ГК Элемент разработали оборудование ПХО и ПХТ для техпроцессов вплоть до 65нм на пластинах 300мм

10.12.2025, MForum.ru


НИИМЭ и НИИТМ (оба предприятия входят в ГК Элемент) завершили завершили разработку и сборку первых в России кластерных систем для процессов плазмохимического осаждения (ПХО) и травления (ПХТ). Установки можно использовать в составе производственных линий для выпуска интегральных микросхем по топологическим нормам 65 нм на пластинах 200 мм и 300 мм. Тем самым, российские организации вошли в пятерку компаний в мире, обладающих компетенциями в разработке и производстве данного класса технологического оборудования.

 

фрагмент кластерной установки ПХО (плазмо-химического осаждения)

фрагмент кластерной установки ПХО (плазмо-химического осаждения), фото - редакции MForum.ru

 

Головным исполнителем проекта стал НИИМЭ, обеспечивший строительство чистых производственных помещений (ЧПП), монтаж и подключение опытных образцов оборудования в ЧПП, разработку технологических процессов и испытание оборудования. Основным соисполнителем выступил НИИТМ, чьи специалисты разработали само оборудование и участвовали в проведении испытаний.

«Создание первых российских кластерных систем для ПХО и ПХТ – важный практический результат. Установки для уровня 65 нм на пластинах 300 мм обеспечат в том числе перспективную потребность отечественной микроэлектроники. Особую ценность представляет модульность платформы: она позволяет отрабатывать процессы на существующем оборудовании и служит основой для перехода к более тонким техпроцессам. Этот проект демонстрирует, что кооперация наших научных институтов и промышленности способна решать сложнейшие технологические задачи», - отметил заместитель министра промышленности и торговли Василий Шпак.

В мировой практике в качестве стандарта для производства микросхем используется оборудование кластерного типа, так как оно позволяет объединять от 2 до 8 технологических установок с общей системой загрузки. Это дает возможность последовательно проводить ряд технологических процессов без выгрузки пластин в атмосферную среду помещения. Модульная структура позволяет гибко конфигурировать оборудование в зависимости от потребностей и мощности производств. Все эти факторы влияют на снижение себестоимости продукции и улучшение качества чипов.

Оборудование разработано для работы с пластинами диаметром 200 и 300 мм. Это дает возможность применять установки на действующих и планируемых производствах как с технологическими нормами, реализуемыми на пластинах 200 мм, так и обеспечить своевременную подготовку к переходу на работу на 300-миллиметровых пластинах. При использовании конфигурации оборудования для пластин диаметром 200 мм возможно применение с проектными нормами — 90, 130, 180, 250 нм.

В дальнейшем разработанные и аттестованные в рамках проекта базовые технологические процессы осаждения и травления диэлектрических слоев являются базой для их адаптации под существующие техпроцессы и для разработки перспективных, включая 28 нм.

 

Александр Сергеевич Кравцов, генеральный директор АО НИИМЭ

Александр Сергеевич Кравцов, генеральный директор АО НИИМЭ, фото - редакции MForum.ru

 

«Вхождение в мировой топ обладателей технологии кластерных систем для микроэлектроники — это одновременно и колоссальное достижение, и серьезная ответственность перед отечественными разработчиками. Создание российских кластерных систем для ПХО и ПХТ стало ключевым этапом на пути к технологической самостоятельности отечественной микроэлектроники. Мы заложили основу для дальнейшего развития», - отметил генеральный директор НИИМЭ Александр Кравцов.

 

Михаил Георгиевич Бирюков, генеральный директор АО НИИТМ

Михаил Георгиевич Бирюков, генеральный директор АО НИИТМ, фото - редакции MForum.ru

 

«Разработка кластерных установок ПХО и ПХТ для обработки кремниевых пластин диаметром 300 мм открывает новые перспективы для вывода российской микроэлектронной отрасли на новый технологический уровень. Создание оборудования для технологий с проектной нормой до 65 нм – важный шаг в развитии электронной промышленности нашего государства, демонстрирующий высокий уровень компетенций и готовность обеспечить российские предприятия отечественным оборудованием, не уступающим зарубежным аналогам», - сказал генеральный директор НИИТМ Михаил Бирюков.

 

Оглавление материалов, посвященных встрече - здесь

 

--

За новостями наземного и спутникового телекома удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости телекома, новости искусственного интеллекта и ЦОД вы найдете в канале abloudRealTime, новости микроэлектроники можно найти в моем канале RUSmicro, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги: микроэлектроника ПХО ПХТ плазмохимического производственное оборудование Элемент НИИМЭ НИИТМ

-- 

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

08.09.2026. ASML и крупнейшие производители микросхем начинают переход на 12-дюймовые маски для High-NA EUV

12.08.2026. В России завершен третий этап ОКР по созданию фотолитографа с проектными нормами 130 нм

12.08.2026. В России официально запущен в работу источник синхротронного излучения СКИФ

05.08.2026. РФЯЦ-ВНИИЭФ разрабатывает автоматизированную установку жидкостного химического травления полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм

05.08.2026. В России разработали многолучевый катод для использования в электронных литографах

30.07.2026. LG начала продажи собственного безмасочного литографа за $2 млн

28.07.2026. В Китае начинается ограниченное серийное производство иммерсионных DUV-литографических машин 28нм

24.07.2026. Белорусский Планар разрабатывает для российского рынка 9 установок участка создания фотошаблонов

20.07.2026. В России создана установка электронно-лучевой литографии (безмасочной) на 150 нм

10.07.2026. Fab2 – фаб фабов или как гаражный проект стал бизнесом, востребованным в отрасли

23.06.2026. Импортзамещение в Китае поставило в сложное положение японских вендоров оборудования для производства полупроводников

22.06.2026. Нанотроника зарегистрировала дочернее предприятие в Индии

20.06.2026. «Детективная история» вокруг EUV-установки ASML – смог ли Китай заполучить одну из запретных для него установок?

20.06.2026. В НИИМЭ разработают кластерную установку алюминиевой металлизации методом вакуумного напыления

16.06.2026. С сентября 2026 года производителям производственного оборудования микроэлектроники придется доказывать его российскость балльной системой

02.06.2026. Минпромторг выделит еще 2 млрд на импортзамещение оборудования для эпитаксии

14.05.2026. В России работают над проектом рентгеновского фотолитографа

23.03.2026. В России могут начать работы над литографом для техпроцесса 90 нм в 2026 году

23.03.2026. Бельгийская imec получила в свое распоряжение ASML High NA EUV

11.03.2026. Applied Materials объединяет усилия с Micron и SK Hynix для разработки DRAM, HBM и NAND следующего поколения



Поиск по сайту:


Колонка редактора

22.10. Samsung Electro-Mechanics получила инвестиции в размере $2,8 млрд от американских производителей электроники

22.10. Компания Texas Instruments прогнозирует выручку за 4q2026 выше ожиданий аналитиков

22.10. Samsung и SK Hynix модернизируют свои предприятия в Китае

22.10. «Аквариус» выходит на рынок Wi-Fi оборудования и ПО корпоративных беспроводных сетей

22.10. Speedcast и Soya IT Marine Solutions успешно завершили масштабную модернизацию цифровой связи на 41 судне типа RoRo

22.10. РКН поделилось данными о числе РЭС 5G в России

22.10. МТС отмечает рост спроса на видеонаблюдение на Ставрополье

22.10. МТС усилила сеть в Шимановске Амурской области

22.10. НИИМА «Прогресс» подал иск к Минпромторгу

21.10. Билайн и Binrobi предложат абонентам услуги связи, не требующие платежей

21.10. SpaceX показала улучшение финансовых показателей и готовится к запуску услуг D2D в начале 2028 года

21.10. T2 перевел в режим поддержки 5G 4093 объекта – данные РКН

21.10. Xona делает шаг к собственной навигационной сети: шесть спутников Pulsar выведены на LEO орбиту

21.10. МТС начала предоставлять услуги 5G 2100 МГц в отдельных районах Иркутска

21.10. Представители отрасли предлагают "откатить" ужесточение параллельного импорта

Все статьи >>


Новости

22.10. iPhone 18 получит новый дизайн камеры

22.10. Redmi Band 4 представлен в Китае – 21 день автономности и 5ATM за 169 юаней

22.10. Появились данные о Huawei Mate X8 – запуск в ноябре и новый чип Kirin

21.10. Coolpad Cool X Wide – первый широкоформатный смартфон бренда

21.10. Утечка об Oppo Reno X указывает на батарею 8000 мАч и двойную 200-МП камеру

21.10. Doogee Note60 W – широкоформатный смартфон в стиле Huawei Pura X View

20.10. HMD Vibe 2 Max раскрыт в утечке: 108 МП, 120 Гц и батарея 6000 мАч

20.10. Redmi K100 с батареей 10 000 мАч и Snapdragon 8 Elite выйдет 28 октября

20.10. Samsung Galaxy F70 5G с Exynos 1330 и 120 Гц оценен за 19 999 рупий

20.10. Apple работает над новым iPad mini – в базе регулятора появился чехол Smart Folio

19.10. Раскрыта емкость батареи Moto G47 Power

19.10. Tecno представила Spark 50s и Spark 50C – две новые модели с 120 Гц

19.10. OnePlus Ace 7 и Ace 7 Pro получат 200-МП камеры и перископ

19.10. Samsung может вернуть Exynos 2700 в Galaxy S27 Ultra из-за перегрева Snapdragon

16.10. Появились первые утечки о камерах Samsung Galaxy A58

16.10. HMD планирует уйти с некоторых рынков и сократить глобальное производство

16.10. Samsung начинает распространять обновление One UI 9 для Galaxy A27 и A37

16.10. Раскрыты подробности о 2K 185 Гц дисплее и игровых функциях iQOO Neo12

15.10. itel City 300 5G – 5G-смартфон с экраном 120 Гц за 14 999 рупий

15.10. Раскрыт список совместимых устройств и график обновления до Nothing OS 5.0