По данным CGTN, исследование опубликовано на сайте журнала Science. Разработкой занимались ученые Пекинского университета и Народного университета Китая. Мне не удалось найти ни эту публикацию, ни ее анонс на сайте Xinhua. Возможно я плохо искал, а в CGTN ничего не перепутали.

Ученые давно присматриваются к селениду индия как к перспективному материалу для использования в полупроводниковом производстве. Его внедрение сдерживается рядом технологических сложностей. В частности, важным является поддержание в процессе выращивания кристалла соотношений индия и селена 1:1, чтобы получать InSe (II), а не In2Se (I) или In2Se3 (III).

Исследователи нагрели аморфную пленку селенида индия и твердый индий в герметичных условиях. Испаренные атомы индия сформировали богатую индием жидкую границу раздела на краю пленки, что позволило выращивать высококачественные кристаллы селенида индия с регулярным расположением атомов.

По мнению ученых, внедрение этой технологии позволит перевести технологию изготовления селенида индия из разряда лабораторных исследований в инженерную плоскость.

В частности, заявляется, что группе исследователей в Пекинском университете удалось успешно изготовить пластины InSe диаметром 50 мм и создать на них массивы кристаллов высокопроизводительных транзисторов, которые можно было бы использовать в интегральных схемах.

Пластины 50 мм – это все же далеко от промышленных технологий с пластинами 200-300 мм.

Ученые утверждают, что это создает основу для создания высокопроизводительных низкопотребляющих микросхем «следующего поколения» для систем ИИ, автономного вождения и прочих применений. Рецензенты журнала Science назвали эту работу «достижением в области выращивания кристаллов».

Особенность InSe - высокая подвижность электронов (порядка 10³ см²/В·с), это обещает возможность создания транзисторов с низким напряжением переключения, что в теории позволяет добиться снижения энергопотребления в 3-5 раз относительно кремниевых структур. А еще InSe стабилен при температурах до 400 °C, что выгодно отличает его от органических полупроводников и обещает интересные перспективы внедрения в области автономных структур. У материала есть и другие интересные свойства. Вместе с тем, в публикации не говорится, как удалось минимизировать точечные дефекты (вакансии селена), которые зачастую ухудшают электронные свойства InSe.

Темой InSe занимаются не первый десяток лет, вряд ли можно ожидать быстрого внедрения данного материала в практику полупроводникового производства даже после этого исследования – это займет еще годы.

--

За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги: селенид индия InSe перспективные материалы новые материалы

--