Экран-оптические системы  --   Участники рынка микроэлектроники России  --  Микроэлектроника 

Предприятие в Новосибирске. Входит в РАТМ-Холдинг. 

В 2019 году налажено производство пластин на основе GaAs. В феврале 2020 года сообщает о начале производства пластин на базе GaN. В планах - производство ЭКБ силовой электроники на основе GaN и GaaS.  

Выпускает электронно-оптические преобразователи для приборов ночного видения.

Экспортирует изделия более, чем в 50 стран, на 2020 год ставится задача расширения географии продаж. Также стоит задача повышения доли на российском рынке пластин GaAs, где сейчас доминируют иностранные поставщики. 

Андрей Гугучкин, ген.директор АО "Экран-оптические системы" ..2019.12.. 

Новости

2020.02.06 Новосибирский завод "Экран-оптические системы" приступил к производству нитридгаллиевых, GaN, пластин. Для этого ранее была приобретена установка молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) у компании Riber, Франция. Отработкой технологических процессов первоначально занимались в лаборатории МЛЭ ИФП СО РАН им. А.В.Ржанова.  Установка позволяет создавать пластины с полупроводниковыми гетероструктурами на основе арсенида галлия, GaAs, и нитрида галлия, GaN. Эти материалы, особенно GaN, считаются перспективными при изготовлении СВЧ-полупроводников, например, для оборудования 5G. Стоимость проекта оценивается в 30 млн евро. / futurerussia.gov.ru 

2019.12.26 Создано промышленное производство полупроводниковых гетероструктур соединений A3B5: введена в эксплуатацию установка электронно-лучевой эпитакции фирмы RIBER. Выпускаются подложки на основе GaAs. На втором этапе планируется наладить изготовление пластин GaN, что позволит выпускать приборы с мощностью не 1-2 Вт, как на базе GaAs, а 20-25 Вт. На третьем этапе планируется изготовление ЭКБ на основе GaN и GaAs для силовой электроники. 
Совокупный объем инвестиций - примерно 3 млрд рублей. / infopro54.ru

2019.08.29 На АО Экран-оптические системы готовится производство гетероструктур на основе арсенида галлия. Компания закупила установку молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) 4-го поколения фирмы Riber, Франция.
Отработкой технологического процесса для МЛЭ занимаются в лаборатории МЛЭ ИФП СО РАН им. А.В.Ржанова. Как ожидается, производительность установки будет составлять до 10 тысяч структур в год на подложках диаметром 100-150 мм.
Сейчас МЛЭ находится в режиме технического запуска. Технологический запуск намечен на 2020 год. Объем работы установки будет зависеть от заказов.
В РФ 4 установки МЛЭ (1 - в режиме наладки, 1 не запущена, 1 работает). Новосибирская установка - единственная за Уралом.
В рамках проекта планируется закупка оборудования для паспортизации и характеристики исследования выращенных структур.
Ожидаемые инвестиции: 2.8 млрд руб, из них 344 млн руб. на первом этапе. Источник: infopro54.ru  

2018.04.29 В Новосибирске на заводе “Экран-оптические системы” намерены запустить производство эпитаксиальных пластин на основе гетероструктур арсенида галлия, а позднее - нитрида галлия. Для этого закупается промышленная установка во Франции, которая будет размещена на территории Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН. Позднее будет приобретена и запущена вторая установка, которая станет работать с нитридом галлия. / sbras.info 

+

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике 

+ +