Компания Samsung заявила, что представит чипы V-NAND 9-го поколения с 290 слоями в мае 2024 года, а 430-слойную V-NAND 10-го поколения - в 2025 году. Об этом сообщает wccftech.com.

В целом, здесь нет чего-то совсем уж удивительного, все основные производители чипов памяти NAND Flash на сегодня создают новые чипы с упором, прежде всего, на наращивание числа слоев. Японская Kioxia, скажем, обещает к 2031 году массово производить 3D NAND Flash с числом слоев более 1000. Но, похоже, другие производители могут проскочить условный рубеж в 1000 слоев даже раньше. Та же Samsung в 2022 году объявляла о планах достижения 1000 слоев к 2030 году.

Гонка за лидерство в сегменте производителей памяти очень жесткая, почивать на лаврах не получится ни у кого. У Kioxia уже есть память BiCS 3D NAND 8-го поколения с 238 активными слоями, эти микросхемы компания представила в марте 2023 года. В Китае YMTC еще на сентябрь 2023 года выпускала чипы с 232 слоями. Топовые чипы V-NAND Samsung на сегодня - 236 слоев, то есть конкуренция идет, что называется «ноздря в ноздрю».

Тем не менее, 290 слоев - это заметный рывок вперед с текущих «до 240» слоев. Так что в ближайшие недели ждем других анонсов - от конкурентов.

Новый продукт Samsung с 290 слоями, как ожидается, будет отличаться рядом особенностей. Прежде всего, применением так называемой технологии «двойного стека» (double stacking), что позволяет «собрать» больше слоев за счет использования множества канальных отверстий. Эта технология не только позволяет эффективно управлять пакетом слоев, но и дешевле в производстве по сравнению с традиционными методами послойной укладки. Вопрос, конечно, насколько возрастают доля ошибок считывания/записи при использовании этого метода. Скорее всего всего в Samsung этим вопросом занимались, и результаты компанию устроили.

--

За новостями микроэлектроники удобно следить в телеграм-канале RUSmicro.

теги: микроэлектроника память NAND Flash числом слоев Samsung double stacking  зарубежные новости 

--