Компания Samsung Electronics объявила о запуске призводства кристаллов по технологическому процессу 7LPP 7 нм с использованием сканеров EUV (технология использования жесткого ультрафиолетового излучения для фотолитографии). Переход на 7 нм обещает выигрыш до 50% в энергопотреблении и до 20% в производительности процессоров.

Samsung Electronics сообщила, что завершила процесс разработки технологии и начала производство пластин по процессу 7LPP (7 нм Low Power Plus) с применением сканеров на жестком ультрафиолете для литографии.

Запуск поддержки 7LPP демонстрирует, что Samsung Electronics не намерена уступать свои позиции в качестве фаундри. Можно вспомнить, что TSMC, эта крупнейшая в мире фаундри, запустила выпуск кристаллов по техпроцессу 7 нм еще в 2q2018, а процесс 7 нм+ с применением EUV намеревается начать применять в начале 2019 года.

Это также должно демонстрировать приверженность Samsung заявленной ранее "дорожной карте", согласно которой компания не намерена останавливаться на 7 нм, а продолжит развитие техпроцесса вплоть до 3 нм - технология EUV это, как ожидается, позволит.

Возможность выпуска чипов по технологии 7LPP позволит клиентам Samsung Electronics создавать новые продукты в области 5G, ИИ, IoT и так далее.

Сканеры EUV используют для экспонирования кремниевых пластин свет лазера с длиной волны 13.5 нм. Альтернатива - это применение традиционного подхода с иммерсионными излучателями на базе флуорида аргона (ArF), которые работают с излучением с длиной волны 193 нм, что требует применения дорогих наборов масок для формирования необходимой топологии. Переход к EUV позволяет отказаться от использования четырех масок для создания одного слоя - вместо них достаточно одной маски. В среднем, переход на процесс 7LPP позволяет добиться не столь большого выигрыша, но и возможность сократить суммарное число масок на 20% - это хорошая возможность сэкономить время и деньги для клиентов.

Новый процесс также обещает повышение производительности в процессе дизайна, ускоряется разработка, поскольку можно забыть о сложных комбинированных масках. По-сравнению с 10 нм процессом, новый процесс позволяет сократить число слоев и на 40% нарастить эффективность использования поверхности.

В Samsung также заявляют, что смогли найти достаточно мощный узконаправленный лазерный источник УФ-излучения.

Поставщиком EUV сканеров для Samsung выступает компания ASML, Нидерланды. В 2018 году компания планирует продать до 20 EUV. Любопытно, что в условиях дефицита сканеров EUV, спрос на которые выше, чем их предложение, конкуренты обвиняют Samsung в том, что корейский производитель специально размещает заказы на избыточное число EUV, чтобы конкуренты не получили доступ к необходимому им оборудованию для освоения рубежа 7 нм.

Процесс освоения EUV в Samsung не был быстрым. Первые исследования в этой области начались еще в "нулевые годы". Оборудование EUV появилось на корейском заводе Samsung S3 Fab в Хвасоне (Hwaseong). К 2020 году в компании намерены развернуть еще одну производственную линию с EUV сканерами для клиентов с большим объемом заказов. В Samsung располагают таким уникальным инструментом, как система контроля маски, который позволяет выявлять и устранять дефекты в маске на ранней стадии.

В Samsung позаботились и о экосистеме, которой должна "обрасти" новая топология. Участники Samsung Advanced Foundry Ecosystem смогут обеспечить клиентов компании необходимой поддержкой для перехода к новой платформе 7LPP. В частности, этому помогут новые стандартные ячейки с высокой плотностью, интерфейсы работы с памятью HBM2/2e и интерфейсы 112G SerDes, SAFE.

А что в России? Вряд ли стоит напоминать, что отечественное производство и разработка на годы отстает от передовых зарубежных производств. О собственном производстве по техпроцессу 7 нм речь не идет даже в принципе.

фото в заголовке pixabay.com.