Микроэлектроника: В Китае создан 32-битный RISC-V процессор на 2D-пленке дисульфида молибдена тоньше 1нм

MForum.ru

Микроэлектроника: В Китае создан 32-битный RISC-V процессор на 2D-пленке дисульфида молибдена тоньше 1нм

06.04.2025, MForum.ru


Прежде всего, важно не путать, речь идет не о плотности расположения узлов (мир стремится к достижению показателей менее 2нм, 1.8нм, 1.6нм и даже к единицам ангстремов), а о толщине пленки полупроводника в 1нм. Понятно, что такой процессор можно изготовить без EUV-литографа, например, по технологии 65 нм или еще более зрелой.

Ученые из Национальной лаборатории интегральных схем и систем Университета Фудань научились наносить пленку MoS2 атомарной толщины из паровой фазы на подложки из сапфира. И формировать на этой пленке работающие структуры.

При этом до 70% оборудования - обычно оборудование традиционного кремниевого техпроцесса.

Ученые создали в этой пленке массив инверторов 30х30.

Пленка позволяет создавать транзисторы только n-типа, внести в нее примеси, чтобы получить p-проводимость, невозможно. Но уже давно известен набор способов, позволяющих обойти это ограничение. Как правило, речь идет о "хитрой" конфигурации контактов и управлении затвором (использование контактов с разной работой выхода, электрическое управление через подзатворную область, гибридные структуры с использованием других 2D-материалов, локальное легирование через интерфейсные слои, использование двойных затворов - подложечного и топ-затвора). Это позволяет имитировать p-тип проводимости в MoS2, что критически важно для создания CMOS-подобных логических схем на основе 2D-материала.

В итоге из массива инверторов китайским ученым удалось сформировать 5900 работающих транзисторов. Разработана также библиотека из 25 типов логических блоков.

Тактовая частота получилась очень скромной, всего лишь несколько килогерц, но все же и это - шаг вперед в некремниевой электронике, основанной на тонкопленочных технологиях.

Лишний раз убеждаемся, современные китайцы умеют в науку. И у них есть на это ресурсы, так что идей, приходящих из Китая будет все больше и больше. А учитывая, что путь от научной лаборатории к коммерческим изделиям в Китае явно проходят быстрее, то вскоре мы столкнемся и с волной передовых изделий придуманных и выпущенных впервые в Китае. Это может окончательно изменить расстановку сил в области технологического лидерства.

по материалам Nature

--

За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги: микроэлектроника тонкие пленки тонкопленочные 2D некремниевые

-- 

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

08.01. В Индии углубляют программу локализации производства электроники

10.12. Презентация НИИТМ "Отечественное технологическое оборудование для микроэлектроники. Кластеры ПХО, ПХТ"

10.11. Что такое ПХО (плазмохимическое осаждение) и ПХТ (плазмохимическое травление)

10.11. Особенности разработанного российского оборудования ПХО НИИТМ и ПХТ НИИТМ. Состав оборудования

06.11. Орбитальная установка МЛЭ Экран-М вырастила первые кристаллические пленки

21.07. В Китае подошли чуть ближе к практическому использованию селенида индия?

21.01. В Китае разработали технологию эпитаксиального выращивания тонких пленок перовскита

09.01. В Стенфордском институте придумали замену меди для тонких соединений в чипах

19.03. SK Hynix готов к поставке первой партии чипов памяти следующего поколения для систем ИИ

16.05. GS Group: ЭКБ и возможности корпусирования микросхем

03.11. SiC

04.11. Фотовольтаика

23.10.  Рынок оборудования для производства микроэлектроники

01.10.  Перспективные материалы и технологии

23.09.  Зарубежные участники рынка микроэлектроники

23.09. TSMC

05.10. Полупроводниковые пленки атомарной толщины могут ускорить компьютеры в миллионы раз

02.10. Прогресс в области полупроводников на основе висмута

04.03.  Термины рынка микроэлектроники

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 1 ms, lookup=0 ms, find=1 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:


Колонка редактора

08.05. Китай одобрил выделение спектра в диапазоне 6 ГГц для испытаний 6G

08.05. Кремниевые осцилляторы вместо кубитов - корейский путь к сверхбыстрым вычислениям

08.05. Канадский центр фотонного производства "приватизируют"

08.05. Intel передала студентам Вьетнама оборудование для сборки и тестирования микросхем

08.05. Huawei расширяет «офлайн-звонки»

08.05. Билайн в Тюменской области - покрытие 4G и домашний интернет расширены в восьми жилых комплексах

08.05. МегаФон в Оренбургской области - мобильный интернет ускорен в Бугуруслане

07.05. SpaceX представила планы строительства Terafab в Техасе с оценкой стоимости в $55 млрд

07.05. OpenAI завершила формирование совместного предприятия DeployCo с группой фондов прямых инвестиций

07.05. МТС запустил переводы для физлиц на кошельки WeChat Pay без комиссии

07.05. Билайн в Удмуртской республике - покрытие 4G обеспечено indoor-оборудованием в 4 ТЦ Ижевска

07.05. Росэл сообщает о начале серийного производства новой модификации отечественных светочувствительных КМОП-матриц с разрешением 4К

07.05. "Минцифры сообщает об отсутствии планов по отключению и ограничению мобильного интернета в Москве 7-8 мая"

07.05. МТС в Якутии - сеть LTE усилена в районе строительства Ленского моста

06.05. Индия дозрела до собственной низкоорбитальной группировки

Все статьи >>


Новости

08.05. OnePlus Nord CE6 Lite с 7000 мАч, 144 Гц LCD и Dimensity 7400 Apex представлен официально

08.05. OnePlus Nord CE6 с АКБ 8000 мАч, AMOLED-экраном 144 Гц и Snapdragon 7s Gen 4 представлен официально

07.05. Honor Play 11 Plus – 7000 мАч, 120 Гц AMOLED и Dimensity 6500 Elite за $320

07.05. Honor Play 70C – Helio G81 Ultra, 5300 мАч и Android 15 за $90

06.05. Honor Play 80 Plus – 7500 мАч, Snapdragon 4 Gen 4 и AI-кнопка за $249

06.05. Samsung Galaxy S27 Ultra получит переменную диафрагму в основной камере?

06.05. Samsung Galaxy A27 – круглый вырез камеры, Snapdragon 6 Gen 3 и 12 МП фронталка

05.05. Xiaomi Smart Band 10 Pro – 1.74" AMOLED, алюминиевый корпус и 21 день работы

05.05. iQOO 15T – 200 МП камера, 8000 мАч, 100 Вт и Dimensity 9500

05.05. Lenovo Legion Y70 (2026) – 2K-экран, 8000 мАч и SD 8 Gen 5

04.05. 7 мая представят Huawei Nova 15 Max – 8500 мАч, 50 МП RYYB и AMOLED

04.05. Moto G47 – 108 МП камера, FHD+ 120 Гц, Dimensity 6300 и защита MIL-STD-810H

04.05. iPhone Pro (2027) –изогнутый с 4-х сторон экран и подэкранная камера?

30.04. Tecno Spark 50 Pro 5G – Helio G100 Ultimate, 60 Вт и дизайн от Pova Curve 2

30.04. Официальные рендеры Moto G87 раскрывают 200 МП камеру, OLED-экран и дизайн как у G86

29.04. Poco C81 Pro – 6.9" 120 Гц, 6000 мАч и Unisoc T7250 за $99

29.04. Vivo TWS 5i – 50 часов работы, DeepX 3.0 и Bluetooth 5.4 за 17 долларов

29.04. Vivo Y600 Pro получил АКБ 10 200 мАч с зарядкой 90 Вт и IP69 при толщине 8.25 мм

29.04. Vivo Y600 Pro получил АКБ 10 200 мАч с зарядкой 90 Вт и IP69 при толщине 8.25 мм

28.04. Huawei Mate XT 2 – тройной складной смартфон с Kirin 9050 Pro и батареей 6000+ мАч