MForum.ru
06.04.2025,
Прежде всего, важно не путать, речь идет не о плотности расположения узлов (мир стремится к достижению показателей менее 2нм, 1.8нм, 1.6нм и даже к единицам ангстремов), а о толщине пленки полупроводника в 1нм. Понятно, что такой процессор можно изготовить без EUV-литографа, например, по технологии 65 нм или еще более зрелой.
Ученые из Национальной лаборатории интегральных схем и систем Университета Фудань научились наносить пленку MoS2 атомарной толщины из паровой фазы на подложки из сапфира. И формировать на этой пленке работающие структуры.
При этом до 70% оборудования - обычно оборудование традиционного кремниевого техпроцесса.
Ученые создали в этой пленке массив инверторов 30х30.
Пленка позволяет создавать транзисторы только n-типа, внести в нее примеси, чтобы получить p-проводимость, невозможно. Но уже давно известен набор способов, позволяющих обойти это ограничение. Как правило, речь идет о "хитрой" конфигурации контактов и управлении затвором (использование контактов с разной работой выхода, электрическое управление через подзатворную область, гибридные структуры с использованием других 2D-материалов, локальное легирование через интерфейсные слои, использование двойных затворов - подложечного и топ-затвора). Это позволяет имитировать p-тип проводимости в MoS2, что критически важно для создания CMOS-подобных логических схем на основе 2D-материала.
В итоге из массива инверторов китайским ученым удалось сформировать 5900 работающих транзисторов. Разработана также библиотека из 25 типов логических блоков.
Тактовая частота получилась очень скромной, всего лишь несколько килогерц, но все же и это - шаг вперед в некремниевой электронике, основанной на тонкопленочных технологиях.
Лишний раз убеждаемся, современные китайцы умеют в науку. И у них есть на это ресурсы, так что идей, приходящих из Китая будет все больше и больше. А учитывая, что путь от научной лаборатории к коммерческим изделиям в Китае явно проходят быстрее, то вскоре мы столкнемся и с волной передовых изделий придуманных и выпущенных впервые в Китае. Это может окончательно изменить расстановку сил в области технологического лидерства.
--
За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте
теги: микроэлектроника тонкие пленки тонкопленочные 2D некремниевые
--
Публикации по теме:
08.01.2026. В Индии углубляют программу локализации производства электроники
10.12.2025. Презентация НИИТМ "Отечественное технологическое оборудование для микроэлектроники. Кластеры ПХО, ПХТ"
10.11.2025. Что такое ПХО (плазмохимическое осаждение) и ПХТ (плазмохимическое травление)
10.11.2025. Особенности разработанного российского оборудования ПХО НИИТМ и ПХТ НИИТМ. Состав оборудования
06.11.2025. Орбитальная установка МЛЭ Экран-М вырастила первые кристаллические пленки
21.07.2025. В Китае подошли чуть ближе к практическому использованию селенида индия?
21.01.2025. В Китае разработали технологию эпитаксиального выращивания тонких пленок перовскита
09.01.2025. В Стенфордском институте придумали замену меди для тонких соединений в чипах
19.03.2024. SK Hynix готов к поставке первой партии чипов памяти следующего поколения для систем ИИ
16.05.2023. GS Group: ЭКБ и возможности корпусирования микросхем
03.11.2021. SiC
04.11.2019. Фотовольтаика
23.10.2019.
Рынок оборудования для производства микроэлектроники
01.10.2019.
Перспективные материалы и технологии
23.09.2019.
Зарубежные участники рынка микроэлектроники
23.09.2019. TSMC
05.10.2018. Полупроводниковые пленки атомарной толщины могут ускорить компьютеры в миллионы раз
02.10.2018. Прогресс в области полупроводников на основе висмута
04.03.2018.
Термины рынка микроэлектроники
10.07. SpaceX Gen3 - все более грандиозная программа
10.07. Корпоративные сети бизнеса в 2026 году - аналитический обзор
10.07. Fab2 – фаб фабов или как гаражный проект стал бизнесом, востребованным в отрасли
10.07. Micron увеличивает заявленные инвестиции в США до $250 млрд
09.07. МТС установил систему видеонаблюдения в ЖК в центре Благовещенска
08.07. SpaceX запустила первый в мире коммерческий спутник с бета-вольтаическим источником энергии
08.07. Yadro объявляет о начале приема на совместные программы с МФТИ, ИТМО, МИЭТ и ВШЭ
08.07. Мошенники продолжают звонить – 26% от нежелательных вызовов приходятся на 5 регионов
08.07. МегаФон расширил сеть в Новоаннинском районе Волгоградской области
08.07. Билайн запустил новые БС 4G в пригороде Самары и в селах области
07.07. МегаФон объединил программных роботов на единой платформе Zephyr
07.07. Минцифры собирается решить проблему доступа к земельным участкам «по-китайски»
07.07. Элемент будет готовить кадры по микроэлектронике во Вьетнаме
10.07. Realme Narzo 100x 5G с батареей 8000 мАч и 144 Гц-дисплей представят 15 июля
10.07. HMD Arc 2 - бюджетник с улучшенным процессором и минимальными изменениями
10.07. Redmi Note 17 Pro – 9000 мАч, 5-летняя защита аккумулятора и бесплатная замена батареи
09.07. Появились первые слухи о Vivo V80 – дисплей 144 Гц, батарея 7200 мАч и перископная камера
09.07. Характеристики iQOO Z11 для Индии будут отличаться от глобальной версии
08.07. Nothing Ear (3a) – бюджетные наушники с записью разговоров и 42 часами автономност
08.07. Nothing Phone (4b) – доступный смартфон с большой батареей и фирменным дизайном
08.07. Honor Robot Phone может выйти в августе 2026 года
07.07. Vivo Y500 дебютировал на глобальном рынке с батареей 8100 мАч
07.07. Moto G77 Power официально представлен перед релизом 8 июля
07.07. Раскрыты ключевые характеристики Vivo X300e – АКБ 7100 мАч, перископный зум и плоский экран
06.07. Samsung Galaxy Jump 5 – операторский аппарат на базе Galaxy A27 5G
06.07. Vivo Pad 5c – доступный планшет с 144 Гц, Snapdragon 8s Gen 3 и батареей 10 000 мАч
03.07. Huawei Band 11, Band 11 Metal и Band 11 Pro – доступные фитнес-браслеты с AMOLED-экранами и GNS
03.07. Данные о Samsung Galaxy A18 показали обновление стратегии и отказ от Exynos
02.07. Redmi K90 Ultra получил Snapdragon 8 Elite, активное охлаждение и батарею 8550 мАч
02.07. Nothing Phone (4b) – дата анонса, ключевые характеристики и дизайн
01.07. Ключевые характеристики Samsung Galaxy Z Fold8 раскрыты до анонса
01.07. OnePlus N6 дебютировал в Индии: 8000 мАч, Dimensity 6360 Max и цена от $243
01.07. В iPhone 2027 экраны останутся прежними — 60 Гц у iPhone 18e и 120 Гц у остальных