Каждая микросхема - это результат сотен технологических операций, проводимых на поверхности кремниевой пластины, где размещены сотни или тысячи изделий, в зависимости от их размера. Для большинства микросхем процессы травления и осаждения составляют порядка 50% от количества основных операций.

Процесс плазмохимического осаждения (ПХО, англ. CVD) - это технологический процесс создания тонкой, как правило, диэлектрической пленки на поверхности полупроводниковой пластины. Далее на этой пленке создается фотолитографическая маска: с ее помощью удаляется лишний материал сформированного сплошного слоя, при этом требуемые участки изоляции остаются.

Плазмохимическое травление (ПХТ, англ. dry etching) - это технологический процесс удаления материала из заданных областей на поверхности полупроводниковой пластины. Области травления определяются фотолитографической маской, которая оставляет открытыми те участки поверхности, которые необходимо подвергнуть травлению. 

- - 

CVD - от англ. Chemical Vapor Deposition - процесс химического осаждения (ПХО)

процесс химического осаждения из газовой фазы, широко используемый в полупроводниковом производстве для нанесения тонких пленок на поверхность подложки.

Принцип работы:

• Газ-предшественник (прекурсор) поступает в реакционную камеру, содержащую нагретую подложку.
• Под действием высокой температуры или плазмы происходит химическая реакция, в результате которой на поверхности подложки осаждается тонкий слой необходимого материала (например, SiO2​, TiN, W и т.д.).
• Остаточные газы удаляются из камеры.

Основные компоненты установки CVD:

• Камера: Вакуумная или низко-вакуумная среда для проведения реакции.
• Нагреватель: Для подогрева подложки до необходимой температуры.
• Система подачи газа: Подает газ-предшественник в камеру.
• Система откачки: Удаляет остаточные газы из камеры.

Применение:

• Формирование диэлектрических слоев (например, SiO2​).
• Создание металлических и нитридных слоев (например, $\mathrm{TiN}$, $\mathrm{W}$).
• Осаждение полупроводниковых материалов (например, GaAs, InP).

Таким образом, CVD является ключевым процессом в полупроводниковом производстве, обеспечивающим создание тонких и однородных пленок с заданными свойствами.

- -

Wet Etching или Wet Chemical Etching - процесс химического травления, ПХТ

Химическое травление (Wet Etching) — это процесс удаления слоев материала с поверхности полупроводниковой подложки с помощью растворов кислот, щелочей или солей. Раствор проникает в структуру материала и избирательно удаляет определённые слои, оставляя другие нетронутыми.

Принцип работы:

• Подложка погружается в ванну с раствором травителя.
• Химическая реакция протекает на поверхности материала, удаляя слои в соответствии с заданными параметрами.
• Процесс контролируется температурой раствора, концентрацией кислоты или щелочи и временем экспозиции.

Основные компоненты установки:

• Ванна: Емкость с травящим раствором.
• Система циркуляции: Поддерживает температуру и гомогенизацию раствора.
• Система слива: Удаляет отработанный раствор.

Применение:

• Формирование окон и рисунков на поверхности полупроводника.
• Удаление дефектных или ненужных слоев.
• Подготовка поверхности перед нанесением новых материалов.

Таким образом, химическое травление является важным этапом в полупроводниковом производстве, обеспечивающим точное удаление материала и формирование структуры полупроводниковых устройств.

Оглавление материалов по теме ПХО и ПХТ - здесь

--

За новостями наземного и спутникового телекома удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости телекома, новости искусственного интеллекта и ЦОД вы найдете в канале abloudRealTime, новости микроэлектроники можно найти в моем канале RUSmicro, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги: микроэлектроника ПХО ПХТ плазмохимического производственное оборудование Элемент НИИМЭ НИИТМ

--