Микроэлектроника: В России разработали сверхминиатюрный интегральный электрооптический модулятор

MForum.ru

Микроэлектроника: В России разработали сверхминиатюрный интегральный электрооптический модулятор

23.02.2026, MForum.ru


Рекордно малые размеры и низкие потери сигнала в разработанном учеными МГТУ им. Н.Э.Баумана и ВНИИА им. Н.Л.Духова интегральном электрооптическом модуляторе достигаются за счёт использования технологического подхода, основанного на использовании нитрида кремния (SiN) и прозрачных проводящих оксидов (transparent conductive oxide, TCO), а также применения сверхтонких плёнок активного материала с прецизионным контролем их свойств.

До сих пор модуляторы, как правило, формировали на основе ниобата лития, типовые размеры таких устройств измеряются в миллиметрах. Новая российская разработка позволяет сократить размеры примерно на 2 порядка.

Нитрид кремния пробовали применить и раньше, поскольку этот материал обещает низкие потери сигнала, но не получалось добиться быстрого управления сигналом.

В основе новой разработки:

 

Сверхминиатюрный интегральный электрооптический модулятор на основе нитрида кремния (SiN)

 

🔹 Структура из 5 тонких слоев, что позволило создать модулятор с размерами менее 10 мкм, способный управлять сигналом с частотой выше 1 ГГц;

🔹 Использование активного слоя из прозрачного проводящего оксида (например, это может быть оксид индия-олова, ITO) толщиной 10-20нм. Этот материал демонстрирует (https://www.nature.com/articles/s41598-022-09973-5) выраженный электрооптический эффект: при подаче электрического потенциала изменяется концентрация свободных носителей заряда, что вызывает изменение оптических свойств материала, позволяя регулировать прохождение светового сигнала;

🔹 Была разработана технология формирования ультратонких пленок (ITO), позволяющая получать воспроизводимые, стабильные характеристики;

🔹 За счет прецизионного контроля оптических и электрических параметров активного слоя на всех этапах технологического процесса, ученые смогли добиться низкого уровня вносимых потерь в 5.7 дБ.

🔹 Нитрид кремния хорош тем, что это технология хорошо сочетается с существующими кремниевыми техпроцессами, что обещает возможность создания компактных ФИС.

 

Сверхминиатюрный интегральный электрооптический модулятор на основе нитрида кремния (SiN)

 

Работы над проектом шли с 2018 года. Результаты были опубликованы в научных журналах, таких как Scientific Reports и Applied Physics Letters.

по материалам Функциональные микро / наносистемы, фото - источника

--

За новостями наземного и спутникового телекома удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости телекома, новости искусственного интеллекта и ЦОД вы найдете в канале abloudRealTime, новости микроэлектроники можно найти в моем канале RUSmicro, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги: микроэлектроника перспективные материалы фотоника нитрид кремния электрооптические модуляторы

-- 

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

17.03. В Индии усиливают кооперацию с европейскими лидерами в области ФИС

16.03. STMicroelectronics в четыре раза увеличит выпуск кремниевой фотоники для ИИ-датацентров

16.03. Сканирующий микроспектрометр LS RamBo 620 получил подтверждение российскости

12.03. UMC и HyperLight объединили усилия для массового производства чиплетов на основе TFLN

10.03. Salience Labs представила полностью оптический 32-портовый коммутатор для сетей ИИ-ЦОД

10.03. Потери света в фотонных чипах приближены к показателям оптоволокна

08.12. В Зеленограде открылся Московский центр фотоники

04.12. Китайская MTC поставила небольшую партию DFB-чипов собственного производства и готовится двигаться к EML и микросветодиодам для оптической связи

20.11. ГК Элемент хочет создать фаундри-центр кремниевой фотоники к концу 2027 года

23.06. В Китае создали кремниевый фотонный мультиплексор. Или не создали

05.06. GlobalFoundries увеличивает инвестиционные планы до $16 млрд

03.03. Новый фотонный чип Google передает данные со скоростью 10 Гбит/c по воздуху без оптоволокна

21.02. STMicro выпустит фотонный чип, разработанный совместно с Amazon для ЦОД ИИ

20.01. Nvidia и TSMC договорились о партнерстве с целью разработки современной кремниевой фотоники для ИИ

20.01. Ключевые участники рынка кремниевой фотоники - оценка Stats n Data

10.01. Компания Imec сообщает о полномасштабном производстве наногребневых GaAs лазеров на пластинах 300 мм

13.11. ЕС инвестирует $142 млн в Нидерландах для производства фотоники

06.03. Фотоника. В России создана новая рабочая группа по фотонным интегральным схемам

28.02. В Гонконге разработали микроволновой фотонный чип, способный на порядки повысить доступные скорости беспроводной передачи данных

17.02. В России экспериментируют с селенидом галлия - материал признан перспективным для использования в решениях 6G

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 2 ms, lookup=1 ms, find=1 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:


Колонка редактора

26.04. Imec интегрировал модуляторы из ниобата и танталата лития на платформу кремниевой фотоники

26.04. Балтийские страны построят сплошное покрытие 5G вдоль автомагистрали Via Baltica

24.04. Производство фоторезистов в Японии оказалось под угрозой из-за энергокризиса

24.04. Cisco представила универсальный квантовый коммутатор для будущего квантового интернета

24.04. «Билайн бизнес» внедрил LLM-агента на горячей линии «Ренессанс страхование»

24.04. Почему в России растет зарубежный трафик?

24.04. Рикор выпустил обновления прошивки для смартфонов Rikor

24.04. Создатели DeepSeek утверждают, что новая версия китайского ИИ обошла ChatGPT и Gemini в существенных тестах

24.04. МТС в Иркутской области - покрытие расширено поддержкой LTE900 на трассе «Байкал»

21.04. Сделка на миллиард - американцы купили израильский стартап DustPhotonics

21.04. Билайн в Оренбургской области - покрытие 4G расширено новыми базовыми станциями в шести селах

21.04. Как будет меняться ландшафт российских дата-центров в ближайшие годы

21.04. МТС в Забайкальском крае - сеть LTE запущена в сёлах Савво-Борзя и Верхний Тасуркай

21.04. МегаФон в Ханты-Мансийском автономном округе - сеть LTE расширена новым оборудованием в Сургуте

20.04. В ГИСП появился новый отечественный малопотребляющий микроконтроллер К1890КП018

Все статьи >>


Новости

24.04. Honor 600 и 600 Pro – 200 МП камера, IP69K и дизайн в стиле iPhone 17 Pro

24.04. Poco M8s 5G – 7000 мАч, 144 Гц и Snapdragon 6s Gen 3 за $189

24.04. iPhone 18 получит дисплей M12+, как у iPhone 14 Pro, а Pro-версии — новый M16

23.04. OnePlus Watch 4 – титановый корпус, Wear OS 6 и 16 дней работы

23.04. Motorola Edge 70 Pro – 6500 мАч, 90 Вт, три 50 МП камеры и защита IP69

23.04. Oppo Find X9 Ultra – двойной 200 МП перископ, 10x оптический зум и Hasselblad

22.04. Redmi K90 Max – первый смартфон Xiaomi со встроенным вентилятором и Dimensity 9500

22.04. Redmi Pad 2 SE 4G – дисплей 9.7"/2K@120 Гц и АКБ 7600 мАч за 205 долларов

22.04. Tecno Pop X 5G – горизонтальная камера, 6500 мАч с 45 Вт и FreeLink за 15 999 рупий

21.04. Huawei Pura 90 – асимметричная камера, АКБ 6500 мАч и Kirin 9010S за 4699 юаней

21.04. Huawei Pura 90 Pro и Pro Max – 200 МП перископ, LOFIC-матрица и двухцветный металл

21.04. Huawei Pura X Max – раскладной смартфон с Kirin 9030 Pro

21.04. Huawei Watch FIT 5 Pro – 1.92" LTPO AMOLED 3000 нит, ECG и датчик глубины

20.04. Sony Xperia 1 VIII получит квадратную камеру вместо вертикальной полоски

20.04. OnePlus Buds Ace 3 обеспечат 55 дБ шумоподавления и 54 часа работы

20.04. OnePlus Pad 4 получил Snapdragon 8 Elite Gen 5, 13.2" 3.4K 144 Гц и батарею 13 380 мАч

17.04. OnePlus Nord CE 6 Lite – Dimensity 7400, 7000 мАч, а AMOLED заменили на LCD

17.04. Oppo Reno16 Pro получит камеру 200 МП, перископ, Dimensity 9500s и батарея 7000+ мАч

16.04. Vivo T5 Pro – 9020 мАч, 90 Вт, IP69 и Snapdragon 7s Gen 4 от 29 999 рупий

16.04. Oppo F33 и F33 Pro – ребрендинг с AMOLED, 7000 мАч и IP69K