Китайская компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) намерена начать серийное производство 64-слойных чипов флэш-памяти 3D NAND еще до конца 2019 года. Но не хочет этим ограничиваться. Сейчас идут переговоры с материнской компанией Tsinghua Unigroup о получении прав на продажу как чипов, так и устройств хранения данных на базе этих чипов.

Первоначально YMTC будет работать в тандеме с Beijing Unis Memory Technology, еще одним филиалом Tsinghua Unigroup, который будет продавать решения на базе чипов флэш-памяти YMTC, такие как SSD и устройства UFC.

В YMTC также хотели бы получить право на производство и продажу собственных продуктов на базе чипов 3D NAND, выпускаемых по архитектуре Xtacking, а именно устройств хранения данных. Начало производства 64-слойных чипов 3D NAND на YMTC ожидается в 3q2019, благо уровень доходности процесса улучшился и сейчас является удовлетворительным, чтобы устанавливать на эти изделия такие цены, по которым их готовы приобретать производители бытовой электроники.

На чипы 3D NAND нацелился и другой крупный потребитель. Компания Longsys Electronics намерена производить собственный флэш-накопитель из полностью китайских компонентов. Longsys уже установила тесные контакты с Tsinghua Unigroup в рамках стратегического альянса, договор о котором стороны подписали в ноябре 2018 года. Источник: digitimes.com

Сэмплы 64-слойных микросхем 3D NAND были готовы у YMTC еще в конце 2018 года.

Компания YMTC заявляла об инвестициях в размере $2 млрд в 2018 году. Как ожидается, это позволит довести производственную мощность предприятия до примерно 100 тысяч 300-мм пластин в месяц к 2020 году, а после запуска всех трех строящихся фабрик, мощность может вырасти до 350-400 пластин в месяц.

Желание компаний, выпускающих ИМС, производить не только чипы, но и конечные изделия, сейчас все чаще заметно на рынке производства полупроводников. Станет ли это настоящим трендом?

+

За новостями микроэлектроники и полупроводников удобно следить в телеграм-канале RUSmicro

теги: микроэлектроника полупроводники память NAND