MForum.ru
20.02.2022,
Вопросы энергоэффективности электроники и вычислительной техники становятся все более актуальными, давит и "зеленая повестка" и рост цен на электроэнергию. Разработчик полупроводников Cambridge GaN Devices Ltd (CGD) обещает, что переход с традиционных кремниевых приборов на приборы на основе GaN в блоках питаниях серверов поможет повысить энергоэффективность центров обработки данных.
Проект компании под названием ICeData призван сделать коммерчески целесообразным и массовым использование полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия (GaN) в блоках питания серверов, предназначенных для использования в ЦОД.
В компании говорят о потенциале сокращения ежегодных выбросов CO2 на мегатонны.
Понижение напряжения в блоках питания современных серверов как правило обеспечивают кремниевые полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET). Вместо них предлагается использовать в блоках питания серверов компоненты на основе нитрида галлия, материала, который обладает более широкой "запрещенной зоной". Что позволит довести энергоэффективность блоков питания до 98%.
Чипы GaN действительно могут эффективно работать в блоках питания, причем они как правило позволяют уменьшить размеры устройства. Минус приборов на базе GaN - их сравнительно высокая цена. Из-за того, что до последнего времени GaN-приборы производились сравнительно небольшими тиражами, цена на них оставались всегда более высокой, чем на традиционные кремниевые приборы. В итоге области использования GaN-полупроводников остаются менее широкими, хотя эти приборы уже вовсю применяют в таких передовых технологиях, как LIDAR и беспроводных передатчиках энергии.
В CGD уверены, что ее запатентованная технология изготовления транзисторов ICeData, позволит технологии на основе GaN перестать быть нишевой. Массовое производство и массовый спрос на GaN-приборы позволили бы производителям снизить цену до уровней, которые бы сделали приемлемой применение чипов GaN в массовых импульсных источниках питания (SMPS). Такие источники питания сейчас обычно применяют в серверах. Переход на блоки питания на основе GaN-приборов позволил бы владельцам сократить эксплуатационные расходы на энергосистемы ЦОД примерно на 10%.
Особенность технологии ICeData состоит в том, что она позволяет управлять транзистором на основе GaN без необходимости в специальном драйвере, чего, как заявляются в CGD, до сих пор никто другой на рынке не предлагал. Вдобавок соответствующий прибор обладает "интеллектуальными" встроенными функциями для защиты и выявления проблем, что повышает надежность устройства, так как позволяет отказаться от использования дополнительных компонентов, которые обычно призваны решать эти задачи. Встроенные в чип цепи контроля и защиты реагируют в течение наносекунд на броски тока или перегрев, что позволяет вовремя защитить полупроводниковый прибор и систему питания прибора.
В CGD обещают, что подготовят готовый к массовому выпуску набор решений для блоков питания на основе приборов GaN В компании прогнозируют рост рынка GaN-приборов с текущего уровня в несколько миллионов долларов в год до более, чем $1,1 млрд к 2026 году. Этому будет способствовать практически экспоненциальный рост спроса на хранение и обработку данных, который усилили "антипандемийные" меры. На сегодня ЦОД всего мира потребляют уже 2% от всего мирового энергопотребления, эта цифра будет только расти. В этом плане технологию на основе GaN в компании называют "зеленой технологией", поскольку она может помочь заметно сократить выбросы CO2, и повысить энергоэффективность центров хранения и обработки данных.
По материалам: datacenterdynamics.com
--
За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. телеграм-трансляции и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime , также подписывайтесь на Facebook-страницу Алексея Бойко - Телеком новости.
теги: микроэлектроника GaN
Публикации по теме:
10.03. ROHM лицензирует GaN‑технологии у TSMC - новый этап в производстве силовых устройств
03.03. В Сибири изучают возможности создания элементов памяти на квантовых точках
16.02. Крупнейший в мире производитель полупроводников GaAs ожидает взрывной рост спроса на них
20.01. Президенты Кореи и Италии договорились об укреплении сотрудничества в области ИИ и микроэлектроники
18.01. Эволюция силовых полупроводников. Широкозонные материалы
18.01. Изменения на рынке DAO - большие пластины, более широкий ассортимент
16.01. Производство структур на пластинах – оценки и прогнозы PwC
11.01. Переход на GaN-чипы на телекоммуникационном рынке
04.01. Чипы на SiC и GaN на пластинах 200 и 300 мм - главные тренды 2025 года
22.12. Американская компания onsemi будет создавать GaN-технологии вместе с китайской
30.11. Китай обваливает мировые цены широкозонных полупроводников
25.06. ERG планирует начать производство галлия в Казахстане с 2026 года
05.06. GlobalFoundries увеличивает инвестиционные планы до $16 млрд
15.01. Axiom Space задумывается о производстве полупроводниковых материалов в космосе
11.03. Микроэлектроника в Японии
11.03. ROHM
22.02. В Китае выпустили мощный СВЧ-чип на базе алмаза для устройств РЭБ
01.04. МТС испытала «летающую базовую станцию» на аэростате в Саратовской области
01.04. Российской частной спутниковой связи выделили частоты - для тестов
25.03. SK Hynix разместила у ASML крупнейший публичный заказ на EUV-оборудование на $8 млрд
25.03. МегаФон в Красноярском крае - покрытие 4G расширено в 16 муниципальных округах
25.03. МТС в Республике Бурятия - мобильный интернет ускорен в курортном поселке Жемчуг
24.03. Норвежский стартап Lace Lithography привлек $40 млн на литографию с атомарным разрешением
24.03. Билайн в Санкт-Петербурге - мобильный интернет оператора в метро признан лучшим по оценкам DMTEL
24.03. Билайн бизнес сообщает о расширении возможностей связи для предпринимателей
24.03. Кризис расползается по цепочке поставок
24.03. TSMC наращивает мощности в США, спрос на чипы высок, а выручка в 2026 году может вырасти на 30%
24.03. МТС в Приморском крае организовал новый трансграничный переход интернет-трафика с China Mobile
24.03. Запущены первые 16 спутников БЮРО 1440
23.03. В России могут начать работы над литографом для техпроцесса 90 нм в 2026 году
02.04. Oppo K15 Pro – киберпанк-дизайн, активное охлаждение и батарея 7500 мАч
02.04. Рендеры Sony Xperia 1 VIII показывают квадратный блок камер и вырез в экране
02.04. Vivo Pad 6 Pro – 13.2-дюймовый 4K-экран, АКБ 13 000 мАч и Snapdragon 8 Elite Gen 5
01.04. Lava Bold N2 Pro – меньше и дешевле, чем обычный Bold N2
01.04. Утечка раскрывает характеристики HMD Crest 2 Pro
31.03. Vivo X300 Ultra – 200 МП телевик с гиростабилизацией и почти дюймовый 35-мм модуль
31.03. Vivo X300s – 200 МП основная камера, АКБ 7100 мАч и цена от 720 долларов
31.03. Бюджетный Realme Narzo 100 Lite получит 3 конфигурации памяти
30.03. Все iPhone 18 получат уменьшенный Dynamic Island, но рамки останутся прежними
30.03. OnePlus Nord CE6 Lite получит Dimensity 6300, батарея 7000 мАч и цену до 23 000 рупий
27.03. Представлены iQOO Z11 и Z11x – 9050 мАч, 165 Гц и IP69 за 290 долларов
27.03. iPad (2026) получит чисет A18, 8 ГБ RAM и тот же дизайн
26.03. Vivo X300s – 200 МП, перископ, батарея 7100 мАч и защита IP69
26.03. Представлены Samsung Galaxy A57 и A37 с IP68, Exynos 1680 и прежними камерами
25.03. OnePlus 15T – компактный флагман с батареей 7500 мАч, защитой IP69K и экраном 165 Гц
25.03. Samsung Galaxy Z Fold8 – 200 МП, 8-дюймовый экран и батарея 5000 мАч
25.03. Первый тизер Tecno Spark 50 5G раскрывает дизайн новинки
24.03. Huawei Enjoy 90 Plus и Enjoy 90 – Kirin 8000, батареи 6620 мАч и доступные цены
24.03. Huawei Enjoy 90 Pro Max – Kirin 8000, батарея 8500 мАч и экран 120 Гц за 250 долларов
23.03. Redmi 15A 5G – 6300 мАч и 120 Гц за «реальные деньги»