Микроэлектроника: Переход на GaN обещает сокращение энергопотребления серверов и ЦОД

MForum.ru

Микроэлектроника: Переход на GaN обещает сокращение энергопотребления серверов и ЦОД

20.02.2022, MForum.ru


Вопросы энергоэффективности электроники и вычислительной техники становятся все более актуальными, давит и "зеленая повестка" и рост цен на электроэнергию. Разработчик полупроводников Cambridge GaN Devices Ltd (CGD) обещает, что переход с традиционных кремниевых приборов на приборы на основе GaN в блоках питаниях серверов поможет повысить энергоэффективность центров обработки данных.

Проект компании под названием ICeData призван сделать коммерчески целесообразным и массовым использование полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия (GaN) в блоках питания серверов, предназначенных для использования в ЦОД. 

В компании говорят о потенциале сокращения ежегодных выбросов CO2 на мегатонны. 

Понижение напряжения в блоках питания современных серверов как правило обеспечивают кремниевые полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET). Вместо них предлагается использовать в блоках питания серверов компоненты на основе нитрида галлия, материала, который обладает более широкой "запрещенной зоной". Что позволит довести энергоэффективность блоков питания до 98%. 

Чипы GaN действительно могут эффективно работать в блоках питания, причем они как правило позволяют уменьшить размеры устройства. Минус приборов на базе GaN - их сравнительно высокая цена. Из-за того, что до последнего времени GaN-приборы производились сравнительно небольшими тиражами, цена на них оставались всегда более высокой, чем на традиционные кремниевые приборы. В итоге области использования GaN-полупроводников остаются менее широкими, хотя эти приборы уже вовсю применяют в таких передовых технологиях, как LIDAR и беспроводных передатчиках энергии. 

В CGD уверены, что ее запатентованная технология изготовления транзисторов ICeData, позволит технологии на основе GaN перестать быть нишевой. Массовое производство и массовый спрос на GaN-приборы позволили бы производителям снизить цену до уровней, которые бы сделали приемлемой применение чипов GaN в массовых импульсных источниках питания (SMPS). Такие источники питания сейчас обычно применяют в серверах. Переход на блоки питания на основе GaN-приборов позволил бы владельцам сократить эксплуатационные расходы на энергосистемы ЦОД примерно на 10%. 

Особенность технологии ICeData состоит в том, что она позволяет управлять транзистором на основе GaN без необходимости в специальном драйвере, чего, как заявляются в CGD, до сих пор никто другой на рынке не предлагал. Вдобавок соответствующий прибор обладает "интеллектуальными" встроенными функциями для защиты и выявления проблем, что повышает надежность устройства, так как позволяет отказаться от использования дополнительных компонентов, которые обычно призваны решать эти задачи. Встроенные в чип цепи контроля и защиты реагируют в течение наносекунд на броски тока или перегрев, что позволяет вовремя защитить полупроводниковый прибор и систему питания прибора. 

В CGD обещают, что подготовят готовый к массовому выпуску набор решений для блоков питания на основе приборов GaN  В компании прогнозируют рост рынка GaN-приборов с текущего уровня в несколько миллионов долларов в год до более, чем $1,1 млрд к 2026 году. Этому будет способствовать практически экспоненциальный рост спроса на хранение и обработку данных, который усилили "антипандемийные" меры. На сегодня ЦОД всего мира потребляют уже 2% от всего мирового энергопотребления, эта цифра будет только расти. В этом плане технологию на основе GaN в компании называют "зеленой технологией", поскольку она может помочь заметно сократить выбросы CO2, и повысить энергоэффективность центров хранения и обработки данных. 

По материалам: datacenterdynamics.com 

--

За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. телеграм-трансляции и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime ,  также подписывайтесь на Facebook-страницу Алексея Бойко - Телеком новости.

теги: микроэлектроника GaN

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

10.03. ROHM лицензирует GaN‑технологии у TSMC - новый этап в производстве силовых устройств

03.03. В Сибири изучают возможности создания элементов памяти на квантовых точках

16.02. Крупнейший в мире производитель полупроводников GaAs ожидает взрывной рост спроса на них

20.01. Президенты Кореи и Италии договорились об укреплении сотрудничества в области ИИ и микроэлектроники

18.01. Эволюция силовых полупроводников. Широкозонные материалы

18.01. Изменения на рынке DAO - большие пластины, более широкий ассортимент

16.01. Производство структур на пластинах – оценки и прогнозы PwC

11.01. Переход на GaN-чипы на телекоммуникационном рынке

08.01. Aegis Aerospace и United Semiconductors запускают коммерческое производство полупроводников в космосе

04.01. Чипы на SiC и GaN на пластинах 200 и 300 мм - главные тренды 2025 года

01.01. Орбитальное производство полупроводников – британская Space Forge получила плазму в условиях автономного коммерческого спутника

22.12. Американская компания onsemi будет создавать GaN-технологии вместе с китайской

10.12. Презентация НИИТМ "Отечественное технологическое оборудование для микроэлектроники. Кластеры ПХО, ПХТ"

30.11. Китай обваливает мировые цены широкозонных полупроводников

25.06. ERG планирует начать производство галлия в Казахстане с 2026 года

05.06. GlobalFoundries увеличивает инвестиционные планы до $16 млрд

15.01. Axiom Space задумывается о производстве полупроводниковых материалов в космосе

11.03. Микроэлектроника в Японии

11.03. ROHM

22.02. В Китае выпустили мощный СВЧ-чип на базе алмаза для устройств РЭБ

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 2 ms, lookup=0 ms, find=2 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:


Колонка редактора

01.04. МТС испытала «летающую базовую станцию» на аэростате в Саратовской области

01.04. Российской частной спутниковой связи выделили частоты - для тестов

25.03. SK Hynix разместила у ASML крупнейший публичный заказ на EUV-оборудование на $8 млрд

25.03. МегаФон в Красноярском крае - покрытие 4G расширено в 16 муниципальных округах

25.03. МТС в Республике Бурятия - мобильный интернет ускорен в курортном поселке Жемчуг

24.03. Норвежский стартап Lace Lithography привлек $40 млн на литографию с атомарным разрешением

24.03. Билайн в Санкт-Петербурге - мобильный интернет оператора в метро признан лучшим по оценкам DMTEL

24.03. Билайн бизнес сообщает о расширении возможностей связи для предпринимателей

24.03. Кризис расползается по цепочке поставок

24.03. TSMC наращивает мощности в США, спрос на чипы высок, а выручка в 2026 году может вырасти на 30%

24.03. МТС в Приморском крае организовал новый трансграничный переход интернет-трафика с China Mobile

24.03. Практика российских бигтехов – только 7-10% пилотных ИИ-проектов 2025 года дошли до полноценного внедрения

24.03. Запущены первые 16 спутников БЮРО 1440

23.03. В России могут начать работы над литографом для техпроцесса 90 нм в 2026 году

23.03. Samsung Electronics вложит рекордные 110 трлн вон

Все статьи >>


Новости

02.04. Oppo K15 Pro – киберпанк-дизайн, активное охлаждение и батарея 7500 мАч

02.04. Рендеры Sony Xperia 1 VIII показывают квадратный блок камер и вырез в экране

02.04. Vivo Pad 6 Pro – 13.2-дюймовый 4K-экран, АКБ 13 000 мАч и Snapdragon 8 Elite Gen 5

01.04. Lava Bold N2 Pro – меньше и дешевле, чем обычный Bold N2

01.04. Утечка раскрывает характеристики HMD Crest 2 Pro

31.03. Vivo X300 Ultra – 200 МП телевик с гиростабилизацией и почти дюймовый 35-мм модуль

31.03. Vivo X300s – 200 МП основная камера, АКБ 7100 мАч и цена от 720 долларов

31.03. Бюджетный Realme Narzo 100 Lite получит 3 конфигурации памяти

30.03. Все iPhone 18 получат уменьшенный Dynamic Island, но рамки останутся прежними

30.03. OnePlus Nord CE6 Lite получит Dimensity 6300, батарея 7000 мАч и цену до 23 000 рупий

27.03. Представлены iQOO Z11 и Z11x – 9050 мАч, 165 Гц и IP69 за 290 долларов

27.03. iPad (2026) получит чисет A18, 8 ГБ RAM и тот же дизайн

26.03. Vivo X300s – 200 МП, перископ, батарея 7100 мАч и защита IP69

26.03. Представлены Samsung Galaxy A57 и A37 с IP68, Exynos 1680 и прежними камерами

25.03. OnePlus 15T – компактный флагман с батареей 7500 мАч, защитой IP69K и экраном 165 Гц

25.03. Samsung Galaxy Z Fold8 – 200 МП, 8-дюймовый экран и батарея 5000 мАч

25.03. Первый тизер Tecno Spark 50 5G раскрывает дизайн новинки

24.03. Huawei Enjoy 90 Plus и Enjoy 90 – Kirin 8000, батареи 6620 мАч и доступные цены

24.03. Huawei Enjoy 90 Pro Max – Kirin 8000, батарея 8500 мАч и экран 120 Гц за 250 долларов

23.03. Redmi 15A 5G – 6300 мАч и 120 Гц за «реальные деньги»