Samsung обещает запуск коммерческого производства чипов по техпроцессу 3нм. Для этого компания осваивает узлы на основе GAA-транзисторов.

Конкуренция в производстве полупроводников не ослабевает, поэтому в Samsung стараются вырваться в технологические лидеры. Выход на производство по техпроцессу 3нм - зримый этап этого соревнования с TSMC.

В Samsung планировали начать массовое производство узлов техпроцесса 3нм (3GAE) где-то в 1H2022, узла второго поколения - в 2023 году. На этой неделе компания сообщила инвесторам, что готовится к началу серийного производства "в ближайшие недели".

Это означает, что в Samsung намерены обогнать TSMC по уровню технологий за счет того, что 3нм техпроцесс корейской компании станет первым в мире, в котором будут использоваться полевые транзисторы с круговым затвором и несколькими мостовыми каналами (MBCFET).

Компания заявляет о ряде преимуществ по сравнению с 7нм FinFET, поскольку MBCFET может работать при напряжении ниже 0.75В. Это обещает снижение энергопотребления до 50%, повышение производительности на 30%, и возможность сократить площадь на 45%.

Другими словами, логическая плотность узлов может оказаться такой же, как у Intel 4 и TSMC 5N, но они могут работать лучше за счет более широких каналов и меньших токов утечки. Самое пока что неизвестное - это производительность, которая была серьезной проблемой для 4нм техпроцесса Samsung, что в итоге побудило Qualcomm направить свои заказы в TSMC.

Другие производители, такие как Intel и TSMC, также готовятся к переходу на GAAFET в ближайшие годы, и это может стать для них самым дорогостоящим переходом. Что касается Samsung, то реализация MBCFET с производственными процессами и оборудованием FinFET не только ускорила разработку, но и позволила сократить расходы на нее.

Тем временем, Samsung продала столько чипов, сколько смогла произвести в 1q2022, и прогнозирует, что спрос на ее продукты DRAM и NAND останется высоким в ближайшие месяцы. Компания зафиксировала $11,2 млрд операционной прибыли в 1q2022, более половины этой суммы, а именно $6,7 млрд, пришлось на подразделение чипов.

--

За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. телеграм-трансляции и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к Сообществу RUSmicro в VK

теги: Samsung Electronics 3нм GAA 3GAE MBCFET техпроцессы