Микроэлектроника: США договорились о производстве на своей территории по техпроцессу 2нм и с Samsung

MForum.ru

Микроэлектроника: США договорились о производстве на своей территории по техпроцессу 2нм и с Samsung

15.01.2025, MForum.ru


Мы уж знаем, что TSMC обещает США начать массовое производство чипов в Аризоне по техпроцессу N2 к 2028 году. Звучит неплохо для американцев, но ожидается, что к этому времени американские технологические компании смогут производить передовые чипы на Тайване с использованием техпроцесса 1.4 нм. А производство по технологии 2нм на Тайване начнется во второй половине 2025 года.

TSMC будет не единственным контрактным производством в США, которое обещает наладить производство чипов 2нм.

В планах Samsung – построить современный завод по производству чипов в Тейлоре, штат Техас. США поддержит этот проект – компании обещано $4.74 млрд в виде господдержки. Производство на заводе в Тейлоре Samsung Foundry надеется начать в 2026 году. Как ожидается, здесь будет налажено производство по техпроцессам 3нм и 2нм. Необходимое оборудование, как ожидается, поступит на это предприятие в начале 2026 года.

Похоже, в США без производства чипов по техпроцессам 3нм и 2нм на собственной территории не останутся, пусть это и будут «зарубежные производства».

--

За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги: микроэлектроника техпроцессы 2нм

-- 

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

02.03. Бум ИИ вызвал также дефицит микросхем, выпускаемых по "зрелым" технологиям

25.02. Китай нарастит производство передовых чипов в 5 раз за 2 года?

24.02. В 2026 году в России может появиться фотолитограф нового поколения?

18.02. TSMC не спешит за High-NA EUV. Почему?

16.02. Rapidus ускоряет освоение 2-нм техпроцесса

31.01. Основные технологические инновации после 2030 года

20.01. Президенты Кореи и Италии договорились об укреплении сотрудничества в области ИИ и микроэлектроники

17.01. Архитектура транзисторов следующего поколения

17.01. Общий тренд - переход к все более тонким техпроцессам

15.01. Рынок 8-дюймовых кремниевых пластин сокращается – Китай выдавил конкурентов и выиграл спрос

13.01. Рост стоимости разработки микросхем стремительно растет. Есть ли способы сдержать этот рост?

08.01. TSMC планирует построить 12 фабов в Аризоне, тогда как экспансия в Японии и в Германии замедляется

06.01. SK hynix представила на CES2026 16-слойную HBM4 объемом 48 ГБ, наряду с SOCAMM2 и LPDDR6

26.12. Китайская SMEE получила стратегический госконтракт на поставку литографа

10.12. Сессия вопросов и ответов с руководителями НИИМЭ и НИИТМ 10 декабря 2025 года

10.12. Дополнительная сессия вопросов и ответов с руководителями НИИМЭ и НИИТМ 10 декабря 2025 года

10.12. В ГК Элемент разработали оборудование ПХО и ПХТ для техпроцессов вплоть до 65нм на пластинах 300мм

03.12. Минпромторг продолжает заказывать разработку фоторезистов для фотолитографии

29.11. Планы японской Rapidus на 1.4 нм

18.08. Сообщается, что HuaHong намерена приобрести контрольный пакет акций HLMC

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 1 ms, lookup=0 ms, find=1 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:


Колонка редактора

15.05. Специалисты по ИБ без опыта работы не нужны почти никому

15.05. Ericsson предупреждает операторов - они упускают возможности, связанные с 5G и ИИ

15.05. Рынок SiC и GaN в Китае демонстрирует интересные тренды

15.05. Прогноз развития телекоммуникационной отрасли России дадут на ЦИПР-2026

15.05. В NASA тестируют процессор нового поколения для использования в условиях космоса

15.05. МегаФон в Хабаровском крае – оператор провел рефарминг частот в сёлах с большим потреблением голосовых услуг

15.05. МТС обеспечила покрытием LTE станцию «Спортивная» в метро Новосибирска

15.05. Билайн в Пермском крае - 4G улучшен в 13 населенных пунктах к дачному сезону

14.05. Монокристалл - в шаге от банкротства?

14.05. Услуги D2D - консолидация вместо конкуренции? В США

14.05. Мировой рынок RAN в 1q2026 остался стабильным пятый квартал подряд

14.05. «Группа Астра» запустила облако Astra Cloud на российских процессорах Baikal-S от «Байкал Электроникс»

14.05. Ускорители ИИ Nvidia в рамках конфликта США и Китая

14.05. В России работают над проектом рентгеновского фотолитографа

14.05. Виктория Морозова назначена директором по маркетингу МТС Web Services

Все статьи >>


Новости

16.05. Xiaomi 17 Max – 8000 мАч, 200 МП Leica, 6.9" Super Pixel — анонсируют 21 мая

15.05. Представлен Moto Tag 2 с 600 днями работы, UWB и Google Find Hub

15.05. Xiaomi тизерит Band 10 Pro и наушники-клипсы

14.05. Oppo может получить улучшенную квадратную фронталку разрешением 100 МП

14.05. Vivo Y60 – бюджетник с экраном 120 Гц и АКБ 6500 мАч

13.05. Nubia GT Buds – прозрачный дизайн, RGB-подсветка и ANC за $39

13.05. Samsung запускает One UI 9 Beta на базе Android 17, ещё до анонса ОС от Google

13.05. Honor Pad 20 с дисплеем 12.1" 3K, Snapdragon 7 Gen 3 и АКБ 10 100 мАч показали на тизерах

11.05. Huawei Watch Fit 5 и Watch Fit 5 Pro выходят на глобальный рынок

11.05. Acer Iconia iM11 5G – Dimensity 7050, 5G и 7400 мАч за $249

08.05. OnePlus Nord CE6 Lite с 7000 мАч, 144 Гц LCD и Dimensity 7400 Apex представлен официально

08.05. OnePlus Nord CE6 с АКБ 8000 мАч, AMOLED-экраном 144 Гц и Snapdragon 7s Gen 4 представлен официально

07.05. Honor Play 11 Plus – 7000 мАч, 120 Гц AMOLED и Dimensity 6500 Elite за $320

07.05. Honor Play 70C – Helio G81 Ultra, 5300 мАч и Android 15 за $90

06.05. Honor Play 80 Plus – 7500 мАч, Snapdragon 4 Gen 4 и AI-кнопка за $249

06.05. Samsung Galaxy S27 Ultra получит переменную диафрагму в основной камере?

06.05. Samsung Galaxy A27 – круглый вырез камеры, Snapdragon 6 Gen 3 и 12 МП фронталка

05.05. Xiaomi Smart Band 10 Pro – 1.74" AMOLED, алюминиевый корпус и 21 день работы

05.05. iQOO 15T – 200 МП камера, 8000 мАч, 100 Вт и Dimensity 9500

05.05. Lenovo Legion Y70 (2026) – 2K-экран, 8000 мАч и SD 8 Gen 5