Технически Snapdragon 823 будет во многом аналогичен Snapdragon 820. В частности в нем будут использоваться такой же графический сопроцессор Adreno 530 и LTE-модем с поддержкой Cat12/Cat13. Количество процессорных ядер 4, но ядра Kryo 100 будут работать на повышенной частоте. Также упоминается о поддержке этим чипом Quick Charge 3.0, как у предшественника. Выпускаться Snapdragon 823 будет по нормам 14 нм технологического процесса LPP. Первыми смартфонами на базе Snapdragon 823 могут стать Samsung Galaxy Note 6 и Xiaomi Mi Note 2.

Snapdragon 828 будет выпускаться по более тонкой технологии – источник утверждает о 10 нм техпроцессе FF. О количестве процессорных ядер не сообщается, но по данным источником в Snapdragon 828 на смену Kryo 100 придут Kryo 200, а его графический сопроцессор будет построен на чипе Adreno 519. Поддержка LTE-сетей – Cat.12/13. Тип памяти – LPDDR4X. Ожидаемая дата анонса Snapdragon 828 – 4 квартал текущего года.

Топовый Snapdragon 830 также будет построен на ядрах Kryo 200 (количество не уточняется), но будет оснащен графическим сопроцессором Adreno 540, а максимальная скорость LTE-подключения составит 980 Мбит/с. Анонс этого чипа ожидается в конце года, а первые аппараты на его основе – лишь в 2017 году.