Микроэлектроника: В Китае расширяют возможности производства по техпроцессу 5нм и менее?

MForum.ru

Микроэлектроника: В Китае расширяют возможности производства по техпроцессу 5нм и менее?

24.03.2025, MForum.ru


В Китае, лишенном доступа к технологии EUV фотолитографии, стремятся выжать все из технологии DUV. По данным Bloomberg и SCMP, связанная с Huawei компания SciCarrier может обеспечить выпуск микросхем 5 нм с использованием разработанной в ней технологии самосовмещающего четверного паттернирования (SAQP).

На выставке Semicon China, как ожидается, компания SciCarrier представит новые производственные продукты, разработанные для обеспечения техпроцесса 5 нм оборудованием «сделано в Китае». Это:

🔹 установка для эпитаксии,

🔹 система травления,

🔹 система для химического осаждения из паровой фазы (CVD)

🔹 оборудование для физического осаждения из паровой фазы (PVD)

🔹 инструменты для атомно-слоевого осаждения

Дебют SiCarrier увеличивает количество китайских компаний-производителей, среди которых уже есть такие, например, имена, как Naura и SMEE, компаний, создающих производственное оборудование для выпуска микроэлектроники.

За продуктами SciCarrier, как ожидается, может стоять технология четверного паттернирования. На эту технологию в конце 2023 года компания получила патент. В его рамках можно изготавливать микросхемы 5нм с использованием инструментов DUV, которые есть в Китае (предположительно DUV-литографы ASML, но это не точно).

В основе технологии – множественное повторение циклов фотолитографии и травления, что позволяет достичь плотности размещения элементов 5нм.

По данным Bloomberg, разработками оборудования под техпроцессы 7нм и менее заняты также и в Naura и в Advanced Micro-Fabrication Equipment. Также с множественными шаблонами и на основе DUV.

Впрочем, пока что это слухи, в частности, Nikkei утверждает, что по его данным, решения SciCarrier, это литографические машины под узлы 28нм и более старые. На этом рынке доминируют ASML, Nikon и Canon.

EUV в Китае?

Китай, похоже, старается двигаться по всем направлениям, разрабатывая комплексы оборудования, включая не только оборудование DUV, но и оборудование EUV. По данным TechPowerUp, новая система уже проходит испытания на заводе Huawei в Дунгуане.

Предполагается, что разработанный в Китае фотолитограф EUV использует технологию лазерно-индуцированной плазмы разряда (LDP). Машина позволит начать опытное производство в 3q2025, а массовое производство с ее помощью запланировано на 2026 год.

По данным TechPowerUp, новая китайская система использует излучение плазмы олова с длиной волны 13.5нм. Источником излучения является система испарения олова между электродами и преобразования его в плазму за счет высоковольтного разряда.

То есть это «оловянный источник», как в EUV-машинах ASML, но не каплеструйный, как у нидерландской компании.

Это краткое описание оставляет вопросы, ответа на которые я пока не знаю.

Основной из них, задействован ли лазер в китайских решениях, как в машинах ASML? В теории это возможно, т.к. ионизировать плазму можно и высоковольтным разрядом. Это существенно снизило бы сложность и стоимость установки. Более того, если разряд стабилен, то скорость генерации может быть даже выше, чем у ASML. Но контролировать плазму сложно, к тому же очень непросто избежать быстрого загрязнения электродов и деградации системы.

по материалам TrendForce

--

За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги: микроэлектроника производственное оборудование Китай слухи

-- 

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

08.09.2026. ASML и крупнейшие производители микросхем начинают переход на 12-дюймовые маски для High-NA EUV

12.08.2026. В России завершен третий этап ОКР по созданию фотолитографа с проектными нормами 130 нм

12.08.2026. В России официально запущен в работу источник синхротронного излучения СКИФ

05.08.2026. РФЯЦ-ВНИИЭФ разрабатывает автоматизированную установку жидкостного химического травления полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм

05.08.2026. В России разработали многолучевый катод для использования в электронных литографах

30.07.2026. LG начала продажи собственного безмасочного литографа за $2 млн

28.07.2026. В Китае начинается ограниченное серийное производство иммерсионных DUV-литографических машин 28нм

24.07.2026. Белорусский Планар разрабатывает для российского рынка 9 установок участка создания фотошаблонов

20.07.2026. В России создана установка электронно-лучевой литографии (безмасочной) на 150 нм

10.07.2026. Fab2 – фаб фабов или как гаражный проект стал бизнесом, востребованным в отрасли

23.06.2026. Импортзамещение в Китае поставило в сложное положение японских вендоров оборудования для производства полупроводников

22.06.2026. Нанотроника зарегистрировала дочернее предприятие в Индии

20.06.2026. «Детективная история» вокруг EUV-установки ASML – смог ли Китай заполучить одну из запретных для него установок?

20.06.2026. В НИИМЭ разработают кластерную установку алюминиевой металлизации методом вакуумного напыления

16.06.2026. С сентября 2026 года производителям производственного оборудования микроэлектроники придется доказывать его российскость балльной системой

02.06.2026. Минпромторг выделит еще 2 млрд на импортзамещение оборудования для эпитаксии

14.05.2026. В России работают над проектом рентгеновского фотолитографа

23.03.2026. В России могут начать работы над литографом для техпроцесса 90 нм в 2026 году

23.03.2026. Бельгийская imec получила в свое распоряжение ASML High NA EUV

11.03.2026. Applied Materials объединяет усилия с Micron и SK Hynix для разработки DRAM, HBM и NAND следующего поколения



Поиск по сайту:


Колонка редактора

12.11. МегаФон построит частную сеть pLTE в Махачкалинском морском торговом порту

12.11. В упаковочное предприятие Samsung Electronics в Асане вложат более $30 млрд

12.11. Восемь обновленных спутников Globalstar завершили первичные орбитальные испытания

12.11. Билайн нарастил покрытие и емкость сети в строящемся ЖК в Улан-Удэ

12.11. МТС развернула БС в селе Андреевка Амурской области

11.11. МегаФон и МТС объявляют совместную позицию по вопросам текущего взаимодействия с банками

11.11. Российские корпоративные клиенты всё охотнее рекомендуют отечественную технику

11.11. Microsoft давит на администрацию президента США, выступая против запрета импорта чипов из Китая

11.11. МТС включила сеть LTE на склонах горнолыжного комплекса «Снегорка»

10.11. Обвинения в шпионаже вокруг Nvidia могут завершиться принятием законов, еще более ограничивающих доступ Китая к ИИ-чипам и современному оборудованию для их производства

10.11. Странная сделка в Японии – Mitsui Chemical покупает бизнес JSR

10.11. Infineon больше не может расширять мощности по производству чипов без «форвардных контрактов»

10.11. Билайн обеспечил мобильную связь на речном маршруте в Москве

10.11. Эйфелева башня и центральный парк Волгограда получили обновленную сеть МТС

10.11. МегаФон четвёртый год подряд стал «платиновым» работодателем

Все статьи >>


Новости

12.11. Poco X8s стал доступен в Европе

12.11. В сети появились макеты трёх моделей серии Samsung Galaxy S27

12.11. Samsung официально раскрыла переход галереи на хранилище Google

11.11. Утечка раскрыла ёмкость батарей и общие черты iPhone 18 и 18e

11.11. OnePlus 17 может войти в число широкоэкранных флагманов 2027 года

11.11. В сети появились макеты iPhone Air 2 и iPhone 18

10.11. Oppo Pad Air6 с 12.1" экраном 120 Гц и Dimensity 7360 Super представлен официально

10.11. Bixby в One UI 9.5 получит автоматические задачи

10.11. Vivo работает над серийным АКБ ёмкостью 11 970 мАч

09.11. Серия Huawei Nova 17 получит 200-МП камеру и новые дисплеи

09.11. Realme 17 Pro – утечка указывает на батарею емкостью 10 000 мАч и Dimensity 7300

09.11. Утечка о Xiaomi 18 подтверждает 100-ваттную зарядку

06.11. Motorola представила Moto Watch 2 Fit и Moto Buds 2 Ultra

06.11. Motorola Signature 27 с АКБ 7000 мАч и 200-МП перископом представлен официально

05.11. Honor готовит смартфон с батареей 14 000–15 000 мАч

05.11. Утечка показывает дизайн в стиле Pixel 11 Pro Fold

05.11. Утечка о Samsung Galaxy A38 раскрыла батарею 6000 мАч

04.11. Утечка раскрыла характеристики и сроки выхода iPhone 18, 18e и Air 2

04.11. Утечка о Redmi Turbo 6 Max указывает на 7-дюймовый 2K-экран частотой 185 Гц

04.11. Vivo Y32 5G – АКБ 8000 мАч, Snapdragon 4 Gen 2 и защита IP69