MForum.ru
17.09.2018,
Использование полуприжимных IGBT-модулей в системах СТАТКОМ (статических синхронных компенсаторов) и HVDC (высоковольтных передач постоянного тока) повышают пропускную способность электросети, улучшат качество электроэнергии и уменьшат потери при передаче энергии на большие расстояния. Применение отечественных устройств позволит защитить национальную сетевую инфраструктуру передачи электроэнергии от зарубежного влияния, так как на данный момент 100% подобных модулей поставляется из-за рубежа.
Разработка модуля была произведена в рамках соглашения между АО «Ангстрем» и АО «Научно-технический центр Федеральной сетевой компании Единой энергетической системы» (АО «НТЦ ФСК ЕЭС»). Документ предусматривает разработку технически сложных устройств силовой электроники, которые сейчас закупаются за рубежом, между тем ежегодные потребности в них превышают тысячи единиц. В первую очередь в рамках соглашения планируется создание для нужд ФСК ЕЭС широкого перечня IGBT-модулей, которые задействованы в процессах транспортировки и преобразования электроэнергии.
Сергей Воронцов, временно исполняющий обязанности генерального директора АО «Ангстрем»: «Этот модуль является первым в широком ряду, которые требуются отечественным электросетевым компаниям. Также в рамках сотрудничества Ангстрема и НТЦ ФСК ЕЭС предполагается разработка принципиально новых решений и оборудования для электроэнергетики. В результате этой работы, мы должны максимально снизить зависимость наших энергетиков от поставок комплектующих из-за рубежа, а по возможность, затем наладить экспорт этой продукции».
Применение силовых IGBT-модулей, вместо традиционно используемых тиристорных, обеспечивает целый ряд преимуществ, большую эффективность (легкость в управлении, высокая стойкость к токам короткого замыкания) и гибкость систем СТАТКОМ и HVDC. В работе над полуприжимным IGBT-модулем применялись кристаллы биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) и быстровосстанавливающихся диодов (FRD) оригинальной конструкции на напряжение 2500 В. Однако, учитывая использование прижимной конструкции, их пришлось доработать.
В ходе ОКРа была разработана конструкция модуля, позволяющая равномерно осуществлять давление на кристаллы IGBT и FRD. Это особенно важно учитывая уровень нагрузки, в результате которой даже небольшая разница в равномерности прижима термокомпенсационных прокладок может привести к разрушению кристаллов. Так же была решена проблема обеспечения надежного контакта в активной области кристаллов.
Конструкция модуля состоит из: корпуса, субмодуля и крышки. Субмодуль состоит из: кристаллов IGBT и FRD, молибденовых термокомпенсаторов и оснований, медных контактов, керамической платы со сформированными толстопленочными резисторами определенного номинала, корпуса субмодулей, крышки корпуса и шины управления кристаллами соединенная в соответствии со схемой прибора.
В мае 2018 года АО «Ангстрем» изготовил макетный образец полуприжимного IGBT-модуля и передал его для испытаний заказчику. Испытания подтвердили, что модули по габаритным и присоединительным размерам, а также электрическим параметрам соответствуют иностранному аналогу. По результатам испытаний заказчик запросил опытную партию модулей, которые должны быть отгружены к концу текущего года.
Свою заинтересованность в новом изделии уже подтвердили производители железнодорожного транспорта и генерирующих энергетических компаний.
На сегодняшний день только одна компания, шведско-швейцарская ABB, в мире является производителем полуприжимных IGBT-модулей, она фактически является мировым монополистом. Объем российского рынка подобных приборов оценивается минимум в 2 миллиарда рублей в год, которые полностью уходят за рубеж.
+
Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике и полупроводникам
теги: IGBT полупроводники прижимные модули Ангстрем
+ +
©
Публикации по теме:
06.01. [Новости компаний] Микроэлектроника: AMD на CES 2026 - ИИ повсюду и вызов Nvidia / MForum.ru
04.01. [Новости компаний] Силовая электроника: Чипы на SiC и GaN на пластинах 200 и 300 мм - главные тренды 2025 года / MForum.ru
04.01. [Новости компаний] Микроэлектроника: Правительство США вернуло разрешения TSMC, Samsung и SK Hynix на закупку американского оборудования для заводов компаний в Китае, но есть нюанс / MForum.ru
04.01. [Новости компаний] Микроэлектроника: Китайская Biren успешно разместилась на Гонконгской фондовой бирже / MForum.ru
01.01. [Новости компаний] Микроэлектроника: Орбитальное производство полупроводников – британская Space Forge получила плазму в условиях автономного коммерческого спутника / MForum.ru
23.02. [Новинки] Слухи: Realme C83 готовится к выходу в Индии — три версии памяти, цены от 13 499 рупий и два новых цвета / MForum.ru
20.02. [Новинки] Анонсы: Vivo V70 Elite — флагманский чип Snapdragon 8s Gen 3, телефото-камера и 6500 мАч в премиальном среднеценовом сегменте / MForum.ru
20.02. [Новинки] Анонсы: Vivo V70 — плоский дисплей, алюминиевая рамка, батарея 6500 мАч и ультразвуковой сканер / MForum.ru
20.02. [Новинки] Анонс: Infinix Xpad 30E — бюджетный планшет с 4G и встроенным ИИ-репетитором для образования / MForum.ru
19.02. [Новинки] Анонсы: Google Pixel 10a — Tensor G4, быстрая зарядка и семь лет обновлений по той же цене / MForum.ru
19.02. [Новинки] Анонсы: Infinix Note Edge 5G выходит в Индии с изогнутым AMOLED-экраном яркостью 4500 нит и батареей 6500 мАч / MForum.ru
18.02. [Новинки] Анонсы: Tecno Camon 50 и 50 Pro представлены официально – экран 144 Гц, 3-кратный зум, батарея 6150 мАч и защитой IP69K / MForum.ru
18.02. [Новинки] Анонсы: Lava Bold N2 4G — обновлённый дизайн, улучшенная защита и Android 15 Go за $82 / MForum.ru
18.02. [Новинки] Слухи: Infinix GT 50 Pro засветился на рендерах — карбон, 144 Гц и батарея до 6500 мАч / MForum.ru
17.02. [Новинки] Анонсы: Realme P4 Lite 4G выходит в Индии 20 февраля с батареей 6300 мАч / MForum.ru
17.02. [Новинки] Анонсы: Vivo V60 Lite первым в мире получил Snapdragon 6s 4G Gen 2 и сохраненил батарею 6500 мАч / MForum.ru
17.02. [Новинки] Слухи: Apple тестирует раскладушку iPhone Flip вдобавок к книжному iPhone Fold / MForum.ru
16.02. [Новинки] Слухи: Poco C81 Pro готовится к выходу — 4G, экран 120 Гц и батарея 6000 мАч / MForum.ru
16.02. [Новинки] Анонсы: Honor Pad X8b — неожиданное возвращение через три с половиной года и батареей на 10 100 мАч / MForum.ru
16.02. [Новинки] Анонсы: TECNO POVA Curve 2 5G — 8000 мАч в ультратонком корпусе / MForum.ru
13.02. [Новинки] Анонсы: Honor X6d — глобальная версия Play 60A с улучшенной камерой / MForum.ru
13.02. [Новинки] Анонсы: Lava Yuva Star 3 — сверхбюджетный Android 15 Go с защитой IP64 и чистым ПО / MForum.ru
12.02. [Новинки] Слухи: Samsung подтвердила анонс Galaxy S26 25 февраля, но полные спецификации и цены раскрыты до премьеры / MForum.ru
12.02. [Новинки] Анонсы: Infinix Note 60 Pro — вдохновлен iPhone и Nothing, чип от Qualcomm и батарея 6500 мАч / MForum.ru
12.02. [Новинки] Слухи: Honor 600 Lite засветился в Geekbench с чипом Dimensity 7100 и Android 16 «из коробки» / MForum.ru