MForum.ru
17.09.2018,
Использование полуприжимных IGBT-модулей в системах СТАТКОМ (статических синхронных компенсаторов) и HVDC (высоковольтных передач постоянного тока) повышают пропускную способность электросети, улучшат качество электроэнергии и уменьшат потери при передаче энергии на большие расстояния. Применение отечественных устройств позволит защитить национальную сетевую инфраструктуру передачи электроэнергии от зарубежного влияния, так как на данный момент 100% подобных модулей поставляется из-за рубежа.
Разработка модуля была произведена в рамках соглашения между АО «Ангстрем» и АО «Научно-технический центр Федеральной сетевой компании Единой энергетической системы» (АО «НТЦ ФСК ЕЭС»). Документ предусматривает разработку технически сложных устройств силовой электроники, которые сейчас закупаются за рубежом, между тем ежегодные потребности в них превышают тысячи единиц. В первую очередь в рамках соглашения планируется создание для нужд ФСК ЕЭС широкого перечня IGBT-модулей, которые задействованы в процессах транспортировки и преобразования электроэнергии.
Сергей Воронцов, временно исполняющий обязанности генерального директора АО «Ангстрем»: «Этот модуль является первым в широком ряду, которые требуются отечественным электросетевым компаниям. Также в рамках сотрудничества Ангстрема и НТЦ ФСК ЕЭС предполагается разработка принципиально новых решений и оборудования для электроэнергетики. В результате этой работы, мы должны максимально снизить зависимость наших энергетиков от поставок комплектующих из-за рубежа, а по возможность, затем наладить экспорт этой продукции».
Применение силовых IGBT-модулей, вместо традиционно используемых тиристорных, обеспечивает целый ряд преимуществ, большую эффективность (легкость в управлении, высокая стойкость к токам короткого замыкания) и гибкость систем СТАТКОМ и HVDC. В работе над полуприжимным IGBT-модулем применялись кристаллы биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) и быстровосстанавливающихся диодов (FRD) оригинальной конструкции на напряжение 2500 В. Однако, учитывая использование прижимной конструкции, их пришлось доработать.
В ходе ОКРа была разработана конструкция модуля, позволяющая равномерно осуществлять давление на кристаллы IGBT и FRD. Это особенно важно учитывая уровень нагрузки, в результате которой даже небольшая разница в равномерности прижима термокомпенсационных прокладок может привести к разрушению кристаллов. Так же была решена проблема обеспечения надежного контакта в активной области кристаллов.
Конструкция модуля состоит из: корпуса, субмодуля и крышки. Субмодуль состоит из: кристаллов IGBT и FRD, молибденовых термокомпенсаторов и оснований, медных контактов, керамической платы со сформированными толстопленочными резисторами определенного номинала, корпуса субмодулей, крышки корпуса и шины управления кристаллами соединенная в соответствии со схемой прибора.
В мае 2018 года АО «Ангстрем» изготовил макетный образец полуприжимного IGBT-модуля и передал его для испытаний заказчику. Испытания подтвердили, что модули по габаритным и присоединительным размерам, а также электрическим параметрам соответствуют иностранному аналогу. По результатам испытаний заказчик запросил опытную партию модулей, которые должны быть отгружены к концу текущего года.
Свою заинтересованность в новом изделии уже подтвердили производители железнодорожного транспорта и генерирующих энергетических компаний.
На сегодняшний день только одна компания, шведско-швейцарская ABB, в мире является производителем полуприжимных IGBT-модулей, она фактически является мировым монополистом. Объем российского рынка подобных приборов оценивается минимум в 2 миллиарда рублей в год, которые полностью уходят за рубеж.
+
Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике и полупроводникам
теги: IGBT полупроводники прижимные модули Ангстрем
+ +
©
Публикации по теме:
09.06.2026. Китайская Prianano показала потенциал применения наноимпринтной технологии в фотонике
08.06.2026. Платформа Nvidia RTX Spark – ИИ идет на ПК и другие пользовательские устройства
06.06.2026. Positive Technologies создал комплекс LFI-26 для тестирования безопасности чипов
05.06.2026. ПМЭФ: Кремниевая фотоника - Сбер представил ФИС
04.06.2026. Анатолий Корсаков генеральный директор «Трамплин Электроникс» в интервью подкасту «Знай наших»
04.06.2026. В ЕС спохватились – без ИИ и микросхем не будет и суверенитета
03.06.2026. Первый вице-премьер Денис Мантуров о микроэлектронике и РЗЭ в интервью КоммерсантЪ
03.06.2026. Ученые из Японии и США разработали кремниевый спинтронный p-бит
02.06.2026. Минпромторг выделит еще 2 млрд на импортзамещение оборудования для эпитаксии
02.06.2026. SK Hynix намерена удвоить мощности производства на кремниевых пластинах в ближайшие 5 лет
02.06.2026. Форум "Микроэлектроника 2026", обсуждая программу, - пьезо- и сегнетоэлектрические материалы
01.06.2026. Samsung начала распространять новые модули HBM для отдельных клиентов
29.05.2026. Процессорный модуль E2C3-COM на Эльбрус-2С3 включен в реестр
28.05.2026. Сколтех собирается запустить контрактное производство фотонных чипов по технологии «кремний на изоляторе»
28.05.2026. Японский госфонд JIC может продать производителя фоторезистов JSR спустя два года после его покупки
26.05.2026. Еврокомиссия предложила на время смягчить санкции в отношении китайской компании, чтобы спасти свой автопром
26.05.2026. Еврокомиссия предложила на время смягчить санкции в отношении китайской компании, чтобы спасти свой автопром
25.05.2026. Китайская Huawei обещает повысить плотность размещения транзисторов на кристалле до «эквивалента 1.4 нм»
18.06. Google снизила стоимость подписки на Google AI Plus и вступила в гонку ценообразования
18.06. В России начали серийное производство портативных раций стандарта TETRA – МиниКом-АНР-3
18.06. Корея делает большую ставку на SiC и GaN – получится ли?
17.06. МегаФон и China Telecom запустили новый магистральный канал «Хабаровск-Гонконг»
17.06. Tensordyne привлекает все больше интереса за счет ставки на LNS
17.06. МегаФон расширил инфраструктуру в населенных пунктах Кетовского района Курганской области
17.06. Узбекистан выбирает спутниковую связь от Amazon Leo
16.06. Music v2 - легальная коммерциализация и возможность менять жанр в рамках одного трека
16.06. Билайн улучшил связь еще в трех деревнях Новгородской области
18.06. Redmi Turbo 5 с АКБ 7540 мАч, Dimensity 8500-Ultra и IP69K дебютировал в Индии
18.06. Tecno Pova 8 Pro 5G с Dimensity 7300, 12 ГБ ОЗУ и 1.5K-экраном засветился в Google Play Console
17.06. Tecno Spark 50 Pro – дизайн в стиле iPhone 17 Pro и защита IP69
17.06. Vivo T5 Lite 5G – бюджетный долгожитель с АКБ 6500 мАч и экраном 120 Гц
17.06. Xiaomi 18 принесет смену порядка выхода, рост цен и следование стратегии Apple
16.06. Honor X70 Pro Max – батарея 8560 мАч и цена от 295 долларов
16.06. Официально раскрыты камеры и дисплеи Vivo X Fold 6
15.06. Moto G Max – 200 МП камера, экран 5000 нит и военная прочность за 490 долларов
15.06. Honor X7e Plus 5G сертифицирован в ОАЭ
12.06. OnePlus Turbo 6X и 6X Pro -доступные «батарейные монстры» для Китая от 220 долларов
11.06. Honor подтвердила 7 лет обновлений для Magic V6 и всей Magic-серии в Европе
11.06. Realme P4R 5G – 8000 мАч, 144 Гц и MIL-STD-810H за 200 долларов
11.06. Honor готовит Win Pad Mini: 8-дюймовый OLED-планшет для геймеров с емкой батареей
10.06. Honor X80 Pro Max – 11 000 мАч, 90 Вт и Snapdragon 6 Gen 5
10.06. Infinix Smart 20 – большой 120-герцовый экран и автономность за 145 долларов
09.06. Появилась уточненная информация о батарее, зарядке и дисплее Redmi K100 Pro
09.06. Samsung Galaxy S27 Pro будет на уровне Ultra, но без S Pen
08.06. Vivo V70 Lite – почти незаметное обновление с упором на автономность