MForum.ru
17.09.2018,
Использование полуприжимных IGBT-модулей в системах СТАТКОМ (статических синхронных компенсаторов) и HVDC (высоковольтных передач постоянного тока) повышают пропускную способность электросети, улучшат качество электроэнергии и уменьшат потери при передаче энергии на большие расстояния. Применение отечественных устройств позволит защитить национальную сетевую инфраструктуру передачи электроэнергии от зарубежного влияния, так как на данный момент 100% подобных модулей поставляется из-за рубежа.
Разработка модуля была произведена в рамках соглашения между АО «Ангстрем» и АО «Научно-технический центр Федеральной сетевой компании Единой энергетической системы» (АО «НТЦ ФСК ЕЭС»). Документ предусматривает разработку технически сложных устройств силовой электроники, которые сейчас закупаются за рубежом, между тем ежегодные потребности в них превышают тысячи единиц. В первую очередь в рамках соглашения планируется создание для нужд ФСК ЕЭС широкого перечня IGBT-модулей, которые задействованы в процессах транспортировки и преобразования электроэнергии.
Сергей Воронцов, временно исполняющий обязанности генерального директора АО «Ангстрем»: «Этот модуль является первым в широком ряду, которые требуются отечественным электросетевым компаниям. Также в рамках сотрудничества Ангстрема и НТЦ ФСК ЕЭС предполагается разработка принципиально новых решений и оборудования для электроэнергетики. В результате этой работы, мы должны максимально снизить зависимость наших энергетиков от поставок комплектующих из-за рубежа, а по возможность, затем наладить экспорт этой продукции».
Применение силовых IGBT-модулей, вместо традиционно используемых тиристорных, обеспечивает целый ряд преимуществ, большую эффективность (легкость в управлении, высокая стойкость к токам короткого замыкания) и гибкость систем СТАТКОМ и HVDC. В работе над полуприжимным IGBT-модулем применялись кристаллы биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) и быстровосстанавливающихся диодов (FRD) оригинальной конструкции на напряжение 2500 В. Однако, учитывая использование прижимной конструкции, их пришлось доработать.
В ходе ОКРа была разработана конструкция модуля, позволяющая равномерно осуществлять давление на кристаллы IGBT и FRD. Это особенно важно учитывая уровень нагрузки, в результате которой даже небольшая разница в равномерности прижима термокомпенсационных прокладок может привести к разрушению кристаллов. Так же была решена проблема обеспечения надежного контакта в активной области кристаллов.
Конструкция модуля состоит из: корпуса, субмодуля и крышки. Субмодуль состоит из: кристаллов IGBT и FRD, молибденовых термокомпенсаторов и оснований, медных контактов, керамической платы со сформированными толстопленочными резисторами определенного номинала, корпуса субмодулей, крышки корпуса и шины управления кристаллами соединенная в соответствии со схемой прибора.
В мае 2018 года АО «Ангстрем» изготовил макетный образец полуприжимного IGBT-модуля и передал его для испытаний заказчику. Испытания подтвердили, что модули по габаритным и присоединительным размерам, а также электрическим параметрам соответствуют иностранному аналогу. По результатам испытаний заказчик запросил опытную партию модулей, которые должны быть отгружены к концу текущего года.
Свою заинтересованность в новом изделии уже подтвердили производители железнодорожного транспорта и генерирующих энергетических компаний.
На сегодняшний день только одна компания, шведско-швейцарская ABB, в мире является производителем полуприжимных IGBT-модулей, она фактически является мировым монополистом. Объем российского рынка подобных приборов оценивается минимум в 2 миллиарда рублей в год, которые полностью уходят за рубеж.
+
Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике и полупроводникам
теги: IGBT полупроводники прижимные модули Ангстрем
+ +
©
Публикации по теме:
17.03. Американская Micron планирует вдвое нарастить производство на своей новой площадке на Тайване
17.03. В Индии усиливают кооперацию с европейскими лидерами в области ФИС
16.03. STMicroelectronics в четыре раза увеличит выпуск кремниевой фотоники для ИИ-датацентров
16.03. Бесшовный фотонный интерфейс чип-окружающая среда: прорывы 2025–2026 годов
16.03. Сканирующий микроспектрометр LS RamBo 620 получил подтверждение российскости
15.03. Илон Маск заявил о планах запуска Tesla Terafab - гигантской фабрике по производству ИИ-чипов
15.03. SK hynix представила первый в мире 1c LPDDR6: скорость +33%, энергопотребление -20%
15.03. Nvidia подключилась к разработкам Samsung ферроэлектрической NAND-памяти
13.03. В ГК Элемент сменится руководство
13.03. Япония нацелилась на 30% мирового рынка «физического ИИ» к 2040 году
13.03. На фоне спроса на HBM к BESI из Нидерландов присматриваются покупатели
12.03. UMC и HyperLight объединили усилия для массового производства чиплетов на основе TFLN
12.03. Индустрию охватывает волна повышения цен на чипы
12.03. IBM и Lam Research объединяют усилия для разработки логики суб-1 нм
11.03. Стоит ли ожидать, что сбудется прогноз TrendForce в отношении CPO?
11.03. Вьетнам закладывает фундамент для развития полупроводниковой отрасли
10.03. Salience Labs представила полностью оптический 32-портовый коммутатор для сетей ИИ-ЦОД
17.04. Билайн представил итоги развития в 2025 году в пейзаже «особого пути» российского телекома. Часть 1
16.04. Минцифры представило проект приказа с требованиями к БС O-RAN
16.04. МТС в Новосибирской области - связь улучшена в Ленинском районе
15.04. Билайн увеличил пропускную способность для российских видеосервисов
15.04. Rubetek расширяет производственные мощности в Орле
15.04. МТС в Забайкальском крае - покрытие LTE обеспечено базовой станцией в селе Конкино
15.04. Начало тренда - американский стартап Orbital намерен создать в космосе сеть ИИ-дата-центров
15.04. Amazon объявила о покупке Globalstar – чего можем ждать с учетом этой сделки
15.04. МТС в Томской области - зона покрытия LTE расширена новыми базовыми станциями в пригороде Томска
14.04. Разработчик офисного ПО «Мойофис» нарастил чистый убыток с 1.2 млрд до 4 млрд
14.04. Выход годных по техпроцессу 2нм у Samsung остается на уровне не выше 55%
14.04. Intel выпустила тонкий чиплет с транзисторами из нитрида галлия (GaN)
14.04. Микрон и Ангстрем объединят усилия в подготовке инженерных кадров
17.04. OnePlus Nord CE 6 Lite – Dimensity 7400, 7000 мАч, а AMOLED заменили на LCD
17.04. Oppo Reno16 Pro получит камеру 200 МП, перископ, Dimensity 9500s и батарея 7000+ мАч
16.04. Vivo T5 Pro – 9020 мАч, 90 Вт, IP69 и Snapdragon 7s Gen 4 от 29 999 рупий
16.04. Oppo F33 и F33 Pro – ребрендинг с AMOLED, 7000 мАч и IP69K
16.04. Poco C81 Pro получи 6.9" дислеей 120 Гц, АКБ 6000 мАч и Unisoc T7250
15.04. Motorola Razr 70 Ultra получит Snapdragon 8 Elite и батарею на 6% больше
15.04. Tecno Spark 50 4G – Helio G81, 7000 мАч и связь без сети за 1.5 км
15.04. T1 Phone от Trump Mobile – $499 за AMOLED 120 Гц и Snapdragon 7
14.04. Redmi A7 Pro 5G – HyperOS 3, Unisoc T8300 и 6300 мАч за 11 499 рупий
14.04. Oppo Pad Mini с 8.8-дюймовым OLED-экраном 144 Гц и Snapdragon 8 Gen 5 представят 21 апреля
14.04. Rollme G9 – умные часы с офлайн-картами, двухдиапазонным GNSS и весом 32 грамма
13.04. Realme Narzo 100 Lite 5G – 7000 мАч "Titan Battery", 144 Гц и Dimensity 6300 за 13 000 рупий
13.04. CMF Phone 3 Pro получит Snapdragon 7s Gen 4 и металлическую рамку
13.04. Анонс Huawei Pura 90 Pro ожидается 20 апреля
10.04. Realme C100 4G – в000 мАч, IP69K и Helio G92 Max за 292 доллара
10.04. AI+ Nova 2 и Nova 2 Ultra – два подхода к бюджетному сегменту в Индии
10.04. Oppo A6s Pro – OLED, 7000 мАч, 80 Вт и Dimensity 6300
09.04. Moto Pad 2026 – 2.5K-экран, 5G и четыре динамика за 250 долларов
09.04. Motorola Moto G Stylus (2026) – стилус с наклоном, защита IP69 и AMOLED за 500 долларов
08.04. Oppo A6k с АКБ 7000 мАч, экраном 120 Гц и Dimensity 6300 оценен 290 долларов