MForum.ru
17.09.2018,
Использование полуприжимных IGBT-модулей в системах СТАТКОМ (статических синхронных компенсаторов) и HVDC (высоковольтных передач постоянного тока) повышают пропускную способность электросети, улучшат качество электроэнергии и уменьшат потери при передаче энергии на большие расстояния. Применение отечественных устройств позволит защитить национальную сетевую инфраструктуру передачи электроэнергии от зарубежного влияния, так как на данный момент 100% подобных модулей поставляется из-за рубежа.
Разработка модуля была произведена в рамках соглашения между АО «Ангстрем» и АО «Научно-технический центр Федеральной сетевой компании Единой энергетической системы» (АО «НТЦ ФСК ЕЭС»). Документ предусматривает разработку технически сложных устройств силовой электроники, которые сейчас закупаются за рубежом, между тем ежегодные потребности в них превышают тысячи единиц. В первую очередь в рамках соглашения планируется создание для нужд ФСК ЕЭС широкого перечня IGBT-модулей, которые задействованы в процессах транспортировки и преобразования электроэнергии.
Сергей Воронцов, временно исполняющий обязанности генерального директора АО «Ангстрем»: «Этот модуль является первым в широком ряду, которые требуются отечественным электросетевым компаниям. Также в рамках сотрудничества Ангстрема и НТЦ ФСК ЕЭС предполагается разработка принципиально новых решений и оборудования для электроэнергетики. В результате этой работы, мы должны максимально снизить зависимость наших энергетиков от поставок комплектующих из-за рубежа, а по возможность, затем наладить экспорт этой продукции».
Применение силовых IGBT-модулей, вместо традиционно используемых тиристорных, обеспечивает целый ряд преимуществ, большую эффективность (легкость в управлении, высокая стойкость к токам короткого замыкания) и гибкость систем СТАТКОМ и HVDC. В работе над полуприжимным IGBT-модулем применялись кристаллы биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) и быстровосстанавливающихся диодов (FRD) оригинальной конструкции на напряжение 2500 В. Однако, учитывая использование прижимной конструкции, их пришлось доработать.
В ходе ОКРа была разработана конструкция модуля, позволяющая равномерно осуществлять давление на кристаллы IGBT и FRD. Это особенно важно учитывая уровень нагрузки, в результате которой даже небольшая разница в равномерности прижима термокомпенсационных прокладок может привести к разрушению кристаллов. Так же была решена проблема обеспечения надежного контакта в активной области кристаллов.
Конструкция модуля состоит из: корпуса, субмодуля и крышки. Субмодуль состоит из: кристаллов IGBT и FRD, молибденовых термокомпенсаторов и оснований, медных контактов, керамической платы со сформированными толстопленочными резисторами определенного номинала, корпуса субмодулей, крышки корпуса и шины управления кристаллами соединенная в соответствии со схемой прибора.
В мае 2018 года АО «Ангстрем» изготовил макетный образец полуприжимного IGBT-модуля и передал его для испытаний заказчику. Испытания подтвердили, что модули по габаритным и присоединительным размерам, а также электрическим параметрам соответствуют иностранному аналогу. По результатам испытаний заказчик запросил опытную партию модулей, которые должны быть отгружены к концу текущего года.
Свою заинтересованность в новом изделии уже подтвердили производители железнодорожного транспорта и генерирующих энергетических компаний.
На сегодняшний день только одна компания, шведско-швейцарская ABB, в мире является производителем полуприжимных IGBT-модулей, она фактически является мировым монополистом. Объем российского рынка подобных приборов оценивается минимум в 2 миллиарда рублей в год, которые полностью уходят за рубеж.
+
Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике и полупроводникам
теги: IGBT полупроводники прижимные модули Ангстрем
+ +
©
Публикации по теме:
09.06.2026. Китайская Prianano показала потенциал применения наноимпринтной технологии в фотонике
08.06.2026. Платформа Nvidia RTX Spark – ИИ идет на ПК и другие пользовательские устройства
06.06.2026. Positive Technologies создал комплекс LFI-26 для тестирования безопасности чипов
05.06.2026. ПМЭФ: Кремниевая фотоника - Сбер представил ФИС
04.06.2026. Анатолий Корсаков генеральный директор «Трамплин Электроникс» в интервью подкасту «Знай наших»
04.06.2026. В ЕС спохватились – без ИИ и микросхем не будет и суверенитета
03.06.2026. Первый вице-премьер Денис Мантуров о микроэлектронике и РЗЭ в интервью КоммерсантЪ
03.06.2026. Ученые из Японии и США разработали кремниевый спинтронный p-бит
02.06.2026. Минпромторг выделит еще 2 млрд на импортзамещение оборудования для эпитаксии
02.06.2026. SK Hynix намерена удвоить мощности производства на кремниевых пластинах в ближайшие 5 лет
02.06.2026. Форум "Микроэлектроника 2026", обсуждая программу, - пьезо- и сегнетоэлектрические материалы
01.06.2026. Samsung начала распространять новые модули HBM для отдельных клиентов
29.05.2026. Процессорный модуль E2C3-COM на Эльбрус-2С3 включен в реестр
28.05.2026. Сколтех собирается запустить контрактное производство фотонных чипов по технологии «кремний на изоляторе»
28.05.2026. Японский госфонд JIC может продать производителя фоторезистов JSR спустя два года после его покупки
26.05.2026. Еврокомиссия предложила на время смягчить санкции в отношении китайской компании, чтобы спасти свой автопром
26.05.2026. Еврокомиссия предложила на время смягчить санкции в отношении китайской компании, чтобы спасти свой автопром
25.05.2026. Китайская Huawei обещает повысить плотность размещения транзисторов на кристалле до «эквивалента 1.4 нм»
10.07. SpaceX Gen3 - все более грандиозная программа
10.07. Корпоративные сети бизнеса в 2026 году - аналитический обзор
10.07. Fab2 – фаб фабов или как гаражный проект стал бизнесом, востребованным в отрасли
10.07. Micron увеличивает заявленные инвестиции в США до $250 млрд
09.07. МТС установил систему видеонаблюдения в ЖК в центре Благовещенска
08.07. SpaceX запустила первый в мире коммерческий спутник с бета-вольтаическим источником энергии
08.07. Yadro объявляет о начале приема на совместные программы с МФТИ, ИТМО, МИЭТ и ВШЭ
08.07. Мошенники продолжают звонить – 26% от нежелательных вызовов приходятся на 5 регионов
08.07. МегаФон расширил сеть в Новоаннинском районе Волгоградской области
08.07. Билайн запустил новые БС 4G в пригороде Самары и в селах области
07.07. МегаФон объединил программных роботов на единой платформе Zephyr
07.07. Минцифры собирается решить проблему доступа к земельным участкам «по-китайски»
07.07. Элемент будет готовить кадры по микроэлектронике во Вьетнаме
10.07. Realme Narzo 100x 5G с батареей 8000 мАч и 144 Гц-дисплей представят 15 июля
10.07. HMD Arc 2 - бюджетник с улучшенным процессором и минимальными изменениями
10.07. Redmi Note 17 Pro – 9000 мАч, 5-летняя защита аккумулятора и бесплатная замена батареи
09.07. Появились первые слухи о Vivo V80 – дисплей 144 Гц, батарея 7200 мАч и перископная камера
09.07. Характеристики iQOO Z11 для Индии будут отличаться от глобальной версии
08.07. Nothing Ear (3a) – бюджетные наушники с записью разговоров и 42 часами автономност
08.07. Nothing Phone (4b) – доступный смартфон с большой батареей и фирменным дизайном
08.07. Honor Robot Phone может выйти в августе 2026 года
07.07. Vivo Y500 дебютировал на глобальном рынке с батареей 8100 мАч
07.07. Moto G77 Power официально представлен перед релизом 8 июля
07.07. Раскрыты ключевые характеристики Vivo X300e – АКБ 7100 мАч, перископный зум и плоский экран
06.07. Samsung Galaxy Jump 5 – операторский аппарат на базе Galaxy A27 5G
06.07. Vivo Pad 5c – доступный планшет с 144 Гц, Snapdragon 8s Gen 3 и батареей 10 000 мАч
03.07. Huawei Band 11, Band 11 Metal и Band 11 Pro – доступные фитнес-браслеты с AMOLED-экранами и GNS
03.07. Данные о Samsung Galaxy A18 показали обновление стратегии и отказ от Exynos
02.07. Redmi K90 Ultra получил Snapdragon 8 Elite, активное охлаждение и батарею 8550 мАч
02.07. Nothing Phone (4b) – дата анонса, ключевые характеристики и дизайн
01.07. Ключевые характеристики Samsung Galaxy Z Fold8 раскрыты до анонса
01.07. OnePlus N6 дебютировал в Индии: 8000 мАч, Dimensity 6360 Max и цена от $243
01.07. В iPhone 2027 экраны останутся прежними — 60 Гц у iPhone 18e и 120 Гц у остальных