Это TDRM24C512C-L, микросхема энергонезависимой памяти со сверхнизким потреблением энергии, основанная на резистивной технологии CBRAM.

Источник картинки: finance.yahoo.com 

CBRAM расшифровывается, как conductive bridge RAM - то есть "резистивная память на основе проводящих мостиков". Иногда ее именуют “электролитической памятью” или памятью на наномостиках. Микросхема выпускается в керамическом корпусе с 10 выводами и предназначена для использования в аэрокосмических и оборонных системах.

В основе микросхемы лежит разработанная компанией Adesto Technologies технология CBRAM, использование которой, в отличие от технологий, применяемых в серийно выпускаемых EEPROM микросхемах (флеш-памяти), обеспечивает большее быстродействие и сниженное энергопотребление. Кроме того, для изделий CBRAM характерна сниженная чувствительность к воздействию радиации, что позволяет использовать новые чипы на спутниках, в других высотных решениях или в приборах, имеющих дело с повышенными уровнями радиации.

Напомню особенности эффекта на котором основана работа резистивной памяти на проводящих мостиках. Под действием напряжения в некоторых диэлектриках образуются проводящие ионные нити - их и называют мостиками. Каждая ячейка резистивной памяти - это два электрода из различных металлов. В такой паре один электрод всегда выполнен из инертного металла, например, вольфрама или платины, другой - из активного, например, из серебра или меди. Между электродами есть тонкая пленка оксида. Если в такой конструкции подать небольшое отрицательное напряжение на инертный электрод, то ионы металла в толще диэлектрика начнут двигаться, формируя нанокристаллическую нить с небольшим сопротивлением.

Принцип работы CBRAM: Исходное состояние ячейки;
запись логической единицы; записанная логическая единица; стирание.
источник картинки: electronics.ru.

Сформированная нить может сохранять свойства неограниченно долго. А чтобы ее разрушить, достаточно приложить к инертному электроду положительное напряжение. Низкое сопротивление ячейки можно считать единицей, а высокое - нулем, это позволяет использовать описанный эффект для создания чипов памяти.

Основной плюс памяти CBRAM - для записи информации не требуется высокое напряжение, поэтому запись можно производить сравнительно быстро, насколько это позволяет физика образования ионных нитей. Потребление энергии такой микросхемой очень низкое. Меняя напряжение записи, можно управлять соотношением “скорость записи информации / энергопотребление”.

Вдобавок технология позволяет добиваться высокой плотности записи информации в микросхему CBRAM, поскольку минимальный размер ячейки может быть не больше, чем диаметр нескольких ионов металла, формирующих цепочку.

Первые образцы CBRAM появились в 2011 году, рынку их представила компания Adesto Technologies. Сегодня серийное производство чипов CBRAM наладили и другие компании, в частности, Teledyne e2v. По-сравнению с флеш памятью микросхемы CBRAM потребляют на порядок меньшие токи, а их быстродействие в 4-6 раз выше, чем у EEPROM. Вдобавок микросхемы CBRAM намного более устойчивы к радиации.

Микросхема TDRM24C512C-L, выпускаемая компанией Teledyne, питается низким напряжением, которое может варьировать в диапазоне от 1.65В до 3.3В, размер страницы памяти составляет 128 байт, на запись байта памяти требуется всего 50 наноджоулей. Диапазон рабочих температур микросхемы - от -55 C до +125 C. Более подробную информацию можно найти в спецификации производителя.

Источники: e2v.com; electronics.ru; microwavejournal.com; e2v.com. Список некоторых радиационно-стойких микросхем отечественного производства можно найти по ссылке.

+

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

теги: микроэлектроника

+ +