Микроэлектроника: В ГК Элемент разработали оборудование ПХО и ПХТ для техпроцессов вплоть до 65нм на пластинах 300мм

MForum.ru

Микроэлектроника: В ГК Элемент разработали оборудование ПХО и ПХТ для техпроцессов вплоть до 65нм на пластинах 300мм

10.12.2025, MForum.ru


НИИМЭ и НИИТМ (оба предприятия входят в ГК Элемент) завершили завершили разработку и сборку первых в России кластерных систем для процессов плазмохимического осаждения (ПХО) и травления (ПХТ). Установки можно использовать в составе производственных линий для выпуска интегральных микросхем по топологическим нормам 65 нм на пластинах 200 мм и 300 мм. Тем самым, российские организации вошли в пятерку компаний в мире, обладающих компетенциями в разработке и производстве данного класса технологического оборудования.

 

фрагмент кластерной установки ПХО (плазмо-химического осаждения)

фрагмент кластерной установки ПХО (плазмо-химического осаждения), фото - редакции MForum.ru

 

Головным исполнителем проекта стал НИИМЭ, обеспечивший строительство чистых производственных помещений (ЧПП), монтаж и подключение опытных образцов оборудования в ЧПП, разработку технологических процессов и испытание оборудования. Основным соисполнителем выступил НИИТМ, чьи специалисты разработали само оборудование и участвовали в проведении испытаний.

«Создание первых российских кластерных систем для ПХО и ПХТ – важный практический результат. Установки для уровня 65 нм на пластинах 300 мм обеспечат в том числе перспективную потребность отечественной микроэлектроники. Особую ценность представляет модульность платформы: она позволяет отрабатывать процессы на существующем оборудовании и служит основой для перехода к более тонким техпроцессам. Этот проект демонстрирует, что кооперация наших научных институтов и промышленности способна решать сложнейшие технологические задачи», - отметил заместитель министра промышленности и торговли Василий Шпак.

В мировой практике в качестве стандарта для производства микросхем используется оборудование кластерного типа, так как оно позволяет объединять от 2 до 8 технологических установок с общей системой загрузки. Это дает возможность последовательно проводить ряд технологических процессов без выгрузки пластин в атмосферную среду помещения. Модульная структура позволяет гибко конфигурировать оборудование в зависимости от потребностей и мощности производств. Все эти факторы влияют на снижение себестоимости продукции и улучшение качества чипов.

Оборудование разработано для работы с пластинами диаметром 200 и 300 мм. Это дает возможность применять установки на действующих и планируемых производствах как с технологическими нормами, реализуемыми на пластинах 200 мм, так и обеспечить своевременную подготовку к переходу на работу на 300-миллиметровых пластинах. При использовании конфигурации оборудования для пластин диаметром 200 мм возможно применение с проектными нормами — 90, 130, 180, 250 нм.

В дальнейшем разработанные и аттестованные в рамках проекта базовые технологические процессы осаждения и травления диэлектрических слоев являются базой для их адаптации под существующие техпроцессы и для разработки перспективных, включая 28 нм.

 

Александр Сергеевич Кравцов, генеральный директор АО НИИМЭ

Александр Сергеевич Кравцов, генеральный директор АО НИИМЭ, фото - редакции MForum.ru

 

«Вхождение в мировой топ обладателей технологии кластерных систем для микроэлектроники — это одновременно и колоссальное достижение, и серьезная ответственность перед отечественными разработчиками. Создание российских кластерных систем для ПХО и ПХТ стало ключевым этапом на пути к технологической самостоятельности отечественной микроэлектроники. Мы заложили основу для дальнейшего развития», - отметил генеральный директор НИИМЭ Александр Кравцов.

 

Михаил Георгиевич Бирюков, генеральный директор АО НИИТМ

Михаил Георгиевич Бирюков, генеральный директор АО НИИТМ, фото - редакции MForum.ru

 

«Разработка кластерных установок ПХО и ПХТ для обработки кремниевых пластин диаметром 300 мм открывает новые перспективы для вывода российской микроэлектронной отрасли на новый технологический уровень. Создание оборудования для технологий с проектной нормой до 65 нм – важный шаг в развитии электронной промышленности нашего государства, демонстрирующий высокий уровень компетенций и готовность обеспечить российские предприятия отечественным оборудованием, не уступающим зарубежным аналогам», - сказал генеральный директор НИИТМ Михаил Бирюков.

 

Оглавление материалов, посвященных встрече - здесь

 

--

За новостями наземного и спутникового телекома удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости телекома, новости искусственного интеллекта и ЦОД вы найдете в канале abloudRealTime, новости микроэлектроники можно найти в моем канале RUSmicro, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги: микроэлектроника ПХО ПХТ плазмохимического производственное оборудование Элемент НИИМЭ НИИТМ

-- 

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

08.09.2026. ASML и крупнейшие производители микросхем начинают переход на 12-дюймовые маски для High-NA EUV

12.08.2026. В России завершен третий этап ОКР по созданию фотолитографа с проектными нормами 130 нм

12.08.2026. В России официально запущен в работу источник синхротронного излучения СКИФ

05.08.2026. РФЯЦ-ВНИИЭФ разрабатывает автоматизированную установку жидкостного химического травления полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм

05.08.2026. В России разработали многолучевый катод для использования в электронных литографах

30.07.2026. LG начала продажи собственного безмасочного литографа за $2 млн

28.07.2026. В Китае начинается ограниченное серийное производство иммерсионных DUV-литографических машин 28нм

24.07.2026. Белорусский Планар разрабатывает для российского рынка 9 установок участка создания фотошаблонов

20.07.2026. В России создана установка электронно-лучевой литографии (безмасочной) на 150 нм

10.07.2026. Fab2 – фаб фабов или как гаражный проект стал бизнесом, востребованным в отрасли

23.06.2026. Импортзамещение в Китае поставило в сложное положение японских вендоров оборудования для производства полупроводников

22.06.2026. Нанотроника зарегистрировала дочернее предприятие в Индии

20.06.2026. «Детективная история» вокруг EUV-установки ASML – смог ли Китай заполучить одну из запретных для него установок?

20.06.2026. В НИИМЭ разработают кластерную установку алюминиевой металлизации методом вакуумного напыления

16.06.2026. С сентября 2026 года производителям производственного оборудования микроэлектроники придется доказывать его российскость балльной системой

02.06.2026. Минпромторг выделит еще 2 млрд на импортзамещение оборудования для эпитаксии

14.05.2026. В России работают над проектом рентгеновского фотолитографа

23.03.2026. В России могут начать работы над литографом для техпроцесса 90 нм в 2026 году

23.03.2026. Бельгийская imec получила в свое распоряжение ASML High NA EUV

11.03.2026. Applied Materials объединяет усилия с Micron и SK Hynix для разработки DRAM, HBM и NAND следующего поколения



Поиск по сайту:


Колонка редактора

30.10. Билайн запустил бесплатную страховку от мошенников для предоплатных клиентов с компенсацией до 500 тысяч

30.10. МегаФон ускорил мобильный интернет вдоль автотрасс М7 и М8 в московском регионе

29.10. CXMT приступает к производству передовой памяти для ИИ, несмотря на низкий выход годных

29.10. На Тайване задумались о возобновлении работы АЭС - ради производства микросхем

29.10. Linde довольна квартальными результатами, спасибо ИИ

29.10. Amazon получил разрешение FCC на покупку GlobalStar

29.10. МТС запустила LTE в селе Хилогосон в Забайкальском крае

28.10. Рынок объектных систем хранения данных в России – вынужденный рост

28.10. YADRO предлагает использовать технологию блокчейн и децентрализованную архитектуру для повышения надежности хранения данных в ЦОД

28.10. Китайский производитель алмазов переориентирует деятельность с ювелирной промышленности на полупроводники для ИИ

28.10. МТС запустила базовую станцию 5G в диапазоне 4.9 ГГц в Хабаровске

27.10. Infineon инвестирует 1.1 млрд евро в австрийскую площадку по производству силовых полупроводников для ЦОД

27.10. МегаФон развернул новое телеком-оборудование в Советске Калининградской области

27.10. "Временные блокировки" мобильного доступа к интернету возможны в Москве

27.10. ФАС отрегулирует тарифы операторов связи с помощью ФГИС и накажет УК, мешающие доступу операторов в МКД

Все статьи >>


Новости

30.10. Honor X9e s – ребрендинг Honor Turbo с батареей 8560 мАч

30.10. OnePlus Ace 7 и Ace 7 Pro с экранами 185 Гц и встроенными вентиляторами представлены в Китае

29.10. Moto G47 Power с батареей 7000 мАч и 108 МП камерой оценен в £299.99

29.10. Xiaomi Smart Band 11 добрался до Европы – цена €60 за базовую версию

28.10. Apple представила новый iPad mini с OLED-экраном и чипом A20 Pro

28.10. HMD обновит Pulse Pro, Crest Max и Fusion для Европы

28.10. Redmi K100 – батарея 10 000 мАч, 165 Гц и Snapdragon 8 Elite

28.10. Infinix GT 50 Pro с жидкостным охлаждением и Dimensity 8400 Ultimate представлен в Индии

27.10. Vivo Y600 с АКБ 10 000 мАч представлен в Китае

27.10. Poco X8s, компактный флагман с зарядкой 100 Вт, представлен глобально

27.10. OnePlus Buds Clip – первые клип-наушники бренда с двумя драйверами

26.10.  Honor Pad X10 Mini – компактный планшет для семьи за $165

26.10. Oppo выпустила в Индии пауэрбанк со встроенным кабелем за 2199 рупий

26.10. Ноутбук HP Star Book Air 14 с OLED-экраном и автономностью до 42.5 часов представлен в Китае

23.10. Huawei Pura 90 Plus получит 1-дюймовую камеру с переменной диафрагмой

23.10. Nubia A76 4G – новый смартфон со старым именем

23.10. Xiaomi представили Redmi Book 2027 – батарея 72 Вт•ч и новый дизайн

23.10. Realme раскрыла стратегию на 2027 год

22.10. iPhone 18 получит новый дизайн камеры

22.10. Redmi Band 4 представлен в Китае – 21 день автономности и 5ATM за 169 юаней